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最新专利技术
  • 一种扫描电子显微镜系统及消磁调试方法
    一种扫描电子显微镜系统及消磁调试方法_深圳中科飞测科技股份有限公司_202511385039.4
    本申请公开了一种扫描电子显微镜系统及消磁调试方法，所述扫描电子显微镜系统包括：扫描电子显微镜主体、主动消磁系统以及位于样品腔体内的样品台；所述扫描电子显微镜主体与所述样品腔体的上盖固定连接，使得所述样品腔体内部形成密闭空间；在所述样品腔体的...
    2026-01-19
  • 一种透射电子显微镜超低温冷冻样品杆
    一种透射电子显微镜超低温冷冻样品杆_云南大学_202511236914.2
    本发明公开了一种透射电子显微镜超低温冷冻样品杆，属于透射电子显微镜低温技术领域。样品杆包括握把、杆体、液氮预冷罐和样品承载组件；液氮预冷罐内集成有换热通道；杆体内设有同轴换热器、分流室和膨胀室，握把内设有连接冷源和换热通道的管路，换热通道还...
    2026-01-19
  • 下电极组件、刻蚀设备及刻蚀基片的方法
    下电极组件、刻蚀设备及刻蚀基片的方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410783447.4
    本发明公开了下电极组件、刻蚀设备及刻蚀基片的方法。下电极组件包含：基座；静电吸盘，静电吸盘设有若干通孔；及，供气组件，其包含主管道、第一支管及第二支管；主管道连通所述通孔；第一支管一端连通导热气体源，另一端连通主管道，向主管道提供导热气体；...
    2026-01-19
  • 半导体工艺腔室、半导体工艺设备及启辉放电方法
    半导体工艺腔室、半导体工艺设备及启辉放电方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410788806.5
    本发明提供一种半导体工艺腔室、半导体工艺设备及启辉放电方法，半导体工艺腔室包括腔室本体和与腔室本体连通的进气结构和排气结构，进气结构包括用于分别向腔室本体内输送工艺气体和增压气体的工艺进气组件和增压进气组件，排气结构用于控制腔室本体的排气量...
    2026-01-19
  • 一种气体喷淋头组件及半导体处理设备
    一种气体喷淋头组件及半导体处理设备_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410790698.5
    本发明提供了一种气体喷淋头及半导体处理设备，属于等离子体处理领域，为了解决等离子体处理过程中气体分布的调整问题，本发明的气体喷淋头包括：带孔的喷淋板，相对设置的背板，二者之间形成匀气腔，背板上方设置有进气件，通过进气件中的多个气体通道连通匀...
    2026-01-19
  • 喷淋头组件、沉积装置及其安装方法
    喷淋头组件、沉积装置及其安装方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410792290.1
    一种喷淋头组件、沉积装置及其安装方法，其中，喷淋头组件包括：顶板，其具有贯穿其厚度的顶板开口；背板，位于所述顶板的下方；连接筒，位于所述顶板与背板之间，其内部的容纳空间与所述顶板开口连通，所述连接筒与顶板之间通过第一紧固件固定连接；进气件，...
    2026-01-19
  • 等离子体调控装置及半导体工艺设备
    等离子体调控装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410796364.9
    本发明提供了一种等离子体调控装置及半导体工艺设备，涉及半导体装备技术领域，为解决现有利用磁场对等离子体的分布进行调控的方式，难以获得较好的调控效果的问题而设计。该等离子体调控装置包括磁场发生结构，磁场发生结构的中部开设有射频馈入孔；磁场发生...
    2026-01-19
  • 等离子体处理装置及其调节组件、刻蚀、清洗、排气方法
    等离子体处理装置及其调节组件、刻蚀、清洗、排气方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410799229.X
    一种具有调节组件的等离子体处理装置及其刻蚀方法、清洗方法和排气方法，通过调节组件来改变约束环的流导和电势，以改变晶圆边缘区域处的等离子体密度，从而调节晶圆边缘的刻蚀速率，减小晶圆边缘区域和晶圆中心区域之间的刻蚀速率差异，最终提升整个晶圆的刻...
    2026-01-19
  • 一种使用交替气体进行刻蚀的等离子体刻蚀方法
    一种使用交替气体进行刻蚀的等离子体刻蚀方法_北京理工大学_202511133026.8
    本发明涉及半导体制造工艺领域，本发明提出了一种在等离子体刻蚀设备上实现高陡直度纳米结构的交替气体刻蚀(AGE)方法，具体为利用交替气体在衬底表面进行循环刻蚀，第一步为向反应腔室通入反应性气体与惰性气体的混合气体，形成等离子体对目标进行物理与...
    2026-01-19
  • 基片支承器和等离子体处理装置
    基片支承器和等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202511309445.2
    本发明提供基片支承器和等离子体处理装置。本发明的基片支承器包括电介质部和至少一个电极。至少一个电极设置于电介质部之中，用于对载置于电介质部上的物体供给偏置电功率。本发明能够对搭载于基片支承器上的物体高效地供给偏置电功率。
    2026-01-19
  • 基片支承器和等离子体处理装置
    基片支承器和等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202511309901.3
    本发明提供基片支承器和等离子体处理装置。本发明的基片支承器包括电介质部和至少一个电极。至少一个电极设置于电介质部之中，用于对载置于电介质部上的物体供给偏置电功率。本发明能够对搭载于基片支承器上的物体高效地供给偏置电功率。
    2026-01-19
  • 一种应用于半导体设备的位置可调孔径可调的进气装置及方法
    一种应用于半导体设备的位置可调孔径可调的进气装置及方法_盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司_202511365235.5
    本发明公开了一种应用于半导体设备的位置可调孔径可调的进气装置及方法，其属于半导体设备制造技术领域，所述应用于半导体设备的位置可调孔径可调的进气装置包括内环，所述内环外侧设有第一气分环和第二气分环，所述内环内侧与腔体相连通，所述内环的内侧壁均...
    2026-01-19
  • 一种真空紫外光电离源飞行时间质谱仪的数据校正处理方法
    一种真空紫外光电离源飞行时间质谱仪的数据校正处理方法_中国科学院大连化学物理研究所_202511270437.1
    本发明公开了一种真空紫外光电离源飞行时间质谱仪的数据校正处理方法，包括获取连续监测的数据点，包含横轴时间t和每种物质随时间t变化的强度值a1、b1、c1...，计算每种物质随时间的衰减系数λ1、λ2、λ3...，找到与目标监测物质衰减系数最...
    2026-01-19
  • 电子电离源的控制电路、控制方法及四极质谱仪
    电子电离源的控制电路、控制方法及四极质谱仪_上海航天裕达科技有限公司_202511118674.6
    本发明提供了一种电子电离源的控制电路、控制方法及四极质谱仪，包括：第一灯丝加热电路、第二灯丝加热电路、检测电路和逻辑电路。所述逻辑电路分别与所述检测电路、所述第一灯丝加热电路和所述第二灯丝加热电路电连接，根据检测的电流大小控制所述第一灯丝加...
    2026-01-19
  • 基于元素分析技术的在线土壤检测四极质谱仪及分析方法
    基于元素分析技术的在线土壤检测四极质谱仪及分析方法_上海航天裕达科技有限公司_202511042654.5
    本发明属于质谱技术领域，具体地，涉及一种基于元素分析技术的在线土壤检测四极质谱仪及分析方法，包括进样系统和分析系统，所述进样系统包括自动采样机械臂移动装置、水洗装置、吹气装置、样品舱、密封O圈、样品传动机构、激光器和一级反射板，所述分析系统...
    2026-01-19
  • 电子束发射装置、清洗装置、质谱仪、工作方法及质谱系统
    电子束发射装置、清洗装置、质谱仪、工作方法及质谱系统_中元汇吉生物技术股份有限公司_202410748944.0
    本发明属于质谱仪及其周边配套设备技术领域，特别是涉及一种电子束发射装置、清洗装置、质谱仪及工作方法。该电子束发射装置包括电子束发射组件和耐高温绝缘座，电子束发射组件支撑安装在耐高温绝缘座上，电子束发射组件包括电源连接件、灯丝和导流罩；灯丝与...
    2026-01-19
  • 一种基于辉光放电与四极杆质谱联用的分析仪器
    一种基于辉光放电与四极杆质谱联用的分析仪器_杰德(青岛)科技有限公司_202511384998.4
    本发明涉及质谱仪技术领域，并公开了一种基于辉光放电与四极杆质谱联用的分析仪器，包括离子源、离子传输系统以及离子分离器；其中，所述离子源为辉光放电离子源；所述离子分离器为四极杆质量分析器，四极杆质量分析器包括四根平行设置的电极。本发明相比较现...
    2026-01-19
  • 一种提升级联离子阱飞行时间质谱性能的相位调制方法
    一种提升级联离子阱飞行时间质谱性能的相位调制方法_中国科学院大连化学物理研究所_202511281482.7
    本发明公开了一种提升级联离子阱飞行时间质谱性能的相位调制方法。在级联离子阱飞行时间质谱系统中，级联离子阱均施加周期性射频电压，通过调制级联离子阱驱动射频电压之间的相位差，能够改善级联离子阱飞行时间质谱的性能。该方法包括以下步骤：阱内离子源或...
    2026-01-19
  • 一种多电极六面体准分子灯及其制造工艺
    一种多电极六面体准分子灯及其制造工艺_苏州汇影光学技术有限公司_202511727809.9
    本发明涉及准分子灯技术领域，尤其涉及一种多电极六面体准分子灯及其制造工艺。该准分子灯包括灯管主体、第一电极对和第二电极对，灯管主体内具有用于容纳放电气体的灯腔；灯管主体为六面体结构，其包括相对设置的两个第一侧板和相对设置的两个第二侧板；第一...
    2026-01-19
  • 一种链式高速硅片清洗系统及其使用方法
    一种链式高速硅片清洗系统及其使用方法_连智(大连)智能科技有限公司_202511360299.6
    本发明属于光伏行业领域，公开了一种链式高速硅片清洗系统及其使用方法。清洗系统的上料装置将来料工件通过上料机器人就待清洗硅片移转，经导向条正位后，传送到清洗机构中。待清洗的硅片在上下两层输送滚轮传送下，依次通过清洗机构、氧化机构、漂洗机构、烘...
    2026-01-19
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