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最新专利技术
  • 一种链式高速硅片清洗系统及其使用方法
    一种链式高速硅片清洗系统及其使用方法_连智(大连)智能科技有限公司_202511360299.6
    本发明属于光伏行业领域，公开了一种链式高速硅片清洗系统及其使用方法。清洗系统的上料装置将来料工件通过上料机器人就待清洗硅片移转，经导向条正位后，传送到清洗机构中。待清洗的硅片在上下两层输送滚轮传送下，依次通过清洗机构、氧化机构、漂洗机构、烘...
    2026-01-19
  • 接触孔的清洗方法及清洗装置
    接触孔的清洗方法及清洗装置_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511695222.4
    本发明提供了一种接触孔的清洗方法及清洗装置，属于半导体领域。所述接触孔的清洗方法包括：在接触孔中导入温度响应性试剂；调控温度使温度响应性试剂转换为高粘度凝胶态，粘附接触孔内的残留物；调控温度使处于凝胶态的温度响应性试剂固化；通过移动组件将固...
    2026-01-19
  • 一种氧化硅上化学计量比氮化硅厚膜结构及其制备方法
    一种氧化硅上化学计量比氮化硅厚膜结构及其制备方法_中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所_202511704562.9
    本发明公开了一种氧化硅上化学计量比氮化硅厚膜结构及其制备方法，所述方法包括：采用晶向为<100>的硅衬底，在氮气气氛中湿氧氧化生长热氧化氧化硅层，退火得到样片；在样片上旋涂光刻胶，在光刻胶表面放置第一光刻板进行曝光和刻蚀，刻蚀掉晶圆边缘的氧...
    2026-01-19
  • 制造半导体器件的方法
    制造半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510431222.7
    一种制造半导体器件的方法可以在堆叠结构上形成第一光致抗蚀剂图案，第一光致抗蚀剂图案包括具有线和空间形状的第一部分和围绕第一部分的第二部分；将第一光致抗蚀剂图案的图案转移到第一掩模层；形成覆盖第一掩模层的剩余部分的侧壁的间隔物绝缘层；形成填充...
    2026-01-19
  • 存储器装置的制作方法
    存储器装置的制作方法_联华电子股份有限公司_202410870263.1
    本发明公开一种存储器装置的制作方法，包括下列步骤。提供一基板，基板包括一顶表面。在基板的顶表面上形成一第一绝缘膜。在第一绝缘膜上形成一浮动栅极，其中浮动栅极包括一尖端结构，尖端结构邻接于第一绝缘膜。
    2026-01-19
  • 一种半导体器件制造方法以及半导体器件
    一种半导体器件制造方法以及半导体器件_浙江创芯集成电路有限公司_202511320513.5
    本申请涉及半导体制造技术领域，公开了一种半导体器件制造方法以及半导体器件，该方法包括：提供生长有掩膜层的初始晶圆；初始晶圆中刻蚀有沟槽，掩膜层包括沿初始晶圆的厚度方向依次堆叠的氧化物垫层、硅氮化物层和氧化物外层；对初始晶圆的表面进行化学机械...
    2026-01-19
  • 一种半导体工艺优化方法以及半导体器件
    一种半导体工艺优化方法以及半导体器件_浙江创芯集成电路有限公司_202511320517.3
    本申请涉及半导体工艺技术领域，公开了一种半导体工艺优化方法以及半导体器件，应用于刻蚀有沟槽的半导体衬底上，在刻蚀沟槽之前，半导体衬底的表面自下而上依次沉积第一氧化物层、氮化硅层以及第二氧化物层；在完成沟槽刻蚀的半导体衬底上继续沉积致密氧化物...
    2026-01-19
  • 高深宽比深硅结构的图形化定义方法及高深宽比深硅结构
    高深宽比深硅结构的图形化定义方法及高深宽比深硅结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202511666068.8
    本申请公开了一种高深宽比深硅结构的图形化定义方法及高深宽比深硅结构，包括：在硅衬底的表面上形成多个光刻胶图形；在第一温度下，使用第一气体作为沉积气体，在硅衬底和光刻胶图形上进行聚合物层沉积；在第二温度下，使用第二气体作为刻蚀气体，对聚合物层...
    2026-01-19
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202511103436.8
    本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括在衬底上形成掩膜版，掩膜版包括第一开槽，第一开槽的槽底与槽壁的槽角为第一槽角，第一槽角呈圆弧状。由第一开槽向衬底进行第一刻蚀工艺，形成第二开槽，第一刻蚀工...
    2026-01-19
  • 一种二维半导体材料的掺杂方法及掺杂二维半导体材料
    一种二维半导体材料的掺杂方法及掺杂二维半导体材料_原集微科技(上海)有限公司_202511312473.X
    本发明公开了一种二维半导体材料的掺杂方法及掺杂二维半导体材料，其中，掺杂方法包括先制备掺杂溶液，再将待掺杂的二维半导体材料浸入掺杂溶液中进行掺杂，之后取出二维半导体材料，除去残余溶液，得到掺杂的二维半导体材料，其中，钨酸铵溶液或偏钨酸铵溶液...
    2026-01-19
  • 超薄玻璃基板的加工方法、加工设备以及暂时承载组件
    超薄玻璃基板的加工方法、加工设备以及暂时承载组件_米豊米科技股份有限公司_202511301795.4
    本发明提供一种超薄玻璃基板的加工方法、超薄玻璃基板的加工设备以及超薄玻璃暂时承载组件。超薄玻璃基板的加工设备包括一基板承载模块、一胶材提供模块、一玻璃贴合模块、一胶材固化模块以及一玻璃加工模块。基板承载模块被配置以用于承载一暂时性承载基板。...
    2026-01-19
  • 封装基板的制作方法、封装基板及电子器件
    封装基板的制作方法、封装基板及电子器件_玻芯成(重庆)半导体科技有限公司_202511307869.5
    本申请提出一种封装基板的制作方法、封装基板及电子器件，涉及半导体先进封装技术领域，用于提供一种可以蚀刻精细化线路的封装基板；该方法包括：至少提供第一基板及第二基板，第一基板的表面形成有第一导电线路层；将第二基板堆叠于第一基板；在第二基板制作...
    2026-01-19
  • 无芯基板制作方法及无芯基板
    无芯基板制作方法及无芯基板_浙江创豪半导体有限公司_202511338153.1
    本申请实施例提供一种无芯基板制作方法及无芯基板，制作方法包括：制作无芯基板基准层；在基准层上制作对位靶点；在基准层上依次进行多次增层，以形成多层无芯基板，其中每一增层后均进行镭射开窗以暴露基准层的对位靶点，并以对位靶点为基准点对增层进行加工...
    2026-01-19
  • 一种基板加工方法和光芯片
    一种基板加工方法和光芯片_无锡光子芯片联合研究中心_202511411741.3
    本申请提供一种基板加工方法和光芯片，涉及半导体加工技术领域，方法包括：提供待加工基板，待加工基板具有多个布线区域和切割区域，相邻布线区域之间经切割区域分隔；通过激光光斑扫描布线区域和切割区域，以在布线区域内形成第一改质点和在切割区域内形成改...
    2026-01-19
  • 芯片直接键合方法
    芯片直接键合方法_原子能与替代能源委员会_202510823304.6
    本发明公开了芯片直接键合方法。本公开涉及一种用于键合芯片的方法，包括以下步骤：a)提供其中形成有芯片的供体衬底，该供体衬底包括正面和背面；b)通过直接键合，将供体衬底的正面安装至临时衬底；c)优选地减薄供体衬底；d)将由供体衬底和临时衬底组...
    2026-01-19
  • 用于增强散热的复合封装及其形成方法
    用于增强散热的复合封装及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511085216.7
    本发明提供一种复合封装及其形成方法。复合封装可具有用于增强散热的特征。该特征可包括位于半导体芯片背侧的金属柱阵列。或者，该特征可包括腔，半导体芯片的背侧表面暴露于该腔，且该腔在侧向上被模制化合物框架的部分环绕。
    2026-01-19
  • 芯片封装方法及电子设备
    芯片封装方法及电子设备_歌尔微电子股份有限公司_202511212069.5
    本申请提供了一种芯片封装方法及电子设备。所述芯片封装方法包括：在基板的切割道上设置导电层；封装所述基板，以在所述基板上形成塑封部；沿所述切割道切割所述塑封部，以露出所述导电层；采用选择性溅镀工艺在所述塑封部上溅镀，形成与所述导电层电连接的导...
    2026-01-19
  • 一种具有高散热性能DFN封装结构的制造方法
    一种具有高散热性能DFN封装结构的制造方法_强茂电子(无锡)有限公司_202511310787.6
    本发明公开了一种具有高散热性能DFN封装结构的制造方法，包括芯片切割；将切割好的芯片焊接在矩阵式金属框架上；将矩阵式铜跳线框架焊接在芯片及矩阵式金属框架上；清洗；在矩阵式铜跳线框架正面上贴膜；对金属框架进行塑封成型；去除矩阵式金属框架上方和...
    2026-01-19
  • 封装结构的形成方法、封装结构、器件及电子装置
    封装结构的形成方法、封装结构、器件及电子装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410799103.2
    本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种封装结构的形成方法、封装结构、器件及电子装置。所述方法包括：提供支撑基底，支撑基底包括相对的第一表面和第二表面；在第一表面上形成应力平衡层；在第二表面上形成目标封装结构，应力平衡层用于在形成目标封装结构...
    2026-01-19
  • 用于封装电子元件的底部填充方法
    用于封装电子元件的底部填充方法_株式会社ENJET_202411258591.2
    本公开涉及一种用于封装电子元件的底部填充方法。本发明的用于封装电子元件的底部填充方法的特征在于，包括：在工作台上加载层叠有电子元件的基板的步骤；热传递以使所述基板保持规定温度的步骤；热传递以使喷射填充剂的分配器保持规定温度的步骤；利用分配器...
    2026-01-19
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