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  • 本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及电子装置。所述方法包括:提供初始半导体结构;初始半导体结构包括依次形成的基底结构、图案传递层和掩膜层;掩膜层上形成有暴露出图案传递层部分表面的开口结构;按照预设方...
  • 本公开提供了半导体器件及该半导体器件的制造方法。半导体器件的制造方法包括:在衬底上形成包括金属层和布线覆盖层的堆叠的导电布线;形成围绕导电布线的上表面和侧表面的绝缘膜结构;在绝缘膜结构上形成包括第一开口的第一掩模图案以在垂直方向上与导电布线...
  • 本文描述了一种用于形成在通孔层间介电(ILD)层和互连层间介电层中形成的多层级互连结构的工艺,其中蚀刻终止层位于所述互连ILD层和所述通孔ILD层之间。在形成所述多层级互连结构之前,移除所述蚀刻终止层的紧邻所述蚀刻终止层中与所述通孔ILD层...
  • 本发明涉及微电子制造技术领域,公开了一种TSV通孔的双面电镀填充工艺。所述TSV通孔的双面电镀填充工艺,包括以下步骤:S1、将含有TSV通孔的硅片正面朝上,电镀20‑35min;S2、将经步骤S1处理的硅片翻转至背面朝上,电镀20‑35mi...
  • 本申请公开了一种介质层制备方法、半导体器件制备方法及半导体器件,涉及半导体制造技术领域。该介质层制备方法包括:在晶圆的金属层上沉积氟硅玻璃以形成第一介质层;在第一介质层上沉积未掺杂硅玻璃以形成第二介质层;在第二介质层上沉积富硅氧化物以形成第...
  • 本发明提供一种半导体结构及其制备方法,采用第一工艺节点制作第一半导体晶圆,采用第二工艺节点制作第二半导体晶圆,并采用混合键合工艺实现第一半导体晶圆及第二半导体晶圆的键合及电连接,从而在实现半导体结构垂直电气互联的前提下,还可降低成本,实现高...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法,所述半导体器件的制造方法包括:提供一基底,所述基底上形成有金属层;形成图形化的硬掩膜层于所述金属层上;以所述图形化的硬掩膜层为掩膜,刻蚀所述金属层,以形成贯穿所述金属层的沟槽;对所述沟槽侧壁的所述金属层...
  • 本发明属于印刷电路及其组件的制造领域,公开一种脉冲功率模块的低电感叠层装配方法,包括:将功率半导体器件和去耦电容共面置入核心基板的腔体中;叠层绝缘层并利用基于等离子体光谱监测的闭环控制方法选择性开窗;最后通过金属沉积形成直接跨接元件顶部端子...
  • 本发明提供一种接触插塞及其形成方法、半导体器件的形成方法,先形成接触插塞的第一部分,接着去除牺牲层使接触插塞的第一部分凸出于第一电介质层,并在第三电介质层内形成接触插塞的第二部分,接触插塞的第一部分和接触插塞的第二部分电连接构成接触插塞。本...
  • 本发明属于半导体技术领域,公开了一种半导体芯片及其安装方法,半导体芯片包括基板、芯片功能层、绝缘层、塑封体和若干个第一贴装位点,其中基板的两个相对侧面上开设有若干个第一槽,第一贴装位点设置在芯片功能层的两端,塑封体包覆芯片功能层,第一贴装位...
  • 本发明提供的一种结合高刚性基板与印刷线路板的封装结构,包括:非对称状的高刚性Core层封装基板;Buffer基板位于所述高刚性封装基板底部;Buffer基板由至少两层具有不同热膨胀系数的子Buffer材料层或子BT Core层组成,其热膨胀...
  • 本发明提供了一种局部嵌入玻璃芯的异质封装基板及其制备方法,涉及半导体封装技术领域,异质封装基板包括:芯板,设有至少一个安装槽;至少一个玻璃芯,嵌入安装槽内,与芯板固定连接;玻璃芯设有玻璃通孔,玻璃通孔内设有导电金属;第一导线层,设于芯板的一...
  • 本发明涉及一种玻璃基板加工板、玻璃基板及其制造方法,属于半导体封装领域,解决了现有大尺寸玻璃芯FCBGA基板在制造和使用过程中容易开裂及良率偏低等问题中的至少一个。一种玻璃基板加工板,包括:玻璃基板芯板,所述玻璃基板芯板包括有机芯板和嵌入有...
  • 本发明涉及一种嵌入玻璃芯板的大幅面FCBGA基板、制造方法以及大尺寸FCBGA基板单元,属于半导体封装领域,解决了现有大尺寸玻璃芯FCBGA基板在制造和使用过程中容易开裂及良率偏低等问题中的至少一个。一种嵌入玻璃芯板的大幅面FCBGA基板,...
  • 一种封装结构及其形成方法,结构包括:集成有光子器件的光子中介层,光子中介层的第一面具有光耦合区域;芯片,设置于第一面上且与光耦合区域间隔设置,芯片与光子中介层电连接;透光层,位于第一面的所述光耦合区域上;塑封层,位于所述光子中介层的第一面上...
  • 本申请提供一种芯片封装结构及射频前端模组,芯片封装结构包括基板、阻焊层、滤波器芯片、非滤波器芯片、支撑部、隔离层和塑封层,阻焊层形成有第一开窗和第二开窗;滤波器芯片通过第一开窗安装于基板上;非滤波器芯片通过第二开窗安装于基板上;滤波器芯片、...
  • 本申请公开一种封装器件。封装器件包括芯片以及封装层,封装层包覆芯片,且封装层的上表面生成有一强化层。所述封装层与所述强化层含有相同的元素,但所述封装层与所述强化层的元素组成比例不同。封装器件的制造方法包括设置芯片;生成封装层以包覆芯片;以及...
  • 本公开提供一种电子元件以及此电子元件的制造方法。此电子元件包括:一第一半导体芯片,被一第一封装剂所封装;一第二半导体芯片,被一第二封装剂及一第一中间结构所封装。该第二半导体芯片设置在该第一半导体芯片之上并且电性连接到该第一半导体芯片。该第一...
  • 本发明实施例公开了一种芯片封装结构、电子设备以及制备方法,芯片封装结构包括基板、设置在基板上表面的第一芯片和封装结构件,第一芯片的上表面设有导热填充层,封装结构件包括连接为一体的加固环和支撑结构,加固环围绕设置在第一芯片的外侧,支撑结构固定...
  • 本公开涉及RF半导体装置和其制造方法。本公开涉及一种射频(RF)装置,所述装置包含模制装置管芯和位于模制装置管芯之下的多层重新分布结构。模制装置管芯包含装置区域和第一模制化合物,所述装置区域具有后段制程(BEOL)部分和位于BEOL部分之上...
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