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最新专利技术
  • 包括散热结构的电子装置
    包括散热结构的电子装置_三星电子株式会社_202480036701.2
    根据本公开的一个实施方式的电子装置包括：壳体，其包括第一表面和背离第一表面的第二表面；支撑构件，其在第一表面和第二表面之间容纳在壳体中，支撑构件包括容纳凹陷或容纳孔以及安置凹陷，容纳凹陷或容纳孔形成在距两个面中的一个第一深度处，安置凹陷提供...
    2026-01-14
  • 用于机动车的电子构件的散热的装置和方法
    用于机动车的电子构件的散热的装置和方法_罗伯特·博世有限公司_202480038658.3
    本发明涉及一种用于机动车的电子构件(26)的散热的装置及方法，包括至少一个冷却器(12)，该冷却器具有至少一个连接面(16)，该连接面构造为，使得布置在印刷电路板(24)上的电子构件(26)能够通过连接面(16)散热；还包括至少一个壳体(1...
    2026-01-14
  • 用于电驱动车辆的高压电源箱
    用于电驱动车辆的高压电源箱_舍弗勒技术股份两合公司_202480040002.5
    本发明涉及一种用于电驱动车辆的高压电源箱(1)，所述高压电源箱具有壳体(2)，所述壳体具有布置在其中的DC‑DC转换器的部件(12、14)和车载充电器的部件(12、14)，其中，在所述壳体(2)中布置有液体冷却器(25)，所述液体冷却器具有...
    2026-01-14
  • 电子设备
    电子设备_松下汽车电子系统株式会社_202480039448.6
    电子设备(10)具备：壳体(11)；基板(12)，其配置于壳体(11)内，搭载有多个电路元件；以及屏蔽罩(15)，其设置于基板(12)上，由金属构成，多个电路元件中的需要电磁屏蔽的电路元件配置于基板(12)上的设置有屏蔽罩(15)的区域。例...
    2026-01-14
  • 供料器的动作管理装置及动作管理方法
    供料器的动作管理装置及动作管理方法_株式会社富士_202380099368.5
    动作管理装置具备：取得部，取得安设有供给元件的供料器的设备的种类；及模式设定部，基于所取得的设备的种类来设定供料器的动作模式，该动作模式包括能够执行元件的供给动作的通常模式和与通常模式相比降低了消耗电力的省电模式。
    2026-01-14
  • 维护计划制定方法、维护计划制定装置、程序以及维护方法
    维护计划制定方法、维护计划制定装置、程序以及维护方法_松下知识产权经营株式会社_202480038885.6
    在本发明的一个方式所涉及的维护计划制定方法中，获取与被分配有第1生产工序的第1安装线所装配的作业单元相关的信息(S10)，基于所获取的信息，判定是否有在第1生产工序结束后从第1安装线拆下的作业单元被装配到第2安装线上来进行的第2生产工序(S...
    2026-01-14
  • 元件安装机及控制方法
    元件安装机及控制方法_株式会社富士_202380098339.7
    元件安装机具备：取得部、元件供给装置及动作控制部。取得部针对被供给到元件供给装置的拾取位置的元件，从具有能够识别元件的元件识别信息的识别部件取得元件识别信息，上述元件供给装置供给向基板安装的元件。元件供给装置通知第一完成通知或第二完成通知，...
    2026-01-14
  • 元件安装机、图像处理方法及计算机程序
    元件安装机、图像处理方法及计算机程序_株式会社富士_202380099315.3
    元件安装机具备：元件保持部，保持元件；拍摄装置，能够从侧方拍摄由元件保持部保持的元件；以及图像处理装置，基于由拍摄装置拍摄的元件的图像，来取得由元件保持部保持的元件的姿态。元件具有：第一边，当向基板表面安装时，相对于基板表面而位于与基板表面...
    2026-01-14
  • 拾取支援装置及拾取支援方法
    拾取支援装置及拾取支援方法_株式会社富士_202380099357.7
    拾取支援装置具备轨道单元、腔室单元、拍摄部、更新部及判断部。拍摄部针对多个腔室中的至少一个即被确认为已由元件安装机拾取了元件的各个第一腔室，在推定为第一腔室中未收容元件的可拍摄期间对第一腔室进行拍摄。更新部针对各个第一腔室，使用由拍摄部对第...
    2026-01-14
  • 具有多厚度前势垒的GaN晶体管
    具有多厚度前势垒的GaN晶体管_宜普电源转换公司_202480038093.9
    一种氮化镓(GaN)晶体管，其包括多层/多厚度势垒层，该势垒层由栅极(22)和漏极(20)之间逐渐增加厚度的区段(40、42、44、46)形成，以逐渐增加从栅极到漏极的沟道中的2DEG密度。GaN栅极(26)可以形成在基部势垒层(16)上，...
    2026-01-14
  • 半导体装置以及电力转换装置
    半导体装置以及电力转换装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480039108.3
    半导体芯片(200)中，选择性的晶体缺陷区域(237)以包围有源区域(210)的方式设置在至少包含主接合区域(224)的漂移层(234)内，主接合区域(224)的晶体缺陷的密度比有源区域(210)的晶体缺陷的密度高，或者，在将半导体装置的表...
    2026-01-14
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202480029525.X
    提供一种半导体装置，抑制了耐压性能降低。具有：活性部(101)；终端区(102)，其在俯视观察时将活性部包围；第一导电型的漂移层(3)，其以遍及活性部及终端区的方式设置；第二导电型的基极区(5)，其设置在活性部的、漂移层的上表面侧；以及第二...
    2026-01-14
  • 金刚石半导体装置以及金刚石半导体装置的制造方法
    金刚石半导体装置以及金刚石半导体装置的制造方法_强力金刚石系统株式会社_202480030365.0
    提供一种在正面具有沟槽部的金刚石半导体装置，其具备金刚石层、设置在所述金刚石层上的金刚石外延层、设置在所述外延层的上方的正面侧绝缘膜、以及设置在所述正面侧绝缘膜上的正面侧电极，所述正面侧绝缘膜具有与所述沟槽部的沟槽侧壁相接并填充到所述沟槽部...
    2026-01-14
  • 晶体管及其制造方法、以及集成电路
    晶体管及其制造方法、以及集成电路_国立大学法人东北大学_202480037780.9
    一种晶体管，其具有极短长度的栅极和极薄的载流子传输层，具备：基板，其具有平坦的最上表面、与最上表面相交且从最上表面向下方延伸的垂直面、和与最上表面大致平行且与垂直面相交的下层面；导电薄膜，其与基板的最上表面相接而形成；绝缘膜，其以至少覆盖垂...
    2026-01-14
  • 集成电路及其制造方法
    集成电路及其制造方法_国立大学法人东北大学_202480037755.0
    提供适于在1THz以上的信号频带中使用的集成电路。集成电路具备基板和单晶的石墨烯层且一体地形成有短栅长晶体管和天线元件，所述基板至少最上表面为碳化硅的单晶，具有与最上表面相交且从最上表面向下方延伸的垂直面、和与最上表面大致平行且与垂直面相交...
    2026-01-14
  • 多芯片模块及其制造方法
    多芯片模块及其制造方法_因派科技术有限合伙公司_202480020652.3
    本文公开了一种多芯片模块，具有：包括热沉的开放/暴露/裸露的背侧，热沉被配置用于从多芯片模块散热；一个或多个电子部件；以及包括无芯中介物的正侧，无芯中介物包括：多个层，其中多个层中的每一层包括多个导电线/焊盘以及多个导电线/焊盘之间的一个或...
    2026-01-14
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202380099161.8
    半导体装置具备：半导体基板(1)；第一氧化膜(2)，其形成在半导体基板(1)的正面上；第一氧化膜(3)，其形成在第一氧化膜(2)的正面上；无源元件(10)，其形成在第一氧化膜(3)的内部；以及埋入半导体(21)～(23)，其埋入到无源元件(...
    2026-01-14
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社索思未来_202380099204.2
    一种半导体装置，在基板上形成：形成在比基板的上表面更为下方之处的第一电源线、第二电源线及第一控制线；第一晶体管，形成在所述下方之处，电设置在第一电源线和第二电源线之间，并具有与第一控制线电连接的栅极；抽头单元，具有半导体层和通孔，该半导体层...
    2026-01-14
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社村田制作所_202480037187.4
    半导体装置(1)具备：基板(10)；N个(其中，N是2以上的整数)第一电极(22)，设置在基板(10)上；第一介电膜(23)，设置在N个第一电极(22)上；M个(其中，M是满足M＞N的3以上的整数)第二电极(24)，经由第一介电膜(23)，...
    2026-01-14
  • 用于全环绕栅极器件的可变垂直堆叠纳米片
    用于全环绕栅极器件的可变垂直堆叠纳米片_高通股份有限公司_202480039598.7
    公开了形成在纳米片晶圆上的全环绕栅极(GAA)器件，该纳米片晶圆包括多个纳米片(NS)结构，该多个纳米片(NS)结构包括第一NS结构和第二NS结构。第一NS结构可以包括N个纳米片，其中N≥2。所有N个纳米片可用作第一NS结构中的沟道。第二N...
    2026-01-14
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