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最新专利技术
  • 组合电器内部绝缘件损伤程度动态评估方法及系统
    组合电器内部绝缘件损伤程度动态评估方法及系统_国网天津市电力公司电力科学研究院_202511750306.3
    本发明公开了组合电器内部绝缘件损伤程度动态评估方法及系统。系统包括能够在组合电器管道内移动的智能检测装置和外部信息分析终端；智能检测装置，包括装置架体以及安装在所述装置架体上的用于移动的轮式结构、路径辨识和定位模块、微观形貌、化学组分和电荷...
    2026-01-16
  • 一种10kV配电电缆的振荡波局部放电监测系统
    一种10kV配电电缆的振荡波局部放电监测系统_武汉船舶通信研究所(中国船舶集团有限公司第七二二研究所)_202511756460.1
    本申请属于放电监测领域，具体公开了一种10kV配电电缆的振荡波局部放电监测系统，包括：测控单元，生成阻尼振荡电压并采集局部放电信号；控制单元，与测控单元通信连接，控制系统操作、处理数据并生成报告；高压振荡模块包括高压直流电源、空心电感和半导...
    2026-01-16
  • 基于光学仿真与智能算法的变压器局部放电定位方法及其匹配系统
    基于光学仿真与智能算法的变压器局部放电定位方法及其匹配系统_上海交通大学_202511864301.3
    本发明公开了一种基于光学仿真与智能算法的变压器局部放电定位方法及系统，属于电力设备状态监测与故障诊断技术领域。方法包括：离线建立变压器三维光学仿真模型，通过光线追迹模拟不同放电源的光信号分布，构建光学指纹数据库；在线采集实际局放光信号并生成...
    2026-01-16
  • 判定柜内放电与站外噪声的方法、装置、设备及存储介质
    判定柜内放电与站外噪声的方法、装置、设备及存储介质_国网天津市电力公司电力科学研究院_202511882995.3
    本申请公开了一种判定柜内放电与站外噪声的方法、装置、设备及存储介质，涉及局部放电检测领域，该方法包括：获取柜内电流信号的标准波形和柜内电流信号的实时波形；基于所述标准波形，确定标准原始脉冲峰与标准反射脉冲峰之间的标准时间差；基于所述实时波形...
    2026-01-16
  • 一种弧判断电路及弧判断方法、灭弧方法
    一种弧判断电路及弧判断方法、灭弧方法_西安爱科赛博电气股份有限公司_202511516989.6
    本发明提供了一种弧判断电路及弧判断方法、灭弧方法，涉及溅射镀膜技术领域。弧判断电路包括依次通信连接的采样电路、比较电路和控制器；所述采样电路用于采集溅射镀膜设备的溅射电源输出的电信号；所述比较电路用于分别对所述电信号与不同电平基准信号进行比...
    2026-01-16
  • 一种变压器局部放电动态模拟电极及模拟试验装置
    一种变压器局部放电动态模拟电极及模拟试验装置_国家电网有限公司直流技术中心_202511644039.1
    本发明公开了一种变压器局部放电动态模拟电极及模拟试验装置，包括电极本体，其端部延伸形成锥刺部，锥刺部横截面尺寸从与电极本体的衔接处向着端部逐渐减小直至构成尖端；位于锥刺部处的电极本体密封套设有弧顶件，弧顶件与锥刺部外壁面之间构成密封的空腔，...
    2026-01-16
  • 一种塑封半导体元器件绝缘测试装置
    一种塑封半导体元器件绝缘测试装置_苏州擎工智能装备有限公司_202511511940.1
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种塑封半导体元器件绝缘测试装置，包括底座和转动安装在底座上的载物圆台，所述载物圆台上开设有工位，工位内设有用于承载半导体元器件的放置台以及转动安装在放置台上的定位角块，所述载物圆台内还设置有驱动放置台移动的...
    2026-01-16
  • 检测电路及检测方法、功率半导体开关器件
    检测电路及检测方法、功率半导体开关器件_无锡华润微电子有限公司_202410928606.5
    本发明公开了一种检测电路及检测方法、功率半导体开关器件，功率半导体开关器件包括主开关器件，主开关器件包括：第一通路端、第二通路端和第一通路开关控制端；检测电路包括：感应开关器件，感应开关器件与主开关器件设置于相同的衬底上；感应开关器件包括：...
    2026-01-16
  • 自动测试装置及其接口装置
    自动测试装置及其接口装置_株式会社爱德万测试_202510744629.5
    本发明提供一种即使在内部的空间有限的情况下也能够提高隔热性的接口装置及自动测试装置。接口装置(200)设置在测试头(130)与被测试器件(1)之间。接口装置(200)具备印制基板、前端模块(300)、连接构件(290)、框架、配管(500)...
    2026-01-16
  • 一种用于实时加电性能测试的限制型半导体器件及其制备方法
    一种用于实时加电性能测试的限制型半导体器件及其制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511294386.6
    本发明涉及一种用于实时加电性能测试的限制型半导体器件及其制备方法，包括支撑底座、底电极、半导体材料层、顶电极和介质层，所述底电极位于所述支撑底座上方；所述半导体材料层位于所述底电极上方；所述顶电极位于所述半导体材料层上方；在所述底电极、半导...
    2026-01-16
  • 半导体器件的可靠性筛选方法
    半导体器件的可靠性筛选方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511429844.2
    本发明提供了一种半导体器件的可靠性筛选方法，包括：提供半导体器件；在LDO输出的标准电压的基础上，降低LDO的输出电压，在标准时钟频率的基础上，降低时钟的频率，对弱擦的半导体器件依次进行擦除操作、写操作和读操作，筛选出不符合规格的半导体器件...
    2026-01-16
  • 一种界面态测试方法及可靠性测试方法
    一种界面态测试方法及可靠性测试方法_浙江大学_202511481191.2
    一种界面态测试方法及可靠性测试方法，属于功率器件测试技术领域，所述界面态测试方法，包括如下步骤：对待测器件的栅极按时序施加若干簇脉冲电压，获取每一簇脉冲对应的电荷泵电流；根据每一簇脉冲对应的电荷泵电流，获得待测器件的电荷泵曲线；根据待测器件...
    2026-01-16
  • 一种基于芯片非均匀性效应的筛选方法
    一种基于芯片非均匀性效应的筛选方法_安徽芯塔电子科技有限公司_202511497306.7
    本发明提供了一种基于芯片非均匀性效应的筛选方法，它包括以下步骤：获取晶圆探针测试数据，并建立与晶圆芯片空间分布对应的坐标系；对得到的晶圆探针测试数据进行环形分组统计，通过分析分组统计结果识别晶圆是否存在径向效应或边缘效应；若判定晶圆不存在径...
    2026-01-16
  • 一种半导体传感器故障检测保护电路及方法
    一种半导体传感器故障检测保护电路及方法_河南驰诚电气股份有限公司_202511501411.3
    本发明涉及气体检测技术领域，具体涉及一种半导体传感器故障检测保护电路及方法，其中，电路包括处理器、传感器、控制及采集模块以及电源模块，控制及采集模块包括加热极采集端、加热极控制端以及内部半导体采集端，加热极采集端与处理器电连接，用于向理器传...
    2026-01-16
  • 一种IGBT的在线状态监测方法、系统、设备及介质
    一种IGBT的在线状态监测方法、系统、设备及介质_西安邮电大学_202511521000.0
    本发明提供了一种IGBT的在线状态监测方法、系统、设备及介质，属于绝缘栅双极晶体管在线状态监测与寿命预测技术领域，该方法包括：首先从数据预处理后的IGBT电压、电流等信号中提取多种时域特征，并通过相关性分析和核主成分分析将其融合为一个综合健...
    2026-01-16
  • 一种融合低频噪声与电容特性的界面缺陷程度表征方法
    一种融合低频噪声与电容特性的界面缺陷程度表征方法_长春理工大学_202511599321.2
    一种融合低频噪声与电容特性的界面缺陷程度表征方法，涉及半导体器件检测技术领域，解决现有界面缺陷表征方法灵敏度不足、易受外部干扰等问题。该方法通过提取待测器件的界面缺陷相关的噪声特征参数，实现基于低频噪声的界面缺陷表征。同时，通过使用C‑V扫...
    2026-01-16
  • 开关模块测试系统、方法、车辆及存储介质
    开关模块测试系统、方法、车辆及存储介质_中国第一汽车股份有限公司_202511713986.1
    本申请公开了一种开关模块测试系统、方法、车辆及存储介质。其中，该系统包括：温控箱，用于模拟待测试开关模块所需的测试环境，待测试开关模块位于温控箱内；介质控制模块，与温控箱连接，用于向温控箱内输入不同类型的气体介质；工况控制模块，与温控箱连接...
    2026-01-16
  • 加速管全流程自动化可靠性测试系统及装置
    加速管全流程自动化可靠性测试系统及装置_北京华清加高能电子科技有限公司_202511720624.5
    本发明公开了加速管全流程自动化可靠性测试系统及装置，涉及高功率微波器件测试技术领域，具体包括以下模块：控制测试模块、硬件控制模块、采集处理模块、业务逻辑模块、数据持久模块、用户表现模块；编写并执行加速管的可靠性自动化测试脚本；接收并执行硬件...
    2026-01-16
  • 基于纳米探针测试分析的物理失效性分析方法
    基于纳米探针测试分析的物理失效性分析方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511768365.3
    本发明提供了一种基于纳米探针测试分析的物理失效性分析方法，适用于场效应管，包括：进行两遍纳米探针测试，每遍纳米探针测试包括两组或以上组的测试组；第一遍纳米探针测试中，一组测试组在栅极施加零电压，其余测试组在栅极全部施加负电压或全部施加正电压...
    2026-01-16
  • 基于导通压降和结壳热阻的压接式IGBT老化评估方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品
    基于导通压降和结壳热阻的压接式IGBT老化评估方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品_南方电网科学研究院有限责任公司_202511847876.4
    本申请提供了一种基于导通压降和结壳热阻的压接式IGBT老化评估方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。方法包括：通过导通压降测量电路获取压接式IGBT的导通压降数据；获取压接式IGBT的导通电流数据，基于导通电流数据和导通压降数据...
    2026-01-16
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