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最新专利技术
  • 光电半导体器件和制造光电半导体器件的方法
    光电半导体器件和制造光电半导体器件的方法_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480040726.X
    详细说明了一种光电半导体器件(1)，其具有：‑半导体芯片(2)，所述半导体芯片(2)在运行时从辐射出射表面(3)发射第一波长范围的电磁辐射；以及‑颜色设定结构(4)，所述颜色设定结构(4)包括基体材料(5)、转换元件(6)和滤光元件(7)，...
    2026-01-25
  • 包括可变波长LED的显示设备以及校准并驱动包括可变波长LED的显示设备的方法
    包括可变波长LED的显示设备以及校准并驱动包括可变波长LED的显示设备的方法_波拉科技有限公司_202480034462.7
    一种显示设备包括：可变波长LED，该可变波长LED为该设备的像素，或设备像素的多个子像素中的一者；以及吸收性彩色滤光片。该吸收性彩色滤光片定位于该可变波长LED与该显示设备的出口之间，使得由该可变波长LED发射的光在自该显示设备的该出口传出...
    2026-01-25
  • 显示装置及电子设备
    显示装置及电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480041866.9
    提供了一种能够抑制相邻像素之间的漏光的显示装置。该显示装置设置有：二维布置的多个发光元件；堆叠在多个发光元件上的多个层；以及分隔壁，在俯视时布置在相邻的发光元件之间并且横跨包括在多个层中的两个或更多个层形成。分隔壁的截面形状包括正锥形形状。
    2026-01-25
  • 反铁磁性体材料、磁性体及绝缘体的双层膜、隧穿磁阻元件及磁存储器
    反铁磁性体材料、磁性体及绝缘体的双层膜、隧穿磁阻元件及磁存储器_JSR株式会社_202480040351.7
    反铁磁性体材料具有六方晶的结晶结构，且具有包含Mn33A1‑x1‑xBxx(0
    2026-01-25
  • Si/SiGe EPI堆叠的减少的应变及停止层
    Si/SiGe EPI堆叠的减少的应变及停止层_应用材料公司_202480027240.2
    一种半导体装置及其制造方法。提供了一种基板。在基板的顶部上形成至少一个硅层。在至少一个硅层的顶部上形成至少一个硅锗层。至少一个硅锗层包括至少一种n型掺杂剂。形成具有至少一个硅层及至少一个硅锗层的半导体装置。
    2026-01-25
  • 等离子体处理装置和基片支承器
    等离子体处理装置和基片支承器_东京毅力科创株式会社_202580002559.4
    本发明的等离子体处理装置即使供给脉冲化的DC信号也抑制基座电位的变动。等离子体处理装置包括腔室、供给脉冲化的偏置DC信号的偏置电源、在腔室内支承基片和边缘环的基片支承器、以及电路径。基片支承器具有：由电介质形成的静电吸盘，其包括保持基片的第...
    2026-01-25
  • 用于与热管理集成的热平坦化器坯料
    用于与热管理集成的热平坦化器坯料_迈图高新材料石英公司_202480041959.1
    提供了热平坦化器坯料。热平坦化器坯料包括第一封装层、第二封装层和热扩散器层。第二封装层布置在第一封装层上方。热扩散器层夹在第一封装层与第二封装层之间。第一封装层和第二封装层中的每一个都具有不含热控制结构的基本平面的最外表面。
    2026-01-25
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