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最新专利技术
  • 密封系统以及用于密封真空系统中的开口的系统
    密封系统以及用于密封真空系统中的开口的系统_ASML荷兰有限公司_202480042394.9
    本发明提供一种密封系统。该系统包括真空室的至少一部分和印刷电路板，在该真空室中限定有开口。印刷电路板包括用于暴露于大气环境的第一部分、以及与第一部分相邻的用于暴露于真空环境的第二部分。第二部分被配置为至少部分地覆盖真空室中的开口。第一部分被...
    2026-01-29
  • 引导扩散装置支架及扩散装置保持的方法
    引导扩散装置支架及扩散装置保持的方法_恩特格里斯公司_202480041578.3
    在衬底容器的内部设置若干支架以接纳及保持扩散装置。所述支架包含具有第一内部截面区域的接纳器及具有第二内部截面区域的保持区，其中所述第一内部截面区域大于所述第二内部截面区域。所述支架可包含在所述支架的与所述第一接纳器相对的端上的第二接纳器，使...
    2026-01-29
  • 静电卡盘装置
    静电卡盘装置_住友大阪水泥股份有限公司_202480042282.3
    一种静电卡盘装置，其包括：静电卡盘部件，包含陶瓷材料作为材料；基座，包含金属基复合材料作为材料；及粘接层，将静电卡盘部件与基座粘接，粘接层包含树脂材料与导热性填料，陶瓷材料与金属基复合材料的热膨胀系数之差的绝对值为10ppm/K以下，粘接层...
    2026-01-29
  • 用于镀覆基板的镀膜机及相应方法
    用于镀覆基板的镀膜机及相应方法_布勒阿尔策瑙股份有限公司_202480041592.3
    本发明涉及一种用于镀覆基板(6)的镀膜机(1)，包括可抽真空的工艺腔室(2)、用于将基板(6)送入和送出工艺腔室(2)的闸阀装置(3)。本发明还具有安装在工艺腔室(2)中的基板支架(5)，为了利用镀覆装置(9)被镀覆材料施加到基板(6)上，...
    2026-01-29
  • 作业辅助方法以及作业辅助系统
    作业辅助方法以及作业辅助系统_株式会社斯库林集团_202480041978.4
    收集与基板处理装置的装置状态相关的信息，基于该状态信息判定基板处理装置内的对象部位是否危险。智能眼镜在包含被判定为危险的对象部位的空间重叠着色显示来进行显示。智能眼镜以与对象部位所属的危险等级相对应的显示色着色显示包含该对象部位的空间。在通...
    2026-01-29
  • 形成具有受控热膨胀系数的导电线的方法
    形成具有受控热膨胀系数的导电线的方法_因派科技术有限合伙公司_202480039328.6
    本发明公开了一种形成具有受控热膨胀系数(CTE)的导电线的方法，该方法包括：在基板表面上施加悬浮液，所述悬浮液包含溶剂和固体组分，所述固体组分包含至少两种类型的导电纳米粒子的混合物；烧结所述悬浮液以形成所述导电线；以及去除所述悬浮液的未烧结...
    2026-01-29
  • 具有后侧功率递送网络的嵌入式小芯片
    具有后侧功率递送网络的嵌入式小芯片_美商艾德亚半导体接合科技有限公司_202480040961.7
    一种组装件，可以包括基础元件，该基础元件包括：基础衬底，该基础衬底具有带有源电路装置的前侧和与前侧相对的后侧；第一接合层，该第一接合层被设置在基础衬底的前侧上，并且包括将电信号传送到有源电路装置的信号焊盘。该组装件还可以包括第一功能性元件，...
    2026-01-29
  • 用于低温混合接合的方法和结构
    用于低温混合接合的方法和结构_艾德亚半导体接合科技有限公司_202480042039.1
    一种半导体元件在混合接合表面的导电特征之上提供有微结构金属层。微结构金属层包括细金属晶粒微结构，诸如纳米晶粒。通过提供金属氧化物并且将金属氧化物还原为金属，可以在导电特征之上形成微结构金属层。如果金属氧化物是通过氧化形成的，则可以选择性地形...
    2026-01-29
  • 作为嵌入式管芯附连的表面终饰的化学镍-化学钯-浸金(ENEPIG)
    作为嵌入式管芯附连的表面终饰的化学镍-化学钯-浸金(ENEPIG)_英特尔公司_202480042366.7
    在本文中的实施例中，表面终饰(SF)在封装衬底的导电触点上被形成，以用于到嵌入式互连桥接器电路模块管芯的连接。在一些实施例中，SF可以是化学镀镍化学镀钯浸金(ENEPIG)。在其他实施例中，SF可以是浸金化学镀钯浸金(IGEPIG)。在其他...
    2026-01-29
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_索尼半导体解决方案公司_202480041755.8
    [问题]本发明提供能够适当地抑制裂纹的扩展的半导体装置及制造半导体装置的方法。[解决方案]半导体装置包括第一基板和设置在所述第一基板上的绝缘膜，其中，所述绝缘膜包括设置在不同高度处的多个空洞，并且所述多个空洞以阶梯状的方式布置。
    2026-01-29
  • 电力半导体装置
    电力半导体装置_三菱电机株式会社_202380099901.8
    电力半导体装置(100)具有：框体(1)，其具有风路(10)；散热器(2)，其在多个鳍片(21)配置于风路(10)的状态下由框体(1)保持；以及多个功率模块(3)。在散热器基座(20)的另一个面形成有凹凸面(20a)。功率模块(3)具有与散...
    2026-01-29
  • 冷却组件
    冷却组件_埃尔温夸德系统技术有限责任公司_202480034428.X
    本发明涉及一种用于从待冷却物体散发热的冷却组件，该冷却组件包括一个或多个冷却区域(16)，每个冷却区域(16)具有作为冷却组件的散热器的组件的散热器结构(15)，尤其是散热片或散热针结构，该散热器结构(15)尤其包括以等间距隔开的散热片或散...
    2026-01-29
  • 用于先进装置封装的整合式冷却组件及其制造方法
    用于先进装置封装的整合式冷却组件及其制造方法_艾德亚半导体接合科技有限公司_202480041620.1
    一种装置封装包括整合式冷却组件。所述整合式冷却组件包括半导体装置以及附接至所述半导体装置的冷板。所述冷板包括顶端部分以及水平相邻所述顶端部分的底部部分。所述顶端部分包括上方凹处分隔器，其向下延伸以定义上方凹处容积。所述底部部分包括下方凹处分...
    2026-01-29
  • 包含信号再分布的整合式冷却组件及其制造方法
    包含信号再分布的整合式冷却组件及其制造方法_艾德亚半导体接合科技有限公司_202480042062.0
    本揭露内容提供包含整合式冷却组件的整合式冷却系统。所述整合式冷却组件包含半导体装置，其具有主动侧以及和所述主动侧相反的背侧。所述整合式冷却组件包含多个堆叠且接合的层，其全体构成冷板，所述冷板包括(i)第一侧以及和所述第一侧相反的第二侧，所述...
    2026-01-29
  • RF放大器封装及其制造方法
    RF放大器封装及其制造方法_沃孚半导体公司_202480039330.3
    一种晶体管器件封装包括部件组件，所述部件组件包括互连结构、晶体管管芯以及一个或多个通过互连结构电耦合到栅极端子、漏极端子和/或源极端子的无源电气部件，所述晶体管管芯具有包括位于互连结构的第一表面上的栅极端子、漏极端子和源极端子的前表面。导热...
    2026-01-29
  • 具有嵌入式对准标记的混合接合
    具有嵌入式对准标记的混合接合_英特尔公司_202480041948.3
    在将集成电路管芯附接到载体晶元之前，在载体晶元上产生对准标记。在将集成电路管芯附接到载体晶元期间，对准标记可用于使集成电路管芯与载体晶元对准。可以从附接到载体晶元的集成电路管芯产生重构晶元，并且对准标记是重构晶元的一部分。对准标记还可以用于...
    2026-01-29
  • 包括被配置用于电力布线的侧壁互连件的封装件
    包括被配置用于电力布线的侧壁互连件的封装件_高通股份有限公司_202480038176.8
    一种包括封装件的设备。该封装件包括：封装基板；第一集成器件，该第一集成器件通过第一多个凸块互连件耦合到该封装基板；包封层，该包封层至少部分地包封该第一集成器件；多个柱互连件，该多个柱互连件位于该包封层中；金属化部分，该金属化部分耦合到该多个...
    2026-01-29
  • 布线器件以及布线器件的制造方法、和再布线层
    布线器件以及布线器件的制造方法、和再布线层_大日本印刷株式会社_202480040294.2
    布线器件具备：第一有机层，位于第一上表面以及第一上表面的相反侧的包括第一下表面；和多个第一布线，位于第一上表面。第一有机层包含在两个第一布线之间位于第一上表面的第一凹部。
    2026-01-29
  • 放置在基板的芯上的电子组件
    放置在基板的芯上的电子组件_高通股份有限公司_202480027405.6
    在一方面中，一种基板，包括：芯，该芯包括芯电介质和该芯电介质的第一表面上的第一导电图案；以及第一金属化结构，第一金属化结构在该芯电介质的第一表面之上。第一金属化结构包括第一电介质，并且第一电介质具有形成在其中的第一开口。基板进一步包括：第一...
    2026-01-29
  • 用于功率分配的重掺杂半导体器件
    用于功率分配的重掺杂半导体器件_艾德亚半导体接合科技有限公司_202480042032.X
    一种器件，包括第一集成器件管芯和半导体器件。第一集成器件管芯可以包括管芯绝缘层和至少部分地嵌入该管芯绝缘层中的管芯导电特征。半导体器件可以包括在第一表面上的第一绝缘层、至少部分地嵌入该第一绝缘层中的器件导电特征以及电连接到该器件导电特征的第...
    2026-01-29
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