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最新专利技术
  • 用于波束管理和传输增强的侧行链路通信方法
    用于波束管理和传输增强的侧行链路通信方法_联发科技(新加坡)私人有限公司_202480049920.4
    本发明描述了在侧行链路(SL)通信中进行波束管理和传输增强的各种解决方案。设备可以通过在一个或多个逻辑波束或空间波束上发送发现信令，启动与对等设备的SL通信的初始波束配对(IBP)进程。该一个或多个逻辑波束与该一个或多个空间波束相关联。然后...
    2026-03-05
  • 通信控制设备、通信控制方法和计算机程序
    通信控制设备、通信控制方法和计算机程序_索尼集团公司_202480048784.7
    [问题]通过适当地设定用于发送数据的优先时段而实现低功率消耗。[解决方案]根据本公开内容的通信控制设备包括控制单元，所述控制单元控制与无线通信设备进行通信的通信单元。所述控制单元实施以下控制：通过通信单元获取从无线通信设备发送的第一信息，所...
    2026-03-05
  • 一种信道接入方法、装置、终端、芯片和存储介质
    一种信道接入方法、装置、终端、芯片和存储介质_OPPO广东移动通信有限公司_202380100409.8
    本申请实施例提供一种信道接入方法，该方法包括：在一组信道中的至少一个第一信道上执行类型2的信道接入，在至少一个第一信道上执行类型2的信道接入得到的信道接入结果，用于确定至少一个第一信道是否可用于在第一时隙发送侧行链路同步信号块S‑SSB；其...
    2026-03-05
  • 用于无线通信系统中分布单元之间通信的电子设备和方法
    用于无线通信系统中分布单元之间通信的电子设备和方法_三星电子株式会社_202480047614.7
    根据实施例，提供了第一分布单元(DU)的电子设备。所述电子设备可以包括存储器、至少一个收发器以及耦合到所述存储器和所述至少一个收发器的至少一个处理器。所述至少一个处理器可以被配置为通过第一DU和第二DU之间的通信接口向第二DU发送建立请求消...
    2026-03-05
  • 用于在无线通信系统中控制5G NSA能力的方法和装置
    用于在无线通信系统中控制5G NSA能力的方法和装置_三星电子株式会社_202480049623.X
    本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。根据本公开的各种实施例，提供了一种无线通信系统中的包括多个SIM的终端的方法，该方法包括：基于用于终端的当前通信服务的SIM的类型，确定是否启用终端的双连接特征；以及向基站发送关于是否...
    2026-03-05
  • 通信连接的方法及终端设备
    通信连接的方法及终端设备_荣耀终端股份有限公司_202480043543.3
    本申请提供了一种通信连接的方法及终端设备，属于手机设备通信领域。该方法包括：当存在Wi‑Fi断连事件时，获取Wi‑Fi断连事件对应的断连原因值，该断连原因值用于指示Wi‑Fi连接断开的原因，Wi‑Fi断连事件为第一AP与终端设备之间的Wi‑...
    2026-03-05
  • 电加热部
    电加热部_韦巴斯托股份公司_202480049811.2
    一种电加热部(100)包括：导通电压电位(HV+)的第一附接端以及导通基准电位(HV‑)的第二附接端；和至少两个支路(10、20、30)，所述支路彼此并联地连接到所述第一附接端与所述第二附接端之间。在所述支路(10、20、30)中的每个支路...
    2026-03-05
  • 电加热装置和用于制造电加热装置的方法
    电加热装置和用于制造电加热装置的方法_韦巴斯托股份公司_202480049813.1
    本发明涉及一种电加热装置(10)、尤其是车辆电加热部，所述电加热装置包括：‑ 加热导体层(14)，所述加热导体层与换热器(12)处于热作用连接，‑ 第一附接部位(16)和至少一个第二电附接部位(18)，其中，所述第一附接部位和至少一个第二电...
    2026-03-05
  • 照明装置及控制方法
    照明装置及控制方法_松下知识产权经营株式会社_202480048653.9
    照明装置(100)具备：光源(110)，具有呈阵列状排列配置的多个发光元件(111)；投射透镜(120)，投射光源(110)发出的光；取得部(130)，取得输入数据；控制部(140)，单独地控制向多个发光元件(111)中的每一个发光元件供给...
    2026-03-05
  • 用于打印部件的互连电路
    用于打印部件的互连电路_惠普发展公司, 有限责任合伙企业_202380100160.0
    互连电路可以包括：第一部分，该第一部分包括用于连接到主机控制器的电互连焊盘阵列，该电互连焊盘阵列包括在该第一部分的第一侧向侧上的第一电互连焊盘以及在该第一部分的第二侧向侧上的第二电互连焊盘；与该第一部分分开的第二部分，该第二部分包括用于连接...
    2026-03-05
  • 防振装置及散装供料器
    防振装置及散装供料器_株式会社富士_202380100859.7
    防振装置应用于安设于元件安装机并供给元件的散装供料器，散装供料器具备对构成部件赋予振动的加振装置，防振装置设于元件安装机或散装供料器，使通过加振装置的动作而产生的振动在散装供料器与安设于元件安装机的其他设备之间衰减。
    2026-03-05
  • 存储器单元选择晶体管的掺杂技术
    存储器单元选择晶体管的掺杂技术_美光科技公司_202480048642.0
    描述用于掺杂存储器单元选择晶体管的方法、系统及装置。存储器单元阵列的单元选择晶体管可各自包含在沟道的中间部分处掺杂的半导体沟道，其可支持用于相对高沟道电阻的取消选择电压，所述电压比其它晶体管配置相对更接近或等于接地电压。所述半导体沟道可包含...
    2026-03-05
  • 在集成电路部件封装中利用相对管芯表面的管芯到管芯输入/输出信号布线
    在集成电路部件封装中利用相对管芯表面的管芯到管芯输入/输出信号布线_英特尔公司_202480042786.5
    在包括异构且垂直堆叠的管芯的集成电路部件中，从一个集成电路管芯到其他集成电路管芯的输入/输出(I/O)布线被制成从集成电路管芯的顶表面和底表面到其他管芯。从管芯到横向相邻管芯的管芯到管芯I/O布线是从管芯的顶表面经由一个或多个再分布层制成的...
    2026-03-05
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202480048650.5
    基极层(12)是离子注入层，第二基极层(12b)在发射极区域(17)与势垒区域(16)之间的、与发射极区域(17)的边界及与势垒区域(16)的边界不同的深度具有杂质浓度为最大的峰值位置(P2)，在FWD区域(2)的第二基极层(12b)的表层...
    2026-03-05
  • 碳化硅半导体装置及其制造方法
    碳化硅半导体装置及其制造方法_株式会社电装_202480048649.2
    第一杂质区域(14)是离子注入层，第二杂质区域(15)是包含第一导电型的杂质的作为离子注入层的翻转层，通过使第二导电型的杂质浓度高于第一导电型的杂质浓度而成为第二导电型，以沿着第一杂质区域(14)与电极(20)之间的界面的面为基准面，在相对...
    2026-03-05
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480046805.1
    提供一种工作速度快的半导体装置。该半导体装置包括氧化物半导体、第一及第二绝缘体以及第一至第三导电体，氧化物半导体配置在衬底上，第一导电体及第二导电体配置在氧化物半导体上，第一绝缘体配置在第一导电体及第二导电体上并包括重叠于第一导电体与第二导...
    2026-03-05
  • 加工金属氧化物层界面以改善电子器件稳定性
    加工金属氧化物层界面以改善电子器件稳定性_应用材料公司_202480049075.0
    本文所述的实施例涉及加工金属氧化物层界面以改善电子器件稳定性。例如，晶体管器件可以包括基底结构和设置在基底结构上的金属氧化物层。金属氧化物层包括至少一个区域，该区域具有关于氧气(O22)组成的梯度剖面。
    2026-03-05
  • 碳化硅半导体晶片、碳化硅半导体装置以及碳化硅单晶的制造方法
    碳化硅半导体晶片、碳化硅半导体装置以及碳化硅单晶的制造方法_株式会社电装_202480047900.3
    本发明在构成由掺杂有n型杂质的n型SiC构成的SiC基板(11)的SiC晶片中，使SiC基板(11)包含B，使SiC基板(11)内的B浓度为9.0×101616/cm33以上。
    2026-03-05
  • CFET器件和制造CFET器件的方法
    CFET器件和制造CFET器件的方法_华为技术有限公司_202480048590.7
    本公开涉及一种互补场效应晶体管(CFET)器件(1)和一种制造CFET器件(1)的方法。CFET器件(1)包括底部晶体管结构(10)，布置在CFET器件(1)的底层中，底部晶体管结构(10)包括：至少一个底部沟道(11)；底部栅极(12)，...
    2026-03-05
  • 光检测器和电子设备
    光检测器和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480049574.X
    提供了一种光检测器。根据本公开的实施方案的光检测器包括：半导体层；包括第一像素的多个像素，所述第一像素包括设置在所述半导体层中的光电转换元件；和沟槽，其在所述半导体层中设置在彼此相邻的所述多个像素之间。所述第一像素包括：晶体管，其设置在所述...
    2026-03-05
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