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最新专利技术
  • 光检测器和电子设备
    光检测器和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480049574.X
    提供了一种光检测器。根据本公开的实施方案的光检测器包括：半导体层；包括第一像素的多个像素，所述第一像素包括设置在所述半导体层中的光电转换元件；和沟槽，其在所述半导体层中设置在彼此相邻的所述多个像素之间。所述第一像素包括：晶体管，其设置在所述...
    2026-03-05
  • 光检测装置及电子设备
    光检测装置及电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480049650.7
    根据本公开的一个实施方式的光检测装置包括：半导体层；多个像素，包括第一像素，该第一像素包括设置在半导体层中的光电转换元件；以及沟槽，设置在半导体层中多个像素中的相邻像素之间。第一像素包括：晶体管，设置在半导体层的第一表面侧；第一导电类型的第...
    2026-03-05
  • 焊接装置以及方法
    焊接装置以及方法_韩华思路信株式会社_202480048926.X
    提供一种焊接装置。根据本发明的一方面的焊接装置可以包括：焊接单元，能够将与第一电池片电连接的第一导线的第一部分以及位于第二电池片的一表面上的第二导线的第二部分焊接(soldering)到所述第二电池片的所述一表面；移动单元，能够将所述焊接单...
    2026-03-05
  • 太阳能电池的改进的前表面抗反射涂层
    太阳能电池的改进的前表面抗反射涂层_迈可晟太阳能有限公司_202480049101.X
    公开了一种太阳能电池。太阳能电池包括基板和位于基板上的抗反射涂层。抗反射涂层包括位于基板上的包含SiNxx的涂层、位于包含SiNxx的涂层上的包含TiO22的高折射率涂层和位于包含TiO22的涂层上的涂层。
    2026-03-05
  • LED以及LED的制造方法
    LED以及LED的制造方法_国立研究开发法人理化学研究所_202480049354.7
    本发明提供一种LED，具有量子阱构造，该LED具有：量子阱层，具有AlaaGa1‑a1‑aN(0＜a＜1)的组成；以及高能级层，具有AlbbGa1‑b1‑bN(a＜b≤1)的组成，与量子阱层相邻接，能级比量子阱层高，a以及b之差即ΔX与量子...
    2026-03-05
  • LED封装装置中的锚定式光混合结构以及相关方法
    LED封装装置中的锚定式光混合结构以及相关方法_科锐LED公司_202480049108.1
    公开了一种发光二极管(LED)封装装置，并且更具体地，公开了LED封装装置中的锚定式光混合结构，还公开了一种相关方法。LED封装装置包括一个或多个LED芯片和集成式光混合结构，诸如集光器，光混合结构布置在LED芯片之上，以用于改变远场图案。...
    2026-03-05
  • 发光设备及电子装置
    发光设备及电子装置_索尼集团公司_202480048808.9
    作为例子提供了一种能够高效地散热的发光设备。发光设备包括：驱动板，所述驱动板在第一表面侧设置有多个发光元件并驱动发光元件；导热部分，所述导热部分设置在驱动板的与第一表面相对的第二表面上；布线板，所述布线板连接到驱动板；以及加强构件，所述加强...
    2026-03-05
  • 发电模块及发电模块的制造方法
    发电模块及发电模块的制造方法_松下知识产权经营株式会社_202480047317.2
    本公开提供一种能够应用于建材一体型太阳能电池的发电模块。本公开的发电模块是具备多个子模块(101、102、103)的发电模块，多个子模块(101、102、103)包含在平面视时相互相邻地配置的第一子模块(101)以及第二子模块(102)，多...
    2026-03-05
  • 有机电子器件
    有机电子器件_默克专利有限公司_202480049175.3
    本发明涉及一种有机电子器件，特别是有机发光器件，所述有机电子器件含有有机层，所述有机层含有作为OLED材料的式(1)的化合物和作为OLED材料的式(2)的第二化合物，并且本发明涉及含有式(1)和(2)的化合物的混合物或制剂，其中式(1)的化...
    2026-03-05
  • 形成膜的方法
    形成膜的方法_周星工程股份有限公司_202480049330.1
    本公开涉及一种在基板上形成膜的方法，并且涉及一种膜形成方法，包括：制备形成有金属膜、金属氧化物膜、硅氮化物(SiN)膜和硅氧化物(SiO)膜中的一层或两层以上的下部膜的该基板的步骤、将含镓(Ga)源气体喷射至该基板上的步骤，以及在300℃至...
    2026-03-05
  • 整合的等离子体清洁和介电质钝化沉积工艺
    整合的等离子体清洁和介电质钝化沉积工艺_应用材料公司_202480047919.8
    示例性半导体处理方法可包括对容纳在第一半导体处理腔室的第一处理区域内的基板执行处置操作。该方法可包括向第一半导体处理腔室的第一处理区域提供含氮前驱物。该方法可包括形成含氮前驱物的等离子体流出物。该方法可包括使基板与含氮前驱物的等离子体流出物...
    2026-03-05
  • 基片处理装置
    基片处理装置_东京毅力科创株式会社_202480049497.8
    本发明的一个例示的实施方式中，提供一种基片处理装置。基片处理装置包括第一腔室和第二腔室。第二腔室具有：流通空间，其形成于构成第二腔室的壁体的内部，使气体沿着壁体的延伸方向流通；供给口，其与流通空间连通，用于供给气体；和排气孔，其与流通空间连...
    2026-03-05
  • 蚀刻方法及等离子体处理装置
    蚀刻方法及等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480049312.3
    本发明的示例性实施方式所涉及的蚀刻方法包括：(a)通过包含硅的喷淋头的气体导入口向腔体内供给成膜气体、在气体导入口的内壁形成保护膜的工序；及(b)通过形成有保护膜的气体导入口向腔体内供给蚀刻气体、通过由蚀刻气体生成的等离子体对腔体内的基板进...
    2026-03-05
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202480047146.3
    基板处理方法包括以下处理：利用调液部制备包含氢氟酸、硝酸以及磷酸的水溶液；从所述调液部向处理部供给所述水溶液；通过利用所述处理部对基板供给所述水溶液来对所述基板进行蚀刻；以及将供给到所述基板的所述水溶液从所述处理部送回到所述调液部。所述基板...
    2026-03-05
  • 具有侧壁凹槽的半导体器件
    具有侧壁凹槽的半导体器件_半导体元件工业有限责任公司_202480048783.2
    一种半导体器件(250)的具体实施可包括具有第一周长(P260260)的第一表面(265)；和与该第一表面(265)相对的第二表面(262)，该第二表面(262)具有第二周长(P262262)，该第一周长(P260260)大于该第二周长(P...
    2026-03-05
  • 用于半导体制造的分析均匀性的方法和相关设备和系统
    用于半导体制造的分析均匀性的方法和相关设备和系统_应用材料公司_202480048444.4
    本公开内容涉及用于半导体制造的分析基板处理的均匀性的方法及相关设备和系统。在一个或多个实施例中，指示不均匀性，并且该不均匀性是温度不均匀性和/或物理不均匀性。在一个或多个实施例中，接受或拒绝信号轮廓。在一个或多个实施例中，一种适用于半导体制...
    2026-03-05
  • 对准装置、成膜装置、对准方法及成膜方法
    对准装置、成膜装置、对准方法及成膜方法_佳能特机株式会社_202480049239.X
    本发明提供一种能够提高对准精度的对准装置、成膜装置、对准方法及成膜方法。该对准装置具备：基板Z致动器250，其使基板10与掩模220接近或分离；XYθ致动器290，其调整基板10与掩模220之间的相对位置；控制部270，其对它们进行控制；以...
    2026-03-05
  • 用于微电子应用的钻石衬底或III-V族材料衬底的制造方法
    用于微电子应用的钻石衬底或III-V族材料衬底的制造方法_索泰克公司_202480049334.X
    本发明涉及一种用于微电子应用的钻石衬底或III‑V族材料衬底的制造方法，该方法包括：将单晶钻石或单晶III‑V族材料的多个块体(20)键合到支撑衬底(1)上，每个块体与相邻块体间隔开，从而暴露每个块体的横向表面(S2)；从每个块体的横向表面...
    2026-03-05
  • 由多晶碳化硅制成的可分离半导体衬底
    由多晶碳化硅制成的可分离半导体衬底_SOITEC公司_202480049550.4
    本发明涉及用于制造半导体衬底的中间衬底(10)，所述中间衬底依次包括：a.第一半导体层(2)；b.第一热障层(5)；c.支撑体(13)，其包括吸收层(3)和分离区(8)，所述吸收层配置为吸收给定的波长范围内的激光辐射，吸收层(3)的温度随着...
    2026-03-05
  • 半导体器件、芯片及电子设备
    半导体器件、芯片及电子设备_华为技术有限公司_202380100406.4
    本申请实施方式提供一种半导体器件、芯片及电子设备。半导体器件包括：衬底；设置于衬底上的介质层；凹槽，凹槽的至少部分处于介质层中；凹槽中设置有依次层叠设置的第一金属层、介电材料和第二金属层，第一金属层和第二金属层通过介电材料隔离，第一金属层至...
    2026-03-05
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