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最新专利技术
  • 一种激光模组及其制备方法
    一种激光模组及其制备方法_苏州知行半导体科技有限公司_202511879533.6
    本申请公开一种激光模组及其制备方法，涉及传感器技术领域。该激光模组的制备方法，包括：提供基板、发光件以及镜头，其中基板、发光件以及镜头上均设置有位置标识；根据位置标识将发光件贴装在基板的第一表面上；镜头包括镜组以及固定镜组的支架，根据位置标...
    2026-03-22
  • 一种用于卫星激光终端的激光器散热结构与方法
    一种用于卫星激光终端的激光器散热结构与方法_上光通信技术(上海)有限公司_202511747163.0
    本发明公开了一种用于卫星激光终端的激光器散热结构与方法，涉及激光器散热结构领域，解决了现有激光器热量散发的问题，消除激光器产生的热量对基板的影响，使光学性能更加稳定，使激光器性能更加稳定，包括框架、安装座、激光单元和散热机构，激光单元包括发...
    2026-03-22
  • 一种基于尾纤直接泵浦的外腔半导体激光器封装结构
    一种基于尾纤直接泵浦的外腔半导体激光器封装结构_重庆师范大学_202511817242.4
    本发明提供一种基于尾纤直接泵浦的外腔半导体激光器封装结构，包括：泵浦尾纤、导热热沉、透明热沉、增益芯片和外腔输出镜；所述泵浦尾纤穿入导热热沉与所述透明热沉表面接触，并与所述透明热沉固定，用于输出泵浦光；所述导热热沉设置有精密光纤导入孔，用于...
    2026-03-22
  • 一种基于石英基准骨架的外腔单频VECSEL结构
    一种基于石英基准骨架的外腔单频VECSEL结构_重庆师范大学_202511817308.X
    本发明提供一种基于石英基准骨架的外腔单频VECSEL结构，包括：泵浦模块、增益芯片、输出镜及石英基准骨架；所述泵浦模块与所述石英基准骨架采用统一光学接口，用于输出泵浦光至所述增益芯片的有源区；所述增益芯片键合在导热热沉后安装于铜热沉上，所述...
    2026-03-22
  • 一种高效半导体激光泵浦模块
    一种高效半导体激光泵浦模块_山东华光光电子股份有限公司_202511818580.X
    本申请提供的一种高效半导体激光泵浦模块涉及半导体激光器技术领域。该模块包括液冷散热器和巴条部装，液冷散热器内沿远离安装面的方向依次设置有第一腔室和第二腔室，第一腔室和第二腔室之间的间隔壁上设置有多个射流孔。液冷散热器的上端部设置有与第二腔室...
    2026-03-22
  • 一种VCSEL晶圆异构集成系统芯片及其制造方法
    一种VCSEL晶圆异构集成系统芯片及其制造方法_上海曜感科技有限公司_202512009448.0
    本发明公开了一种VCSEL晶圆异构集成系统芯片及其制造方法，包括：母芯晶圆和倒扣在母芯晶圆上的VCSEL芯粒，VCSEL芯粒的顶面键合在母芯晶圆的上表面，顶电极和互连电极垂直对应互连；其中，VCSEL芯粒顶面设置有透光区和顶电极；底面设置有...
    2026-03-22
  • 一种激光器芯片低损耗波导的刻蚀控制方法及相关设备
    一种激光器芯片低损耗波导的刻蚀控制方法及相关设备_桂林雷光科技有限公司_202511792471.5
    本发明提供一种激光器芯片低损耗波导的刻蚀控制方法及相关设备，该方法包括：通过刻蚀在半导体衬底上同步形成主波导脊和不同宽度的监测脊，监测脊包括窄宽度监测脊和宽宽度监测脊；在刻蚀过程中对监测脊施加光激发采集散射光强信号，将窄宽度与宽宽度监测脊的...
    2026-03-22
  • 一种基于饱和吸收谱和PSD反馈的光路调整方法及装置
    一种基于饱和吸收谱和PSD反馈的光路调整方法及装置_谱线光电科技(武汉)有限公司_202511691111.6
    本发明提出的一种基于饱和吸收谱和PSD反馈的光路调整方法，该方法在小型化集成的饱和吸收谱稳频的半导体激光器中通过PSD位置探测器接收探测光信号，通过上位机下发扫描信号指令，此时探测光信号会出现饱和吸收峰，上位机接收到吸收峰信号后，调节电压大...
    2026-03-22
  • 一种基于二维钙钛矿材料的波长可调Tamm激光器及其制备方法
    一种基于二维钙钛矿材料的波长可调Tamm激光器及其制备方法_江苏科技大学_202511854922.3
    本发明公开了一种基于二维钙钛矿材料的波长可调Tamm激光器及其制备方法，所述激光器从下到上依次包括基底、由二氧化钛和二氧化硅交替构成的DBR反射层、二维钙钛矿吸收层和银反射层，底层二氧化硅层与基底接触，顶层二氧化钛层与二维钙钛矿吸收层接触，...
    2026-03-22
  • 一种垂直腔面发射激光器结构及其制备方法
    一种垂直腔面发射激光器结构及其制备方法_鲁东大学_202511937446.1
    本发明公开了一种垂直腔面发射激光器结构及其制备方法，涉及半导体光电子器件技术领域，该垂直腔面发射激光器包括衬底、第一分布式布拉格反射镜、n型层、多量子阱层、电子阻挡层、p型层、n型半导体限制层、绝缘电流限制层、电流扩展层，第二分布式布拉格反...
    2026-03-22
  • 一种垂直腔面发射激光器结构及其制备方法
    一种垂直腔面发射激光器结构及其制备方法_鲁东大学_202511937455.0
    本发明公开了一种垂直腔面发射激光器结构及其制备方法，涉及半导体光电子器件技术领域，该垂直腔面发射激光器包括衬底、第一分布式布拉格反射镜、n型层、多量子阱层、电子阻挡层、p型层、组分渐变的n型半导体电流限制层、绝缘电流限制层、电流扩展层、第二...
    2026-03-22
  • P型布拉格反射层的外延生长方法、垂直腔面发射激光器及其外延生长方法
    P型布拉格反射层的外延生长方法、垂直腔面发射激光器及其外延生长方法_全磊光电股份有限公司_202610149637.X
    本发明属于半导体光电器件制造技术领域，具体涉及P型布拉格反射层的外延生长方法、垂直腔面发射激光器及其外延生长方法。本发明提供的P型布拉格反射层采用金属有机化合物化学气相沉积‑原位反射监测的方法生长，包括层叠设置的多层单元结构，每1层单元结构...
    2026-03-22
  • 一种具有折射率调制结构的高功率低发散角915nm半导体激光器外延片及其制备方法
    一种具有折射率调制结构的高功率低发散角915nm半导体激光器外延片及其制备方法_山东华光光电子股份有限公司_202511721546.0
    本发明提供了一种具有折射率调制结构的高功率低发散角915nm半导体激光器外延片及其制备方法。该激光器外延片包括：衬底、缓冲层、N限制层、N无源波导层、N反波导层、N有源波导层、Alx5Ga1‑x5As势垒层、量子阱层、Alx8Ga1‑x8A...
    2026-03-22
  • 一种具有高阶横向模式损耗的高功率半导体激光器及其制备工艺
    一种具有高阶横向模式损耗的高功率半导体激光器及其制备工艺_江苏长光时空光电技术有限公司_202511751111.0
    本发明提供一种具有高阶横向模式损耗的高功率半导体激光器及其制备工艺，属于半导体激光器技术领域，包括自下而上的底部电极层、衬底层、下覆盖层、下波导层、有源层、上波导层、上覆盖层、绝缘层、接触层和顶部电极层；所述下覆盖层、下波导层、有源层、上波...
    2026-03-22
  • 一种高分辨率双光束基横模半导体激光器芯片
    一种高分辨率双光束基横模半导体激光器芯片_山东华光光电子股份有限公司_202511752132.4
    本申请提供的一种高分辨率双光束基横模半导体激光器芯片涉及半导体激光器技术领域。一种高分辨率双光束基横模半导体激光器芯片包括芯片本体，芯片本体的上侧通过一次刻蚀形成第一脊条式波导和第二脊条式波导。第一脊条式波导和第二脊条式波导沿出光方向均依次...
    2026-03-22
  • 一种基于薄膜铌酸锂的片上纠缠光子源
    一种基于薄膜铌酸锂的片上纠缠光子源_济南量子技术研究院_202511819559.1
    本申请涉及一种基于薄膜铌酸锂的片上纠缠光子源，包括耦合的半导体激光器以及片上分束器、第一PPLN波导、第二PPLN波导和片上合束器形成的薄膜铌酸锂光子芯片，片上分束器输入耦合半导体激光器，片上分束器输出分束对准第一PPLN波导和第二PPLN...
    2026-03-22
  • 一种具有高热稳定性的氮化镓基激光器及其制备方法
    一种具有高热稳定性的氮化镓基激光器及其制备方法_四川布鲁镭光科技有限公司_202511869436.9
    本发明提出了一种具有高热稳定性的氮化镓基激光器及其制备方法，涉及激光器领域，包括由上而下依次设置的n面电极、n型衬底层、n型限制层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型电子阻挡层、p型限制层、p型接触层、p面电极；采用外延生长法，控制...
    2026-03-22
  • 一种光模式自稳定的单横模半导体激光器及其制作方法
    一种光模式自稳定的单横模半导体激光器及其制作方法_山东华光光电子股份有限公司_202511745005.1
    本发明属于半导体激光器技术领域，具体公开提供的一种光模式自稳定的单横模半导体激光器及其制作方法，包括衬底、波导结构、有源层及电极结构，在波导结构上方设置脊波导，并在脊波导上形成沿预设方向延伸的吸收调控结构。所述吸收调控结构由通过刻蚀形成的局...
    2026-03-22
  • 一种双波段半导体激光器件及其制备方法
    一种双波段半导体激光器件及其制备方法_山东华光光电子股份有限公司_202511722973.0
    本发明涉及一种双波段半导体激光器件及其制备方法，属于半导体的技术领域。所述双波段半导体激光器件由下至上依次包括衬底、缓冲层、第一下限制层、第一下波导层、第一量子阱、第一上波导层、第一上限制层、模式扩展层、第二下限制层、第二下波导层、第二量子...
    2026-03-22
  • 半导体激光器集成结构和光模块
    半导体激光器集成结构和光模块_泉州市三安光通讯科技有限公司_202511917201.2
    本发明实施例提供一种半导体激光器集成结构和光模块，半导体激光器集成结构包括：第一电极；衬底；半导体层，设置在衬底上，半导体层包括边发射激光器区、波导结构和光电探测器区，波导结构包括第一波导区，光电探测器区位于边发射激光器区的出光面远离背光面...
    2026-03-22
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