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最新专利技术
  • 一种应用于LTPO栅极的干法刻蚀方法
    一种应用于LTPO栅极的干法刻蚀方法_信利(惠州)智能显示有限公司_202511484765.1
    本发明公开了一种应用于LTPO栅极的干法刻蚀方法，在现有的干法刻蚀方法进行优化改进，在现有的刻蚀步骤上延长SF6和O2混合气体刻蚀步骤中(S1)的刻蚀时间完成双金属层的垂直刻蚀而去除大部分需刻蚀的金属层，在Cl₂和O₂混合气体刻蚀步骤(S2...
    2026-03-21
  • 一种半导体结构及制备方法
    一种半导体结构及制备方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411194957.4
    本申请公开了一种半导体结构及制备方法，包括提供基板；所述基板上具有多个待接线元件和硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述多个待接线元件；在所述硬掩膜层上形成层间介质层；对所述层间介质层进行第一刻蚀处理，于各所述待接线元件上形成初始接触区；所述初始接...
    2026-03-21
  • 处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置、及程序制品
    处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置、及程序制品_株式会社国际电气_202510783325.X
    本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置、及程序制品。其课题在于提供能够高效地进行衬底的表面的蚀刻的技术。解决手段为具有：(a)设置在处理室内配置有制品衬底和吸附有物质M的非制品衬底的状态的工序；和(b)通过向配置有前述制品衬底和...
    2026-03-21
  • 一种改善铌酸锂薄膜刻蚀的方法及其应用
    一种改善铌酸锂薄膜刻蚀的方法及其应用_上海新微技术研发中心有限公司_202511863431.5
    本发明公开了一种改善铌酸锂薄膜刻蚀的方法及其应用，所述方法包括以下步骤：S1、在铌酸锂薄膜表面制作应力隔离层，所述应力隔离层包括隔离区和暴露区，所述暴露区用于暴露部分的所述铌酸锂薄膜，该部分的所述铌酸锂薄膜为待刻蚀区域；S2、在所述暴露区生...
    2026-03-21
  • 一种改善铌酸锂薄膜刻蚀角度的刻蚀方法
    一种改善铌酸锂薄膜刻蚀角度的刻蚀方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511863482.8
    本发明涉及集成光电材料加工技术领域，具体涉及一种改善铌酸锂薄膜刻蚀角度的刻蚀方法。该方法包括：S1、基于器件需求预设图形结构，对涂覆有第一光刻胶的铌酸锂薄膜材料进行曝光和显影处理，以形成光刻图形；S2、基于预刻深度对铌酸锂薄膜材料进行离子注...
    2026-03-21
  • 半导体器件的加工方法和半导体器件
    半导体器件的加工方法和半导体器件_拓荆科技(上海)有限公司_202511949647.3
    本申请提供了一种半导体器件的加工方法和半导体器件，涉及半导体技术领域。其中加工方法包括：提供基体层；在基体层之上进行第一图形化处理，以形成第一图形，第一图形包括间隔设置的多个芯轴；在每个芯轴的顶面选择性沉积硬掩膜层；在每个芯轴的侧面选择性沉...
    2026-03-21
  • 半导体器件的加工方法和半导体器件
    半导体器件的加工方法和半导体器件_拓荆科技(上海)有限公司_202511949658.1
    本申请提供了一种半导体器件的加工方法和半导体器件，涉及半导体技术领域。其中加工方法包括：提供基体层；在所述基体层之上进行第一图形化处理，以形成第一图形，所述第一图形包括间隔设置的多个芯轴，多个所述芯轴沿第一方向延伸、且沿第二方向间隔设置，所...
    2026-03-21
  • 一种金属膜层湿法刻蚀方法及其刻蚀夹具
    一种金属膜层湿法刻蚀方法及其刻蚀夹具_中国振华集团云科电子有限公司_202511937165.6
    一种金属膜层湿法刻蚀方法及其刻蚀夹具，属于金属膜刻蚀技术领域。所述方法包括：获取在晶圆衬底或陶瓷基板上已形成金属膜层的产品；旋涂光刻胶并光刻出所需图形；将产品放置于刻蚀夹具中，并将夹具装入刻蚀设备；第一段刻蚀；去离子水浸泡和喷淋去除产品残留...
    2026-03-21
  • 降低磷化铟晶片划伤的研磨方法
    降低磷化铟晶片划伤的研磨方法_云南鑫耀半导体材料有限公司_202511576574.8
    降低磷化铟晶片划伤的研磨方法，属于半导体加工制备技术领域，具体涉及磷化铟晶片研磨方法。本发明的方法括晶片预处理、配置复合化学机械研磨液、分步研磨及后处理工序。本发明磷化铟复合型研磨方法，通过优化组合多步机械研磨与化学机械抛光，可以使得化学作...
    2026-03-21
  • 大线宽深沟槽平坦化方法及晶圆
    大线宽深沟槽平坦化方法及晶圆_上海灵境光启科技有限公司_202511915320.4
    本申请提供了一种大线宽深沟槽平坦化方法，包括步骤：在具有所述大线宽深沟槽的衬底片上方淀积介质层；对所述介质层进行研磨，并将研磨产生的碎屑保留在所述沟槽中；重复上述淀积和研磨的步骤，直至形成平坦的表面。本申请还提供了一种包含使用该平坦化方法加...
    2026-03-21
  • 晶圆解键合装置及方法
    晶圆解键合装置及方法_常州英诺激光科技有限公司_202610009767.3
    本发明属于晶圆生产技术领域，具体涉及一种晶圆解键合装置及方法。本发明的晶圆解键合装置包括：旋转吸附平台、高度测量模块、至少两个顶升对插机构和搬运机构；所述顶升对插机构包括顶升组件，和安装在顶升组件上的刀具横移组件和刀具；所述顶升组件用于调整...
    2026-03-21
  • 化合物晶圆的再构制备工艺
    化合物晶圆的再构制备工艺_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202511931517.7
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种化合物晶圆的再构制备工艺，包括在化合物晶圆表面沉积第一介质膜，在硅晶圆表面沉积第二介质膜；在第一介质膜上形成第一对位标记和划片道，在第二介质膜上形成第二对位标记和定位区域；对第一介质膜和第二介质膜进...
    2026-03-21
  • 湿法清洗工艺及其测试方法
    湿法清洗工艺及其测试方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411196220.6
    本发明提供一种湿法清洗工艺及其测试方法。其中，在所述湿法清洗工艺中，将酸溶液清洗工艺拆分为两次及以上进行实施，以对晶圆表面进行逐次刻蚀清洗。不仅能够有效控制当前站点的总刻蚀量，避免过量刻蚀，还可以大幅度改善晶圆表面出现的水痕缺陷问题，提高湿...
    2026-03-21
  • 具有高稳定氧化态表面特性的磷化铟清洗方法
    具有高稳定氧化态表面特性的磷化铟清洗方法_云南鑫耀半导体材料有限公司_202511592497.5
    具有高稳定氧化态表面特性的磷化铟清洗方法，涉及磷化铟半导体的表面处理技术领域，具体地说是一种兼具清洁度和高稳定氧化态表面特性的InP晶片清洗技术。本发明的方法包括将晶片置于SC1溶液中浸泡冲洗、依次置于热、冷硫酸中浸泡后冲洗、置于有机溶液中...
    2026-03-21
  • 一种氮化铝衬底清洗方法
    一种氮化铝衬底清洗方法_奥趋光电技术(杭州)有限公司_202511651796.1
    本发明公开了一种氮化铝衬底清洗方法，该清洗方法包括异位化学预处理和原位Al辅助清洗两个工艺。其中异位化学预处理包括步骤：先用清洗剂去除AlN衬底表面油污，再使用酸性溶液混合液去除衬底表面氢氧化物，最后使用氢氟酸处理，使衬底暴露原子台阶。随后...
    2026-03-21
  • 机能水辅助硅片清洗方法、硅片清洗方法
    机能水辅助硅片清洗方法、硅片清洗方法_常州捷佳创精密机械有限公司_202511790059.X
    本发明属于硅片湿法清洗技术领域，具体涉及一种机能水辅助硅片清洗方法、硅片清洗方法，包括如下步骤：S1，获取氧气微纳米气泡水；S2，对氧气微纳米气泡水附加不高于20kHz的低频超声，以产生氧气微纳米气泡；S3，对含有氧气微纳米气泡的机能水进行...
    2026-03-21
  • 硅片的清洗方法及硅片
    硅片的清洗方法及硅片_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511814006.7
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提出了一种硅片的清洗方法、太阳能电池、组件及光伏系统，该方法包括：提供抛光后或制绒后的硅片；在不经过水洗的情况下，使用氧化清洗溶液对硅片进行氧化清洗；对硅片进行水洗；水洗的水洗温度大于常温。如此，可以提高硅片...
    2026-03-21
  • 一种氮化镓功率芯片封装焊接方法及在线压力烧结炉
    一种氮化镓功率芯片封装焊接方法及在线压力烧结炉_泰姆瑞(北京)精密技术有限公司_202511844099.8
    本发明涉及芯片封装技术领域，提供一种氮化镓功率芯片封装焊接方法及在线压力烧结炉。氮化镓功率芯片封装焊接方法包括：氮化镓功率半导体工件及治具进入等离子清洗区，执行等离子清洗步骤；氮化镓功率半导体工件及治具进入正压清洗区，执行正压清洗步骤；氮化...
    2026-03-21
  • 一种多尺寸兼容带倾斜角度的浸泡设备
    一种多尺寸兼容带倾斜角度的浸泡设备_苏州施密科微电子设备有限公司_202511879306.3
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及了一种多尺寸兼容带倾斜角度的浸泡设备，包括固定组件。固定组件包括支撑框架、多个承载板和调节结构，支撑框架为承载板提供稳定安装基础，多个承载板可拆卸的设置于支撑框架内。在多个承载板均安装于支撑框架时，调节...
    2026-03-21
  • 一种锑化镓晶片的无损伤清洗方法
    一种锑化镓晶片的无损伤清洗方法_广东先导微电子科技有限公司_202511888908.5
    本申请涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种锑化镓晶片的无损伤清洗方法。该清洗方法将锑化镓晶片依次置于有机溶剂、弱酸性溶液、硫钝化溶液进行浸洗，浸洗结束后经去离子水漂洗、干燥处理，得到表面洁净、无损伤的锑化镓晶片。本申请利用有机溶剂超声清洗...
    2026-03-21
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