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  • 本申请涉及半导体材料技术领域,具体公开了一种锑化镓晶片的无损伤清洗方法。该清洗方法将锑化镓晶片依次置于有机溶剂、弱酸性溶液、硫钝化溶液进行浸洗,浸洗结束后经去离子水漂洗、干燥处理,得到表面洁净、无损伤的锑化镓晶片。本申请利用有机溶剂超声清洗...
  • 本申请涉及半导体材料技术领域,具体公开了一种改善外延发雾的磷化铟衬底清洗工艺。清洗工艺包括以下步骤:将磷化铟衬底置于至少一种有机溶液中进行超声浸洗,浸洗结束后进行干燥处理;将磷化铟衬底依次置于盐酸溶液、碱性过氧化氢溶液、酸性溶液中浸洗,浸洗...
  • 本申请公开了一种大尺寸碳化硅籽晶的清洗方法,包括:将大尺寸籽晶在第一混合液中抛动清洗、高温纯水动态清洗、第二混合液中第二次抛动清洗,常温纯水动态清洗与存储。本申请提供的大尺寸碳化硅籽晶的清洗方法能够有效的清洗碳化硅籽晶,包括碳化硅籽晶表面的...
  • 本申请实施例公开了一种晶圆清洗装置及方法。晶圆清洗装置包括:箱体,其内具有腔体;工作台,设置在腔体中,工作台被配置为夹持晶圆并带动晶圆转动;第一清洗机构,包括第一驱动机构、摆臂和第一喷头组件;第一驱动机构至少部分设置在腔体内;第一喷头组件安...
  • 本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种晶片制程监测方法、系统及相关设备,方法包括获取待监测机台的晶片制程历史数据和相应的关联运行数据;将关联运行数据输入预设神经网络,通过预设神经网络基于关联运行数据得到待监测机台的晶片制程监测数据;根据晶片...
  • 本发明提供一种半导体清洗设备,包括内槽、外槽以及连通内槽和外槽的循环过滤单元。内槽一侧的内壁上设置有至少一个与循环过滤单元连通的喷淋孔,喷淋孔位于靠近内槽的槽口位置处,喷淋孔用于向清洗液的液面注入经循环过滤单元过滤后的清洗液,以使内槽中的清...
  • 本申请公开了一种药液循环系统及湿法设备,药液循环系统包括喷嘴、储液槽、供液管路以及气体吹扫组件,喷嘴用于向基板供应药液;储液槽用于储存药液;供液管路连接储液槽的出液口和喷嘴;气体吹扫组件包括吹扫管路和调节元件,吹扫管路与供液管路连接,调节元...
  • 本申请公开了一种基板处理装置,包括腔室、流体供应部、流体供应管线、多个硬件端、流体排出管线、检测系统和第一采样管线,腔室用于处理基板,流体供应部用于向腔室供应流体,流体供应管线连接流体供应部和腔室并将流体输送至腔室,多个硬件端设置于流体供应...
  • 本发明公开一种半导体器件的加工设备,包括:工艺腔组件,包括第一主体部、第一盖板、介质窗和进气部件;配件腔组件,包括第二盖板和射频线圈;驱动组件,驱动组件和第一盖板以及第二盖板均相连,驱动组件具有第一驱动状态和第二驱动状态,在第一驱动状态下,...
  • 本申请实施例提供了一种片环承载装置及晶圆贴膜设备。其中,片环承载装置包括:承载平台,用于与晶圆贴膜设备相连接;移动机构,可移动地设置于承载平台;放置机构,连接于所述移动机构,用于放置片环;锁定机构,连接于所述承载平台,用于在所述移动机构移入...
  • 本发明提供了一种工艺腔室,以及一种半导体器件的加工设备及加工方法。所述工艺腔室包括晶圆支撑机构、喷淋头、升降机构及旋转机构。所述晶圆支撑机构位于所述工艺腔室的内部,用于支撑晶圆的边缘,并暴露所述晶圆的背面。所述喷淋头位于所述晶圆支撑机构的下...
  • 本发明提供了工艺腔室、半导体器件的加工设备及加工方法。所述工艺腔室包括晶圆支撑机构、喷淋头及旋转升降机构。所述晶圆支撑机构位于所述工艺腔室的内部,用于支撑晶圆的边缘,并暴露所述晶圆的背面。所述喷淋头位于所述晶圆支撑机构的下方,以向所述晶圆的...
  • 本申请公开了一种用于监测退火设备晶圆传出温度的方法。方法包括:提供样片晶圆,样片晶圆具有衬底、过渡层及金属层,过渡层制备于衬底与金属层的中间;测量退火前的金属层的反射率,得到第一反射率值;将样片晶圆放入监控的退火设备中,在退火设备中对样片晶...
  • 本申请提出了一种基板干燥装置和方法。该装置包括腔室、流体供给单元、减压单元、检测单元和控制单元,所述控制单元被配置为:在开启所述减压单元后,控制所述检测单元实时获取所述检测数据,判断所述检测数据是否低于预设的阈值,若所述检测数据低于预设的阈...
  • 本申请公开了一种清洗腔室及半导体清洗设备,属于半导体加工技术领域。清洗腔室包括腔室本体、旋转卡盘、喷淋固定件和喷淋组件,旋转卡盘设置于腔室本体内并用于承载晶圆;喷淋固定件设置于腔室本体内并与腔室本体的侧壁连接,喷淋固定件位于旋转卡盘的上方,...
  • 一种晶圆升温装置、升温方法、以及半导体工艺设备,所述晶圆升温装置包括:升温腔;晶圆承载支架,位于所述升温腔内,所述晶圆承载支架能够承载多片晶圆;升温处理模块,用于向所述升温腔内提供加热环境,以能够对多片所述晶圆进行升温处理。本发明实施例提供...
  • 本申请公开一种晶圆翻转装置及晶圆清洗设备,涉及半导体制备技术领域,所公开的晶圆翻转装置包括基座、旋转支架、第一驱动部、第一夹持机构和第二夹持机构;第一驱动部设于基座,且与旋转支架相连,以驱动旋转支架相对于基座进行翻转,第一夹持机构和第二夹持...
  • 本发明提供一种使用固态二氧化碳粗糙化表面的方法。方法包括以下操作。生成固态二氧化碳,包括使二氧化碳从气瓶经由冷却喷嘴进入真空室中,其中固态二氧化碳在二氧化碳经由冷却喷嘴后形成,以及固态二氧化碳从冷却喷嘴出来的速度为1000m/s至3000m...
  • 本发明提出一种闸门结构,配置在具有形成有闸门的一个以上的闸门形成面的腔室,包括:第一部件,形成与在闸门形成面形成的闸门相对应的第一开口,并且固定结合于闸门形成面;第二部件,形成第二开口,第二开口与第一开口相对应并且被开关部件开关,针对于第一...
  • 本发明涉及安装有加热单元的基板处理装置,包括:基板保持单元,保持及旋转基板;处理液供给单元,向保持在基板保持单元的基板的上表面或下表面供给处理液;加热单元,在下部对基板加热;隔断板,设置在加热单元的上侧,可透射朝向基板的光,设置在基板保持单...
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