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最新专利技术
  • 反应腔室及薄膜沉积设备
    反应腔室及薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511923368.X
    本申请提供了一种反应腔室及薄膜沉积设备，该反应腔室包括：盖板；底板，底板与盖板之间形成有沿第一方向延伸的第一气道，第一气道在第二方向上具有宽度，第一气道的宽度范围为4mm～7mm；其中，第一方向与第二方向相交。通过第一气道的宽度设计优化了反...
    2026-03-30
  • 缓冲罐及其控制方法、薄膜沉积设备
    缓冲罐及其控制方法、薄膜沉积设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511951184.4
    本发明提供了一种缓冲罐、薄膜沉积设备、缓冲罐的控制方法以及计算机可读存储介质。缓冲罐包括：罐体，其第一端连接气源，而其第二端连接工艺腔室；气压规，位于所述罐体；流量调节机构，设于所述罐体与所述气源之间的第一管路；以及控制器，被配置为：经由所...
    2026-03-30
  • 一种用于气体分布装置的锁紧组件及其使用方法
    一种用于气体分布装置的锁紧组件及其使用方法_盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司_202511994102.4
    本发明公开了一种用于气体分布装置的锁紧组件及其使用方法，其属于半导体设备制造技术领域，所述锁紧组件包括设置在气体分布装置上方的顶盖，所述顶盖中部开设有安装孔，所述安装孔设有插入气体分布装置内的第二锁紧螺丝，所述第一锁紧螺丝的上方设有端盖，所...
    2026-03-30
  • PECVD载台、PECVD设备、PECVD载台设计方法
    PECVD载台、PECVD设备、PECVD载台设计方法_上海显耀显示科技股份有限公司_202411225808.X
    本申请公开了一种PECVD载台、PECVD设备、PECVD载台设计方法，PECVD载台包括：载台本体，所述载台本体的表面开设有若干个放置槽，所述放置槽至少有两种不同尺寸，用于放置不同尺寸的晶圆。本申请提供的PECVD载台可以放置至少两个不同...
    2026-03-30
  • 一种基座及半导体器件的加工设备
    一种基座及半导体器件的加工设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511938018.0
    本发明提供了一种基座及一种半导体器件的加工设备。所述基座包括：基座本体，其上设有进气口；喷淋板，连接所述基座本体，并设有多个第一通气孔；以及挡板，设于所述基座本体与所述喷淋板之间，与所述基座本体保持第一匀气间隙，并与所述喷淋板保持第二匀气间...
    2026-03-30
  • 具有硬度梯度复合结构的透明导电薄膜及柔性电子器件
    具有硬度梯度复合结构的透明导电薄膜及柔性电子器件_江苏先导微电子科技有限公司_202511908682.0
    本发明公开了一种具有硬度梯度复合结构的透明导电薄膜及柔性电子器件，涉及柔性电子技术领域；透明导电薄膜包括柔性基底、梯度缓冲层和金属氧化物导电层，梯度缓冲层形成有自柔性基底到金属氧化物导电层的方向递增的硬度梯度；梯度缓冲层以甲烷、硅烷和氧化亚...
    2026-03-30
  • 一种贯穿式双面V槽的制作方法
    一种贯穿式双面V槽的制作方法_江苏优众微纳半导体科技有限公司_202511921737.1
    本发明公开了一种贯穿式双面V槽的制作方法，所述制作方法具体包括S1、选择基底并进行正面加工；S2、复合膜层沉积；S3、进行背面加工；本发明通过标准化设备参数与流程联动设计，减少工序冗余，成品率提升至 90% 以上，可直接适配工业化量产；复合...
    2026-03-30
  • 基于MPCVD平板型表面波等离子体制备超双疏薄膜的装置及方法
    基于MPCVD平板型表面波等离子体制备超双疏薄膜的装置及方法_佛山市思博睿科技有限公司_202511865367.4
    本发明涉及等离子体物理工程及表面科学领域，尤其涉及基于MPCVD平板型表面波等离子体制备超双疏膜层的装置及方法。所述装置具备：内部形成为反应腔室的反应单元；以与所述反应腔室连通的形式连接从而抽取反应单元内气体的抽气单元；通过供给管路与所述反...
    2026-03-30
  • 一种过渡处理的单晶金刚石二次生长方法、系统、MPCVD设备及介质
    一种过渡处理的单晶金刚石二次生长方法、系统、MPCVD设备及介质_深圳优普莱等离子体技术有限公司_202511906687.X
    本申请涉及金刚石生长技术领域，公开了一种过渡处理的单晶金刚石二次生长方法、系统、MPCVD设备及介质，所述过渡处理的单晶金刚石二次生长方法包括：对样品进行预处理，得到清洁样品，其中，所述样品为首次生长后的单晶金刚石半成品毛坯；对所述优化样品...
    2026-03-30
  • 一种压力控制方法、半导体工艺设备及存储介质
    一种压力控制方法、半导体工艺设备及存储介质_北京北方华创微电子装备有限公司_202511544999.0
    一种压力控制方法、半导体工艺设备及存储介质，本说明书实施例提供了一种压力控制方法，该方法综合当前时刻的开度增量(第二开度增量)和下一时刻的开度增量(第一开度增量)，基于下一时刻的期望压力提前预判所需执行的开度动作，满足半导体工艺过程对于压力...
    2026-03-30
  • 容器、液态反应物的控制方法及存储介质
    容器、液态反应物的控制方法及存储介质_拓荆科技(上海)有限公司_202511967496.4
    本发明提供了容器、半导体加工设备、液态反应物的控制方法及存储介质。容器包括流量传感器、加热单元及控制器。所述流量传感器设于所述容器的出气口。所述加热单元设于所述容器的外部，用于向所述容器提供热量，以将所述容器内部的液态反应物汽化为气态反应物...
    2026-03-30
  • 液态源存储装置和液态源存储装置的气压控制方法
    液态源存储装置和液态源存储装置的气压控制方法_拓荆科技(上海)有限公司_202511967824.0
    本申请提供了一种液态源存储装置和液态源存储装置的气压控制方法，涉及半导体技术领域。液态源存储装置包括：存储容器，所述存储容器内包括弹性隔膜，所述弹性隔膜将所述存储容器分隔为第一空间和第二空间；与所述第一空间连通的调节气体传输管路；与所述第二...
    2026-03-30
  • 一种适用于微米级通道的化学镀工装及操作方法
    一种适用于微米级通道的化学镀工装及操作方法_山东中康国创先进印染技术研究院有限公司_202511836379.4
    本发明涉及一种适用于微米级通道的化学镀工装及操作方法，其中化学镀工装包括镀液槽，所述镀液槽内固设有放置目标零件的支撑架，所述支撑架上开设有与目标零件的微米级通道相对的贯通通道，支撑架的下方设有与所述贯通通道连通的集液腔，所述集液腔连通有循环...
    2026-03-30
  • 铝基碳化硅表面复合镀层工艺
    铝基碳化硅表面复合镀层工艺_浙江泛源鑫才科技有限公司_202511539245.6
    本发明公开了铝基碳化硅表面复合镀层工艺，旨在解决现有技术为单一化学镍镀层，只具备化学镍镀层的特性，其中磷含量无法均匀的分布在镀层中，对后续的焊接工艺造成较大的不确定性的问题。其技术方案要点是：铝基碳化硅表面复合镀层工艺，工艺流程包括以下步骤...
    2026-03-30
  • 一种电池保护芯片封装用引线框架的镀金方法
    一种电池保护芯片封装用引线框架的镀金方法_珠海斯美特电子材料有限公司_202511926263.X
    本发明公开了一种电池保护芯片封装用引线框架的镀金方法，涉及电池保护芯片封装领域。电池保护芯片封装用引线框架的镀金方法，包括以下步骤：预镀金：将依次镀制有镍和钯的引线框架浸入化学预镀金液中进行预镀金；主镀金：将预镀金后得到的引线框架水洗干燥后...
    2026-03-30
  • 一种钝化液及其制备方法以及金属复合涂层的施工工艺
    一种钝化液及其制备方法以及金属复合涂层的施工工艺_江苏卓奇新材料科技有限公司_202511899654.7
    本发明公开了一种钝化液及其制备方法以及金属复合涂层的施工工艺，要解决的问题是热喷涂阳极金属涂层后裸露的钢铁基体表面的有效钝化处理问题，针对钢铁基体及其表面同时存在的热喷涂阳极金属涂层在钝化阶段发生的双金属原电池效应问题，本钝化液综合利用植酸...
    2026-03-30
  • 耐腐蚀合金丝卷材一体钝化工艺
    耐腐蚀合金丝卷材一体钝化工艺_上海一郎合金材料有限公司_202610194227.7
    本发明提供耐腐蚀合金丝卷材一体钝化工艺，本发明涉及金属表面处理技术领域，包括如下步骤：S1、根据卷筒尺寸朝着容纳槽内添加钝化液体，控制钝化液体淹没第一承载轨道上端卷筒表面的合金丝卷材；S2、通过夹持调压装置改变卷筒中空内部压强大小；S3、预...
    2026-03-30
  • 一种轴承抗电蚀特种表面处理方法及轴承
    一种轴承抗电蚀特种表面处理方法及轴承_洛阳轴研科技有限公司_202610194861.0
    本发明涉及特种表面处理技术领域，具体涉及一种轴承抗电蚀特种表面处理方法及轴承，处理方法包括特种表面处理与活化、黑化处理、硅烷偶联剂微孔修饰、130‑140℃高温浸油、水性聚氨酯可控聚合封膜、表面精整与均化及电阻率测试。该设计无需大幅改动轴承...
    2026-03-30
  • 金属带线的局部金属化方法、金属带线及电子元器件
    金属带线的局部金属化方法、金属带线及电子元器件_深圳市金尚金新材料技术有限公司_202511494191.6
    本申请公开一种金属带线的局部金属化方法、金属带线及电子元器件。金属带线的局部金属化方法包括：利用夹具对金属带线的待处理区域进行定位和遮蔽，使金属带线的表面形成至少一个裸露的预定区域，而其余表面被遮蔽；对金属带线表面的预定区域进行清理，以去除...
    2026-03-30
  • 一种具有梯度耐磨陶瓷复合涂层的刹车盘
    一种具有梯度耐磨陶瓷复合涂层的刹车盘_苏州光阵铄维科技有限公司_202511737622.7
    本发明公开了一种具有梯度耐磨陶瓷复合涂层的刹车盘，属于汽车制动系统技术领域。该刹车盘包括刹车盘基体，并在其摩擦表面上通过激光熔覆技术依次制备有三层功能不同的梯度复合涂层，从内至外分别为结合过渡层、硬质支撑层和功能陶瓷层。结合过渡层采用Fe基...
    2026-03-30
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