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最新专利技术
  • 一种集成电路制造用元器件贴片装置及方法
    一种集成电路制造用元器件贴片装置及方法_湖南达诺科技有限公司_202610107696.0
    本发明涉及集成电路制造技术领域，具体涉及一种集成电路制造用元器件贴片装置及方法，贴片装置包括机座、输料组件、贴片机构和移动组件，贴片机构包括设置在机座上的转动盘，且能够绕自身轴线转动；转动盘上沿周向设置有多个贴片臂；每个贴片臂上均设置有吸嘴...
    2026-03-23
  • SRAM单元及其制造方法、互补场效应晶体管及其制造方法、静态随机存取存储器
    SRAM单元及其制造方法、互补场效应晶体管及其制造方法、静态随机存取存储器_中国科学院微电子研究所_202510293326.6
    本申请提供一种SRAM单元及其制造方法、互补场效应晶体管及其制造方法、静态随机存取存储器，包括：衬底；位于衬底上的第一互补场效应晶体管CFET、第二CFET、第三CFET和第四CFET；第一CFET、第二CFET、第三CFET和第四CFET...
    2026-03-23
  • SRAM单元及其制造方法、互补场效应晶体管及其制造方法、静态随机存取存储器
    SRAM单元及其制造方法、互补场效应晶体管及其制造方法、静态随机存取存储器_中国科学院微电子研究所_202510293829.3
    本申请提供一种SRAM单元及其制造方法、互补场效应晶体管及其制造方法、静态随机存取存储器，包括第一互补场效应晶体管CFET、第二CFET和第三CFET，第一CFET、第二CFET和第三CFET并列分布并且沟道方向互相平行，第二CFET位于第...
    2026-03-23
  • 存储器电路及其制造方法
    存储器电路及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511330221.X
    本申请的实施例涉及存储器电路及其制造方法。存储器电路包括第一双端口单元、第一和第二字线以及第一、第二和第三位线。第一字线在第一方向上延伸，耦合到第一双端口单元，并且位于衬底的前侧上方的第一金属层上。第二字线在第一方向上延伸，耦合到第一双端口...
    2026-03-23
  • 半导体器件的鳍片制备方法、半导体器件及电子设备
    半导体器件的鳍片制备方法、半导体器件及电子设备_北京知识产权运营管理有限公司_202511681287.3
    本申请提供了一种半导体器件的鳍片制备方法、半导体器件及电子设备，该方法包括：在衬底上形成第一硬掩模；在第一硬掩模上形成芯轴；在芯轴和第一硬掩模上沉积掩膜材料，形成第二硬掩模；对第二硬掩模进行各向异性刻蚀，以形成侧墙；去除芯轴；在侧墙上形成第...
    2026-03-23
  • 存储器单元、半导体结构及其形成方法
    存储器单元、半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511721225.0
    本公开的实施例提供了一种存储器单元，该存储器单元包括：第一晶体管，该第一晶体管包括：第一源极/漏极区域；第二源极/漏极区域；和第一沟道区域，连接到第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域；以及第二晶体管，该第二晶体管包括：第一源极/漏极区域；...
    2026-03-23
  • 半导体器件及其制造方法、存储器
    半导体器件及其制造方法、存储器_芯盟科技有限公司_202411291316.0
    本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法、存储器。该半导体器件的第一半导体结构包括：半导体柱阵列，半导体柱阵列中相邻两行半导体柱之间的半导体柱、相邻两列半导体柱之间的半导体柱均相互错开；每一半导体柱包括沿半导体柱延伸方向设置的第一源/漏极...
    2026-03-23
  • 半导体器件及其制造方法和操作方法
    半导体器件及其制造方法和操作方法_芯盟科技有限公司_202411294639.5
    本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法和操作方法。所述半导体器件包括存储单元阵列；所述方法包括：提供半导体层；对所述半导体层进行图案化处理，以形成呈阵列排布的多个半导体柱；所述多个半导体柱包括沿第一方向和第二方向均呈交替排布的第一半导体...
    2026-03-23
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510264496.1
    根据一实施方式，半导体装置的制造方法包括：准备第一液体，所述第一液体含有第一元素和规定元素，所述第一元素是金属元素或者硅，所述规定元素是不同于所述第一元素的金属元素或者硅。所述方法还包括：从所述第一液体生成含有所述第一元素以及所述规定元素的...
    2026-03-23
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510274760.X
    提供适当地动作的半导体存储装置，具备：多个存储器层，沿第一方向排列；通孔配线，沿第一方向延伸；第一配线，相对于多个存储器层设置在第一方向的一侧，沿第二方向延伸；及绝缘层，相对于多个存储器层设置在第一方向的另一侧，覆盖通孔配线的端部。多个存储...
    2026-03-23
  • 半导体装置和形成半导体装置的方法
    半导体装置和形成半导体装置的方法_三星电子株式会社_202511303488.X
    在此公开了半导体装置和形成半导体装置的方法，所述半导体装置包括第一电极，第一电极具有第一电极段、第二电极段和第三电极段。第一电极段可结合到第二电极段，并且第二电极段可结合到第三电极段。第二电极可与第一电极平行延伸。第一介电材料可在第一电极段...
    2026-03-23
  • 一种半导体装置及其制造方法
    一种半导体装置及其制造方法_深圳市昇维旭技术有限公司_202511660274.8
    本申请提供一种半导体装置及其制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有位线材料层以及覆盖位线材料层的隔离材料层；形成硬掩模层，以覆盖隔离材料层；刻蚀硬掩模层、隔离材料层和位线材料层，以形成沿第一方向延伸的多个位线以及位于位线外侧的多个沟槽，多个...
    2026-03-23
  • 三维动态随机存储器及其制备方法、电子设备
    三维动态随机存储器及其制备方法、电子设备_北京大学_202511674315.9
    本申请提供了一种三维动态随机存储器及其制备方法、电子设备；该方法包括：在衬底上形成堆叠结构；堆叠结构是通过在衬底上交替沉积介质材料和金属材料形成的；在堆叠结构上沉积掩模材料，形成第一硬掩模；基于第一硬掩模，刻蚀堆叠结构，形成柱状结构；各向同...
    2026-03-23
  • 存储器件及其制作方法
    存储器件及其制作方法_长鑫科技集团股份有限公司_202610189154.2
    本公开涉及半导体领域，提供一种存储器件及其制作方法，其中，存储器件包括：基底；在基底上沿第一方向间隔排布的多个隔离结构，隔离结构包括主体部以及位于主体部一侧的第一加宽部，主体部与第一加宽部在第二方向上排布，且在沿第一方向上，第一加宽部的宽度...
    2026-03-23
  • 半导体存储装置及其形成方法
    半导体存储装置及其形成方法_联华电子股份有限公司_202411331546.5
    本发明公开一种半导体存储装置及其形成方法，包括基底、两个浮动栅极、两个控制栅极、一第一介电层、一间隙壁以及一抹除栅极。浮动栅极设置在基底上。控制栅极分别设置在浮动栅极上。第一介电层设置在浮动栅极和控制栅极之间。间隙壁设置在各控制栅极的侧壁上...
    2026-03-23
  • 半导体器件及其操作方法、系统
    半导体器件及其操作方法、系统_长江存储控股股份有限公司_202411196642.3
    本公开提供了一种半导体器件及其操作方法、系统，所述半导体器件包括：堆叠结构；所述堆叠结构包括沿第一方向交替层叠的导电层和绝缘层；位于所述堆叠结构沿所述第一方向相对的两侧中的一侧的选择栅极层；多个沿第三方向延伸并沿所述第一方向贯穿所述选择栅极...
    2026-03-23
  • 半导体器件及其操作方法、系统
    半导体器件及其操作方法、系统_长江存储控股股份有限公司_202411207111.X
    本公开实施例公开了一种半导体器件及其操作方法、系统。该半导体器件包括多个存储串组，每个存储串组包括至少一个存储串；以及多条位线，每条位线耦接沿第一方向排布的多个存储串组；其中，沿多条位线中的选定位线的第一端指向选定位线的第二端的方向，同一条...
    2026-03-23
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411269016.2
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括第一介质层和连接结构，连接结构沿第一方向贯穿第一介质层并沿第二方向延伸，连接侧壁包括沿第一方向分布的第一子侧壁和第二子侧壁，第一子侧壁和第二子侧壁相对第一方向的倾斜方向不同，第...
    2026-03-23
  • 具有可变ON间距的非易失性存储器
    具有可变ON间距的非易失性存储器_桑迪士克科技股份有限公司_202510457835.8
    一种存储器设备设置有存储器块，该存储器块包括多个字线和多个绝缘层交替的堆叠结构。该多条字线包括多个存储器单元。多个存储器孔延伸穿过该字线以及穿过该绝缘层。该存储器孔具有可变直径，使得该存储器孔中的一个存储器孔在该字线中的一个字线处的该直径不...
    2026-03-23
  • 半导体存储器装置及用于制造半导体存储器装置的方法
    半导体存储器装置及用于制造半导体存储器装置的方法_铠侠股份有限公司_202511914304.3
    本申请涉及一种半导体存储器装置及用于制造半导体存储器装置的方法。根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：堆叠层体，其包含在第一方向上交替堆叠的导电层及绝缘层；分区结构，其各自在所述堆叠层体中在第一及第二方向上延伸；及中间结构，其从上端延伸...
    2026-03-23
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