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最新专利技术
  • 半导体存储器装置及用于制造半导体存储器装置的方法
    半导体存储器装置及用于制造半导体存储器装置的方法_铠侠股份有限公司_202511914304.3
    本申请涉及一种半导体存储器装置及用于制造半导体存储器装置的方法。根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：堆叠层体，其包含在第一方向上交替堆叠的导电层及绝缘层；分区结构，其各自在所述堆叠层体中在第一及第二方向上延伸；及中间结构，其从上端延伸...
    2026-03-23
  • 存储器件及其制备方法和电子设备
    存储器件及其制备方法和电子设备_嘉善复旦研究院_202511921136.0
    本申请涉及一种存储器件及其制备方法和电子设备。该存储器件包括柔性衬底、阻挡层、存储层、隧穿层、第一导电类型的第一有机半导体层、第二导电类型的第二有机半导体层、源极与漏极，阻挡层位于柔性衬底上，存储层位于阻挡层上，隧穿层位于存储层上，第一导电...
    2026-03-23
  • 基于晶体管和铁电电容的存储器、制备方法、读取方法和电子设备
    基于晶体管和铁电电容的存储器、制备方法、读取方法和电子设备_清华大学_202511811018.4
    本申请提供了一种基于晶体管和铁电电容的存储器、制备方法、读取方法和电子设备，涉及存储器领域，旨在改善当前存储器存在集成度仍有待提升，且串扰较大的问题。包括写晶体管、读晶体管、写入字线、读取位线、读取感应线、多个铁电电容，和多条写入位线；该存...
    2026-03-23
  • 基于铁电晶体管和铁电电容的存储器、制备方法、读取方法和电子设备
    基于铁电晶体管和铁电电容的存储器、制备方法、读取方法和电子设备_清华大学_202511811019.9
    本申请提供了一种基于铁电晶体管和铁电电容的存储器、制备方法、读取方法和电子设备，涉及存储器领域，旨在改善当前存储器存在着存储计算效率过低的问题。包括访问晶体管、铁电晶体管、多个铁电电容、源线、板线、字线和多条位线；存储器包括第一堆叠结构、第...
    2026-03-23
  • 动态随机存取的存储单元、阵列及其制备方法
    动态随机存取的存储单元、阵列及其制备方法_复旦大学_202511959150.X
    本发明涉及半导体存储技术领域，提供一种动态随机存取的存储单元、阵列及其制备方法。该动态随机存取的存储单元包括：衬底、介质层、第一电极层、M层第二电极层和M层隔离层；介质层位于第一电极层与第二电极层之间；介质层由反铁电材料层与准同型相界铁电材...
    2026-03-23
  • 磁存储装置
    磁存储装置_铠侠股份有限公司_202510799138.0
    提供能够恰当地形成磁阻效应元件的磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备：磁阻效应元件，包括具有可变的磁化方向的第1磁性层、具有固定了的磁化方向的第2磁性层、以及设置于第1磁性层与第2磁性层之间的非磁性层，所述磁阻效应元件具有将第1磁性层、第2...
    2026-03-23
  • 磁存储装置
    磁存储装置_铠侠股份有限公司_202511263130.9
    提供具有优异的特性及可靠性的磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备：下部构造；设置在下部构造上的第1层叠构造及第2层叠构造；第1含硼层及第2含硼层，沿着第1层叠构造及第2层叠构造的侧面设置，含有硼(B)且相互分离；以及第1金属氧化物层及第2金...
    2026-03-23
  • 存储装置
    存储装置_铠侠股份有限公司_202511264582.9
    本发明提供存储装置，该存储装置包括具有优异的特性的开关元件。实施方式涉及的存储装置具备：下部布线(10)、上部布线(20)、以及包括可变电阻存储元件(40)和开关元件(50)的存储单元(30)。开关元件包括下部电极(51)、上部电极(52)...
    2026-03-23
  • 实现阈值与双极性开关随机共存的PVA : h-BN基忆阻器及其制备方法
    实现阈值与双极性开关随机共存的PVA : h-BN基忆阻器及其制备方法_南京理工大学_202511869264.5
    本发明公开了一种实现阈值与双极性开关随机共存的PVA : h‑BN基忆阻器及其制备方法。该忆阻器包括从下至上依次设置的衬底、底电极、功能层和顶电极，其中衬底的材料为玻璃；底电极的材料为氧化铟锡；功能层为PVA : h‑BN纳米复合材料；顶电...
    2026-03-23
  • 基于负微分电阻和负光电导效应的多状态存储器件及制备方法和应用
    基于负微分电阻和负光电导效应的多状态存储器件及制备方法和应用_西安电子科技大学_202511920269.6
    本发明公开基于负微分电阻和负光电导效应的多状态存储器件及其制备和应用，主要解决现有技术存储密度低，应用受限的问题。其自下而上包括衬底(1)、底电极(2)、金属纳米颗粒阵列(3)、氧化物阻变层(4)、顶电极(5)，其中，底电极采用金属Pt材料...
    2026-03-23
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_长江存储控股股份有限公司_202411125339.4
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在使半导体结构可以堆叠更多的器件层，增加了半导体结构封装器件层的数量。本申请实施例提供的半导体结构包括多个层叠设置的堆叠层以及第一键合结构，相邻两个堆叠层通过第一键合结...
    2026-03-23
  • 半导体结构及其制作方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制作方法、存储系统、电子设备_长江存储控股股份有限公司_202411125609.1
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制作方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在使半导体结构可以堆叠更多的器件层，增加了半导体结构封装器件层的数量。本申请实施例提供的半导体结构包括多个层叠设置的堆叠层以及第一键合结构，相邻两个...
    2026-03-23
  • 半导体结构及其制作方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制作方法、存储系统、电子设备_长江存储控股股份有限公司_202411127440.3
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制作方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在使半导体结构可以堆叠更多的器件层，增加了半导体结构封装器件层的数量。本申请实施例提供的半导体结构包括多个层叠设置的堆叠层、键合结构以及连接结构，相...
    2026-03-23
  • 存储装置
    存储装置_爱思开海力士有限公司_202510232733.6
    本公开涉及存储装置。根据本公开的实施例，一种存储装置可以包括：第一半导体芯片，其包括第一键合绝缘层；第二半导体芯片，其与第一半导体芯片键合并包括第二键合绝缘层；以及贯通接触件，其从第一半导体芯片的内部延伸到第二半导体芯片的内部并穿透第一键合...
    2026-03-23
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510245449.2
    一实施方式的半导体存储装置具有壳体、衬底、第1电子零件及第2电子零件。所述衬底收纳于所述壳体，具有第1面。所述第1电子零件安装于所述第1面。所述第2电子零件安装于所述第1面。所述第2电子零件具有比所述第1电子零件距所述第1面的高度高的高度。...
    2026-03-23
  • 半导体封装件和板上封装件
    半导体封装件和板上封装件_三星电子株式会社_202510399293.3
    本公开提供一种半导体封装件和板上封装件，所述半导体封装件包括：基底；插座，在基底上，并且包括插座主体和插座引脚，插座主体具有安装区域，第一半导体芯片安装在安装区域上，插座引脚穿透插座主体并电连接到基底；以及一个或多个第二半导体芯片，在基底上...
    2026-03-23
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202510407881.7
    一种半导体封装件包括：第一基底，具有位于距第一基底的顶表面不同的竖直水平处的第一底表面和第二底表面；第一半导体芯片，在第一基底的顶表面上；第二半导体芯片，在第一底表面上，并包括光子集成电路；以及第二基底，在第二底表面上以覆盖第二半导体芯片。...
    2026-03-23
  • 具有在正交于基底管芯或衬底堆叠的管芯上的再分布层的堆叠半导体管芯架构
    具有在正交于基底管芯或衬底堆叠的管芯上的再分布层的堆叠半导体管芯架构_英特尔公司_202511101425.6
    提供了包括管芯堆叠体的微电子组件架构，其中每个管芯包括再分布层，并且管芯堆叠体被定位成使得每个管芯的面垂直于基底的面。每个管芯具有第一面和与第一面相对的第二面，以及在第一面和第二面之间延伸的边缘。再分布层沉积在每个管芯的第一面上。管芯堆叠体...
    2026-03-23
  • 存储器装置
    存储器装置_三星电子株式会社_202511301838.9
    一种存储器装置，包括：模块基底，具有第一侧表面和与第一侧表面垂直的第二侧表面；半导体封装件，设置在模块基底的上表面和下表面中的至少一个上；无源器件，设置在模块基底的上表面和下表面中的至少一个上，其中，无源器件电连接到半导体封装件；以及保护层...
    2026-03-23
  • 一种超薄高散热系统级存储芯片封装结构及封装工艺
    一种超薄高散热系统级存储芯片封装结构及封装工艺_沛顿科技(深圳)有限公司_202511828792.6
    本发明公开了一种超薄高散热系统级存储芯片封装结构及工艺，结构包括PCB板、锡球、基板、控制芯片、堆叠式存储芯片、模封层、底胶层、凸点、焊线、黏合层及高导热界面材料层；控制芯片倒装焊于基板底部，通过凸点连基板，底部设高导热界面材料层贴PCB板...
    2026-03-23
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