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最新专利技术
  • 太阳能电池及其制作方法、电池组件及光伏系统
    太阳能电池及其制作方法、电池组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511751365.2
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池及其制作方法、电池组件及光伏系统，包括：电池本体；设于电池本体的保护层；保护层上设有识别图案，所述识别图案为圆形或者椭圆形。如此，可以在太阳能电池的电池本体表面形成具有识别图案的保护层，避...
    2026-03-25
  • 一种具有咔唑基苯腈有机衍生物修饰层的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种具有咔唑基苯腈有机衍生物修饰层的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法_长江三峡集团江苏能源投资有限公司_202511887286.4
    本发明公开了一种具有咔唑基苯腈有机衍生物修饰层的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法，其截面结构自下而上依次包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿活性层、咔唑基苯腈有机衍生物修饰层、空穴传输层、电子阻挡层和金属对电极；所述咔唑基苯腈有机衍生物为采...
    2026-03-25
  • 一种探测器及其制备方法
    一种探测器及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411296621.9
    本申请涉及一种探测器，包括衬底；波导层，位于衬底以上；吸收层，位于部分所述波导层上；以及布拉格反射结构，至少部分环绕所述吸收层。本申请还提供了相应的探测器的制备方法。本申请所公开的探测器，由于增加了围绕吸收层的布拉格反射结构，使得吸收层与波...
    2026-03-25
  • 一种间隙反光膜及一种光伏组件
    一种间隙反光膜及一种光伏组件_杭州福膜新材料科技股份有限公司_202511670261.9
    本发明提供一种间隙反光膜及一种光伏组件，所述间隙反光膜包括依次叠置的胶膜层和反光膜层，所述反光膜层包括依次叠置的连接层、中间反光层和棱镜反光层，所述反光膜层通过连接层粘结于胶膜层，所述棱镜反光层由多个倾斜面向上形成凸起棱镜。安装于电池间隙、...
    2026-03-25
  • 一种太阳电池、电池组件及光伏系统
    一种太阳电池、电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511676452.6
    本发明适用于光伏技术领域，提供一种太阳电池、电池组件及光伏系统，太阳电池包括：电池主体，电池主体包括相对设置的正面和背面，电池主体的背面具有沿第一方向交替间隔设置的第一副栅和第二副栅，第一副栅和第二副栅的极性相反；覆盖设置于第一副栅和/或第...
    2026-03-25
  • 太阳能电池片及其制备方法及光伏组件
    太阳能电池片及其制备方法及光伏组件_河北大学_202511951150.5
    本申请公开了一种太阳能电池片及其制备方法及光伏组件，涉太阳能电池技术领域，太阳能电池片包括：电池片本体；栅线，栅线位于电池片本体的表面上；转光涂层，转光涂层覆盖栅线，且露出栅线之间的电池片本体；其中，转光涂层包括转光材料，所述转光材料包括长...
    2026-03-25
  • 一种用于低温超大靶面探测器的封装结构及探测器
    一种用于低温超大靶面探测器的封装结构及探测器_中国科学院西安光学精密机械研究所_202511764805.8
    本发明公开了一种用于低温超大靶面探测器的封装结构及探测器，解决了现有技术中探测器尺寸增大导致封装结构热变形量增大，其与封装结构之间的辐射漏热也越多，导致制冷效果差，以及封装结构越厚，内部零件之间安装接触面越大，热阻越小、寄生漏热越大的技术问...
    2026-03-25
  • 一种双玻微通道PVT光伏光热组件结构
    一种双玻微通道PVT光伏光热组件结构_中建三局第一建设工程有限责任公司_202511792365.7
    本发明公开了一种双玻微通道PVT光伏光热组件结构，包括垂直设置的换热层，所述换热层的左右两侧均设置有导热界面层，两侧所述导热界面层的相离面均设置有光伏发电层，所述光伏光热组件结构通过垂直安装，能有效利用早晚的太阳斜射光。本发明，通过垂直安装...
    2026-03-25
  • 一种基于低导热率纳米晶嵌入的光伏-热电叠层激光电池及其制备方法
    一种基于低导热率纳米晶嵌入的光伏-热电叠层激光电池及其制备方法_中国民航大学_202511727940.5
    本发明提供了一种基于低导热率纳米晶嵌入的光伏‑热电叠层激光电池及其制备方法，该激光电池自上而下依次设置有导电基底、电子传输层、铯铅溴基光活性层、碳电极层、导热胶与热电模块；所述的铯铅溴基光活性层中含有改性低导热率纳米晶。本发明所述的基于低导...
    2026-03-25
  • 硅基板、太阳能电池和硅基板的制作方法
    硅基板、太阳能电池和硅基板的制作方法_衢州季丰检测技术有限公司_202511638445.7
    本公开涉及半导体技术领域，提供了一种硅基板、太阳能电池和硅基板的制作方法。该硅基板包括基板本体，基板本体具有相对设置的上表面和下表面；基板本体上设置有贯穿上表面和下表面的多个锥形通孔，多个锥形通孔在基板本体上按阵列分布形成镂空图案；锥形通孔...
    2026-03-25
  • 一种LED用反光材料层、封装结构及其形成方法
    一种LED用反光材料层、封装结构及其形成方法_江苏罗化新材料有限公司_202511847326.2
    本发明公开了一种LED用反光材料层、封装结构及其形成方法，在本发明的LED封装结构的形成方法中，通过对所述LED单元的上表面和侧表面进行第一次激光处理，以在所述第一无机钝化层的上表面、所述外延功能层的侧表面以及所述基底的侧表面形成多个第一凹...
    2026-03-25
  • 一种绿光LED外延结构的生长方法
    一种绿光LED外延结构的生长方法_湘能华磊光电股份有限公司_202511865039.4
    本发明适用于LED制备技术领域，提供了一种绿光LED外延结构的生长方法，采用MOCVD工艺，依次生长成核层、不掺杂U型高温GaN层、持续掺杂Si的N型高温GaN、多量子阱发光层、掺Al和Mg的P型AlGaN层、掺Mg的高温P型GaN层；复合...
    2026-03-25
  • 一种LED芯片的封装装置及封装方法
    一种LED芯片的封装装置及封装方法_深圳市卢米斯科技有限公司_202511911769.3
    本发明公开了一种LED芯片的封装装置及封装方法，涉及封装装置领域，包括工作台、移动架、承载机构、点胶机构、驱动机构、消泡机构和切断机构，承载机构设置于工作台上，点胶机构设置于工作台上，用于对LED芯片进行点胶封装，驱动机构设置于移动架的内部...
    2026-03-25
  • 一种LED芯片的制备方法及LED芯片
    一种LED芯片的制备方法及LED芯片_江西乾照光电有限公司_202511927922.1
    本申请公开了一种LED芯片的制备方法及LED芯片，涉及发光二极管技术领域，先形成堆叠结构，堆叠结构包括第一衬底和位于第一衬底一侧的外延叠层，外延叠层经过台面刻蚀后在背离第一衬底的一侧具有台面和凹槽；然后，在外延叠层背离第一衬底的一侧形成n层...
    2026-03-25
  • 一种LED支架制备方法、制备装置及LED支架
    一种LED支架制备方法、制备装置及LED支架_深圳市明格精密科技有限公司_202511932953.6
    本发明实施例涉及LED支架技术领域，公开了一种LED支架制备方法、制备装置及LED支架，该方法包括：对金属基材进行蚀刻处理以使金属引线框架上有用于电气连接的第一区域和用于结构支撑的第二区域；通过将可移除的第一材料覆盖于第一区域表面以形成保护...
    2026-03-25
  • 一种倒装LED及其制备方法
    一种倒装LED及其制备方法_福建兆元光电有限公司_202610093653.1
    本发明公开了一种倒装LED及其制备方法，在衬底上生长外延层，根据切割道区域对外延层进行刻蚀并露出衬底；在蚀刻后的外延层上依次制备透明导电层、主反射镜层和PAD层；在已制备PAD层的LED芯片的表面沉积第一保护层，在第一保护层的表面对应切割道...
    2026-03-25
  • 一种多波段LED外延结构及其制备方法、白光LED光源
    一种多波段LED外延结构及其制备方法、白光LED光源_江西兆驰半导体有限公司_202511715708.X
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种多波段LED外延结构及其制备方法、白光LED光源，包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型半导体层；所述多量子阱发光层包括由下至上依次周期性...
    2026-03-25
  • Micro-LED芯片及其制备方法
    Micro-LED芯片及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202610187022.6
    本发明涉及光电子制造技术领域，具体公开了一种Micro‑LED芯片及其制备方法。Micro‑LED芯片包括：外延层、电流扩展层、P型金属导电层、N型金属导电层、DBR反射层、P型焊盘层和N型焊盘层；外延层包括依次层叠的N型半导体层、发光层和...
    2026-03-25
  • 一种红光Micro LED的外延片及其制备方法
    一种红光Micro LED的外延片及其制备方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511844710.7
    本发明公开了一种红光micro发光二极管外延片及其制备方法，所述外延片是在N型AlInP限制层和多量子阱层之间，依次设置n侧电子缓冲层和n侧AlInP过渡层。所述n侧电子缓冲层为周期性的AlxIn1‑xAsyP1‑y/Al0.4In0.6P...
    2026-03-25
  • 半导体器件及半导体器件的制造方法
    半导体器件及半导体器件的制造方法_旭化成微电子株式会社_202511872958.4
    本发明提供一种高性能的半导体器件及半导体器件的制造方法。半导体器件具备活性层和层叠于活性层之上的阻挡层，活性层包含砷或锑，阻挡层包含铝，将阻挡层层叠于活性层的方向设为深度方向，在从活性层到阻挡层的深度方向的原子浓度的分布中，氢浓度的上升位置...
    2026-03-25
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