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  • 本发明属于医疗设备监管技术领域,具体是基于云平台的医疗设备信息传输监管系统,包括云平台、信息采集模块、无线传输模块、传输稳定性检测模块、传输安全性检测模块和后台终端;本发明通过信息采集模块将医疗设备信息经由无线传输模块发送至云平台进行存储,...
  • 本发明公开了一种低成本联锁下位机通信连接分配方法、电子设备和可读存储介质,该方法包含:S1、初始化单个通信板卡最大连接数目M、单个网口最大连接数目N;S2、初始化单系通信板卡数目为1;S3、初始化通信节点信息结构体、通信板卡结构体;S4、获...
  • 本发明公开一种基于SSE的多场景业务PK组件的实现方法,涉及互联网交互技术领域;构建多场景业务PK组件,业务系统接入模块提供标准化API接口,用于外部业务系统无缝接入PK组件;PK竞赛配置模块配置用户自定义PK参数;SSE实时数据推送模块在...
  • 本申请提供一种车控服务的推荐方法、装置、车辆及计算机可读存储介质,其中,车控服务的推荐方法包括:响应于针对车辆的预设操作,基于获取的语音输入数据,确定多模态信息;其中,所述多模态信息包括语音信息、图像信息和参数信息;基于所述语音信息、所述图...
  • 本发明公开了一种可切换充电功率的充电宝的控制方法及系统,涉及充电宝技术领域,其包括建立与充电宝租借运营方的云端平台的数据连接关系;若接收有云端平台发送的目标手机的蓝牙信息,则建立和目标手机的数据连接;获取手机内若干个模块的电参数,得到实时功...
  • 本申请提供一种车载视觉感知系统及电子设备,包括:数据采集模块、算法集成模块和通信组件,还包括数据预览模块、视频处理模块、视频推流模块中至少一项;数据采集模块用于采集图像数据,将图像数据和采集完成时间发布;算法集成模块用于利用至少一种图像感知...
  • 本发明公开了一种PIS中多媒体系统故障自诊断方法、系统、装置和介质,方法包括利用每个媒体显示设备对应配置的电参数检测模块,分别实时检测电参数;利用每个视频监控设备采集监控图像;根据每个电参数,分别对对应的媒体显示设备进行初次故障诊断,得到对...
  • 本申请的实施例提供了一种智能跟踪拍摄方法、拍摄云台、设备及存储介质。所述方法包括获取拍摄云台中AI摄像头拍摄到的包含关键目标的第一画面,将第一画面输入至目标检测模型中,获取关键目标位置。然后,根据AI摄像头的畸变参数和旋转角度将关键目标位置...
  • 本发明公开了一种用于扬声器的面板结构及包含面板结构的扬声器组件,涉及汽车扬声器技术领域,所述面板结构包括中心部、边缘部、若干凸出部、若干底板部,所述若干凸出部位于所述中心部与所述边缘部之间,所述若干凸出部围绕所述中心部并以所述中心部的中心朝...
  • 本发明涉及一种双边缘耳蜗死区快速检测系统,包括:初始化测试模块,用于根据预设条件进行TEN测试初始化,并获取受试的一系列采样点结果;模型建立模块,用于根据受试的一系列采样点结果,基于高斯过程回归算法建立测试空间的应答概率模型;后验概率分布计...
  • 本申请公开了一种网络性能的预测方法、装置及电子设备。其中,该方法包括:获取目标区域对应的网络性能数据,其中,网络性能数据包括从多个系统采集的多个基站小区的数据;从网络性能数据中确定多个目标指标,其中,目标指标包括与网络性能体验具有相关性的指...
  • 本发明公开了一种无蜂窝可扩展分布式调度和资源分配架构及分配方法,包括:第一单元、第二单元、第三单元、第四单元和K个UE;第一单元用于资源协调和集中式调度调优,第二单元用于实现分布式的调度和资源分配,第三单元用于时频解耦,实现分布式的预编码和...
  • 本发明涉及时间同步技术领域,特别涉及一种增强5G‑TSN终端授时精度的方法与系统。该增强5G‑TSN终端授时精度的方法,利用5G系统内建机制将5G系统内部时间通过基站SIB9消息发送至5G双模组,校验并补偿误差后输出两路IRIG‑B码,FP...
  • 一种多级调光电路及照明设备,多级调光电路包括:第一采样开关模块、第二采样开关模块、采样模块和控制模块。通过设置预设阈值对第一采样开关模块、第二采样开关模块进行控制,配合采样模块的两个采样通道,既可以在发光模块的工作电流为小电流时进行采样,以...
  • 本发明提供了大冷量机架式CDU,涉及换热器领域,包括一次流路、二次流路、换热器、两个泵、框体、阀块和电气控制总成;通过对一次流路、二次流路、换热器、两个泵、框体、阀块和电气控制总成在框体矩形收纳区域内的合理布局,解决了现有CDU制冷效果差的...
  • 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括衬底、介质层以及导电接触孔。介质层形成于衬底一侧。导电接触孔贯穿介质层并延伸至衬底内。其中,导电接触孔包括形成于衬底的第一导电孔和形成于介质层的第二导电孔,第一导电孔的横剖面形状为N边形,...
  • 本发明属于功率半导体技术领域,一种集成超结与屏蔽栅技术的1200V SiC沟槽型MOSFET,它包括N+衬底层、位于N+衬底层上方的漂移区以及位于漂移区上方的槽栅结构和源极结构;与传统带P型屏蔽层的SiC沟槽型MOSFET相比,本发明降低了...
  • 本发明属于光电器件技术领域,涉及一种拓宽二维TMDC异质结光电器件探测波段的方法及光电器件,包括:制备TMDC异质结;通过重离子辐照,对TMDC异质结进行掺杂,从而使TMDC异质结的光吸收波段拓展到日盲紫外范围。本发明克服了其它方法掺杂过程...
  • 本发明属于光电器件技术领域,涉及一种基于重离子辐射的摩尔超晶格制备方法及TMDC摩尔超晶格,包括:通过重离子对多层TMDC材料进行重离子辐射,重离子的入射角度垂直于所述多层TMDC材料,或者与所述多层TMDC材料成倾角入射;重离子辐射在室温...
  • 本发明提供了一种LED装置以及LED灯具。所述LED装置包括:至少一个LED组件;壳体,设置于所述至少一个LED组件的背侧上;散热器,设置于所述壳体内并设置于所述至少一个LED组件的背侧上;冷却组件,设置于所述壳体内并包括空气通道和设置在所...
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