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最新专利技术
  • 一种硅晶片盒自动清洗检测一体装置
    一种硅晶片盒自动清洗检测一体装置_惠州市格瑞特实业有限公司_202510723721.3
    本发明提供一种硅晶片盒自动清洗检测一体装置， 属于硅晶片生产设备， 包括有工作台与清洗篮， 清洗篮内设有多组硅晶片盒本体， 工作台包括底座和顶台， 顶台上设有转运组件， 转运组件包括轨道和沿轨道滑动的两组机械臂， 机械臂末端均设有夹持清洗篮...
    2025-11-27
  • 一种无针式晶圆黏膜分离装置
    一种无针式晶圆黏膜分离装置_上海爵企电子科技有限公司_202510708137.0
    本发明公开了一种无针式晶圆黏膜分离装置， 涉及晶圆加工技术领域， 本发明通过将气孔环绕开设在帽盖顶部边缘位置， 通过气流高速流动对蓝膜底部进行连接， 而后将相互套接的第一顶出块、第二顶出块、第三顶出块、第四顶出块和第五顶出块滑动插接在帽盖顶...
    2025-11-27
  • 一种芯片封装流程监控方法及系统
    一种芯片封装流程监控方法及系统_深圳市派思迪功率半导体有限公司_202510626145.0
    本申请提供了一种芯片封装流程监控方法及系统， 运用于芯片加工技术领域， 通过控制终端获取传感器中对于芯片封装加工流程的监控数据；反馈机制实时反馈传感器监控数据并构建工艺参数；根据传感器监控数据判定是否处于加工标准相符的阈值区间；通过卷积网络...
    2025-11-27
  • 一种释放晶圆的控制方法和装置
    一种释放晶圆的控制方法和装置_东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司_202510941022.6
    本发明提供了一种释放晶圆的控制方法和装置。晶圆吸附于静电卡盘上且由顶针承接。控制方法包括：驱动移动对象以第一预设步进方式移动以使静电卡盘远离晶圆， 移动对象为静电卡盘和顶针之一；在完成第一预设步进方式的一步移动的间隔时长内， 获取表征晶圆与...
    2025-11-27
  • 芯片测试方法
    芯片测试方法_安特永(苏州)光电科技有限公司_202510934285.4
    本发明公开一种芯片测试方法， 包括如下步骤：提供晶圆级的封装结构， 封装结构包括若干待切割的芯片结构；半切封装结构， 以形成分隔若干芯片结构的切槽；自封装结构上取出若干芯片结构中的至少一个；对封装结构上未被取出的芯片结构进行晶圆级测试；将自...
    2025-11-27
  • 一种确定EMC晶圆与玻璃晶圆低温临时键合最优降温速率的试验方法
    一种确定EMC晶圆与玻璃晶圆低温临时键合最优降温速率的试验方法_东南大学_202510671209.9
    本发明公开了一种确定EMC晶圆与玻璃晶圆低温临时键合最优降温速率的试验方法， 包括：将键合腔内的真空度抽至5×10‑3Pa；将上下加热板的温度升高至200℃并维持该温度3分钟；向键合腔内施加5000N的压力， 并充入氮气以保持压力15分钟再...
    2025-11-27
  • 一种植球方法、植球设备和植球基板
    一种植球方法、植球设备和植球基板_深圳市中基自动化股份有限公司_202510900280.X
    本申请公开了一种植球方法、植球设备和植球基板， 涉及植球技术领域， 所述植球方法包括步骤：提供带金属微粒的溶液；将由带金属微粒的溶液形成带金属微粒的液滴， 并喷射到待植球基板上的目标位置；对所述待植球基板上的带金属微粒的液滴进行激光照射， ...
    2025-11-27
  • 一种扇出型封装方法及结构
    一种扇出型封装方法及结构_华天科技(江苏)有限公司_202510923905.4
    本发明公开了一种扇出型封装方法及结构， 该扇出型封装方法包括以下步骤：1)提供芯片保护结构；2)在芯片保护结构表面涂布绝缘层；3)将芯片和芯片保护结构装配在临时载板上；4)将芯片和芯片保护结构塑封成一体。本发明在塑封料内部嵌入回型金属框架或...
    2025-11-27
  • 封装件及其形成方法
    封装件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510785756.X
    一种封装件及其形成方法， 形成封装件的方法包括：形成覆盖封装组件的顶面的热层堆叠件， 其中， 热层堆叠件包括多个不同的金属子层；将封装组件连接到封装衬底；在封装衬底上和封装组件上沉积模制材料；以及将支撑环附接到模制材料。
    2025-11-27
  • 一种陶瓷基板上新型线路盖板孔的制作方法
    一种陶瓷基板上新型线路盖板孔的制作方法_南京云极芯半导体科技有限公司_202511270663.X
    本发明公开了一种陶瓷基板上新型线路盖板孔的制作方法， 步骤10， 第一次光刻胶涂敷；步骤20， 第一次曝光显影；步骤30， 第一次电镀处理；步骤40， 对位于第一次曝光区域的第一光刻胶层及附着在第一光刻胶层上的第一电镀金属层进行清除；步骤5...
    2025-11-27
  • 一种氮化铝CLCC封装外壳及其制备方法
    一种氮化铝CLCC封装外壳及其制备方法_合肥圣达电子科技实业有限公司_202510902579.9
    本发明属于集成电路封装技术领域， 尤其是一种氮化铝CLCC封装外壳及其制备方法。本发明步骤如下：S1、在已经印制好的表贴焊盘表面进行第一次开腔， 形成贯穿表贴焊盘的圆形通孔；S2、在圆形通孔内部进行浆料挂壁， 形成侧面焊盘；S3、将圆形通孔...
    2025-11-27
  • 一种陶瓷基板的制作方法、陶瓷基板和功率模块
    一种陶瓷基板的制作方法、陶瓷基板和功率模块_重庆云潼科技有限公司_202510841252.5
    本发明涉及功率模块技术领域， 尤其涉及一种陶瓷基板的制作方法、陶瓷基板和功率模块， 该方法包括：提供陶瓷基片、第一金属片和第二金属片；在第二金属片的第一面形成微沟槽冷却腔体， 在第二面形成与微沟槽冷却腔体连通的注射机构， 得到加工后的第二金...
    2025-11-27
  • 封装基板及其制备方法
    封装基板及其制备方法_南通深南电路有限公司_202510660209.9
    本发明公开了一种封装基板及其制备方法， 其中， 封装基板的制备方法包括：获取到两个基板， 其中， 两个基板中至少有一个玻璃基板， 两个基板包括第一基板以及第二基板；在第一基板的一侧上设置粘结层；其中， 粘结层上设置有多个通槽；在各通槽内填充...
    2025-11-27
  • 一种在氧化物半导体中无损伤均匀地质子掺杂方法及装置
    一种在氧化物半导体中无损伤均匀地质子掺杂方法及装置_南京航空航天大学_202510942941.5
    本发明公开了一种在氧化物半导体中无损伤均匀地质子掺杂方法及装置， 包括以下步骤：S1：在半导体基材的表面沉积铂薄膜；S2：将沉积铂薄膜后的半导体基材置于密闭容器中， 并通入含氢气的气氛；S3：加热所述密闭容器至100～300℃， 保持5分钟...
    2025-11-27
  • 一种金属硬掩膜层的刻蚀方法
    一种金属硬掩膜层的刻蚀方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510764198.9
    本发明提供了一种金属硬掩膜层的刻蚀方法， 该方法包括：提供预设基底；其中， 预设基底包括自上向下依次形成的图案化后的光阻层、抗反射层和金属硬掩膜层， 抗反射层包括有机抗反射层；重融步骤， 向腔室中通入含氩气体刻蚀光阻层使光阻层进行重融；修复...
    2025-11-27
  • 一种光刻胶减薄方法、设备及存储介质
    一种光刻胶减薄方法、设备及存储介质_珠海宝丰堂半导体股份有限公司_202511271215.1
    本发明实施例提供了一种光刻胶减薄方法、设备及存储介质， 方法包括：通过上下料模块将待处理晶圆从上料位置移送至反应机构；控制生成机构将等离子体输送至反应机构；控制抽真空装置对反应机构进行抽真空处理， 以使等离子体均匀蚀刻待处理晶圆表面的第一光...
    2025-11-27
  • 去除刻蚀栅栏的方法
    去除刻蚀栅栏的方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510809954.5
    本发明公开了一种去除刻蚀栅栏的方法， 应用于半导体双大马士革结构制造。该方法在沟槽及接触孔刻蚀与底部抗反射涂层回刻蚀之后、光刻胶去除之前， 包括：步骤一， 执行第一去栅栏步骤， 调整底部抗反射涂层塞的高度， 优选采用氧气等离子体；步骤二， ...
    2025-11-27
  • 一种刻蚀工艺开发方法、刻蚀工艺及半导体产品
    一种刻蚀工艺开发方法、刻蚀工艺及半导体产品_江苏昕感科技有限责任公司_202511276786.4
    本发明涉及一种刻蚀工艺开发方法， 所述方法包括：步骤1：在同一晶圆的不同区域， 采用不同的光罩进行曝光， 形成不同工艺层图案；步骤2：光刻完成后， 采集光刻关键尺寸数据；步骤3：根据所述光刻关键尺寸数据调整刻蚀参数， 进行刻蚀作业；步骤4：...
    2025-11-27
  • 深硅刻蚀方法及半导体工艺设备
    深硅刻蚀方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510812803.5
    本发明提供一种深硅刻蚀方法及半导体工艺设备， 涉及半导体技术领域。该深硅刻蚀方法包括循环步骤， 循环步骤包括用于在硅衬底刻蚀形成沟槽的刻蚀步、用于去除副产物的去除步和用于在沟槽的侧壁形成保护层的氧化步， 其中， 去除步所采用的工艺气体包括碳...
    2025-11-27
  • 掺杂多晶硅的刻蚀方法、半导体器件及其形成方法和半导体工艺设备
    掺杂多晶硅的刻蚀方法、半导体器件及其形成方法和半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510828991.0
    本发明涉及半导体技术领域， 尤其涉及一种掺杂多晶硅的刻蚀方法、半导体器件及其形成方法和半导体工艺设备。所提供的掺杂多晶硅的刻蚀方法， 包括：预刻蚀步， 采用第一工艺气体对掺杂多晶硅表面上的自然氧化层进行刻蚀， 以去除所述自然氧化层；主刻蚀步...
    2025-11-27
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