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最新专利技术
  • 一种智能功率模块、变换器及车载充电机
    一种智能功率模块、变换器及车载充电机_深圳威迈斯新能源(集团)股份有限公司_202511132945.3
    本发明公开了一种智能功率模块、变换器及车载充电机， 所述智能功率模块包括DBC基板、以及依次放置于所述DBC基板同一侧的导热介质层和多组功率组件， 所述DBC基板包括相对的设有多个功率引脚的功率侧和设有多个信号引脚的信号侧；所述功率器件通过...
    2025-11-21
  • 一种高密度功率模块及其封装方法
    一种高密度功率模块及其封装方法_天津瑞颐技术有限公司_202510980913.2
    本发明涉及功率电子器件封装技术领域， 提供了一种高密度功率模块及其封装方法， 其中， 印制电路板通过第一塑封层设置在基板上， 功率器件设置在印制电路板上并与印制电路板电连接， 嵌入式冷却板设置在功率器件上侧， 第一绝缘介质层设置在嵌入式冷却...
    2025-11-21
  • 半导体装置的制造方法以及半导体装置
    半导体装置的制造方法以及半导体装置_株式会社东芝_202410926176.3
    本发明的实施方式涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。本实施方式的半导体装置的制造方法包括：在具有第一面与凸部的半导体基板的凸部上形成第一导电型的半导体层， 所述凸部设于第一面的第一区域。本制造方法包括：在第一面上以凸部的台阶部中的膜厚比...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202410926177.8
    实施方式涉及半导体装置。半导体装置具有：第一电极；第二电极；半导体层， 具有在第一方向上排列的多个台面部；栅极电极， 在第一方向上与台面部相邻， 在第二方向上延伸；导电部件， 在第一方向上与台面部相邻， 在第二方向上延伸；第一连接部， 将第...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202410934287.9
    本发明的实施方式涉及半导体装置。本实施方式的半导体装置具备：半导体层， 具备第一主面以及与所述第一主面相反侧的第二主面；第一导电部， 设置于所述半导体层的所述第一主面；第二导电部， 设置于所述半导体层的所述第二主面， 经由具有导电性的接合材...
    2025-11-21
  • 半导体结构的形成方法、半导体功率器件及其形成方法
    半导体结构的形成方法、半导体功率器件及其形成方法_杭州奥罗拉半导体有限公司_202510740741.1
    本申请公开一种半导体结构的形成方法和一种功率半导体器件及其形成方法， 半导体结构的形成方法包括：提供衬底， 所述衬底表面形成有待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层表面形成具有第一开口的图形化掩膜层；采用第一刻蚀工艺， 沿所述第一开口刻蚀所述待刻...
    2025-11-21
  • 一种超结结构及半导体结构的制备方法
    一种超结结构及半导体结构的制备方法_瑶芯微(上海)电子科技股份有限公司_202510903106.0
    本发明提供一种超结结构及半导体结构的制备方法， 方法包括：第一导电类型外延漂移区刻蚀形成深沟槽后填充第二导电类型外延回填柱；后通过多次外延注入形成n层第一类型外延层和第二导电类型离子注入柱。本发明对第一导电类型外延漂移区之间的沟槽填充第二导...
    2025-11-21
  • 深沟槽结构、超级结器件及其制造方法
    深沟槽结构、超级结器件及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510818459.0
    本发明公开了一种深沟槽结构、超级结器件及其制造方法， 所述深沟槽结构， 其第一导电类型外延上部正中间形成有浮栅。本发明将深沟槽中P型外延填充速度较快时在P柱封口处产生EPI void通过刻蚀去除， 所以本发明能够搭配使用更快的P型外延填充速...
    2025-11-21
  • 功率半导体装置和生产功率半导体装置的方法
    功率半导体装置和生产功率半导体装置的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510430855.6
    本公开涉及功率半导体装置和生产功率半导体装置的方法。在功率半导体装置(1)中， 除了阻挡层结构(15)之外， 还提供深半导体区(105)。阻挡层结构(15)在空间上与有源区(1‑2)中的沟槽结构(14， 16)分离， 并且被布置在功率半导体...
    2025-11-21
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411142694.2
    提供能够抑制阈值电压的变动的半导体装置及其制造方法。根据一个实施方式， 半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、栅极电极、金属层以及第二电极。第一半导体区域设置在第一电极之...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411134482.X
    提供能够抑制阈值电压变动并且提高雪崩耐量的半导体装置。实施方式的半导体装置具备半导体层、第1电极、第2电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域和第1导电型的第3半导体区域。半导体层具备第1部分及第2部分。第1部分具备：第...
    2025-11-21
  • 绝缘栅极场效应管及其制备方法
    绝缘栅极场效应管及其制备方法_湖南虹安微电子有限责任公司_202410396053.3
    本发明实施例提供一种栅极绝缘场效应管包括：依次层叠的衬底层、掺杂半导体层、门极绝缘层和栅极层；掺杂半导体层包括：主体区；阱区， 与主体区的掺杂类型相反；阱区位于主体区远离衬底层的一端， 阱区包括第一注入区和第二注入区；第一注入区和第二注入区...
    2025-11-21
  • 绝缘栅极场效应管及其制备方法
    绝缘栅极场效应管及其制备方法_湖南虹安微电子有限责任公司_202410389239.6
    本发明实施例提供一种绝缘栅极场效应管， 包括沿第一方向依次叠设的半导体层、栅氧化物层、和栅极层；半导体层具有：漂移层， 第一掺杂型半导体层和第二掺杂型半导体层；漂移层具有第一子区， 第一子区位于栅氧化物层远离栅极层的一侧；第二掺杂型半导体层...
    2025-11-21
  • 沟槽、沟槽栅的形成方法及半导体器件
    沟槽、沟槽栅的形成方法及半导体器件_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202510989820.6
    本发明提供一种沟槽、沟槽栅的形成方法及半导体器件， 包括：提供碳化硅基底， 并在所述碳化硅基底上形成图形化的硬掩膜层；以图形化的所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述碳化硅基底， 以形成第一级沟槽；形成保护层， 所述保护层覆盖所述第一级沟槽的底壁及侧壁...
    2025-11-21
  • 一种晶圆级巨量转印异质薄膜方法及系统
    一种晶圆级巨量转印异质薄膜方法及系统_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202510751405.7
    本发明涉及一种晶圆级巨量转印异质薄膜方法及系统， 本发明通过晶圆级转印方法可将不同种类的材料转移到同一衬底上， 从而实现多种功能器件面内集成， 进而实现多种类系统在同一衬底下制备。
    2025-11-21
  • 晶体管器件及制造方法、功率模块、功率转换电路
    晶体管器件及制造方法、功率模块、功率转换电路_安徽芯塔电子科技有限公司_202510935347.3
    本发明提供了晶体管器件及制造方法、功率模块、功率转换电路， 它包括依次层叠的第一掺杂类型衬底、第一掺杂类型缓冲层和第一掺杂类型漂移层；在所述第一掺杂类型漂移层内设置有阵列排布的有源柱， 所述有源柱的顶面与所述第一掺杂类型漂移层的顶面齐平；所...
    2025-11-21
  • 一种具有应变硅沟道的增强型MOSFET性能结构及其制造工艺
    一种具有应变硅沟道的增强型MOSFET性能结构及其制造工艺_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202511309178.9
    本发明公开了一种具有应变硅沟道的增强型MOSFET性能结构及其制造工艺， 属于半导体技术领域；包括由若干个相互并列的MOS元胞构成， 单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、N阱层和...
    2025-11-21
  • 一种具有二阶氧化层的SiC MOSFET结构及其制备工艺
    一种具有二阶氧化层的SiC MOSFET结构及其制备工艺_杭州清芯微电子有限公司_202511309020.1
    本发明涉及MOS半导体技术领域， 且公开了一种具有二阶氧化层的SiC MOSFET结构及其制备工艺， 包括若干个相互并列的MOS元胞， 单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、栅极、源极和栅氧化层， 所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层...
    2025-11-21
  • 一种具有嵌入式氧化埋层的耐压MOSFET器件及其制备方法
    一种具有嵌入式氧化埋层的耐压MOSFET器件及其制备方法_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202511308942.0
    本发明涉及MOS半导体技术领域， 且公开了一种具有嵌入式氧化埋层的耐压MOSFET器件及其制备方法， 包括若干相互并列的MOS元胞， 单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极， 所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、N阱层、P...
    2025-11-21
  • 堆叠型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法
    堆叠型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法_江苏长晶科技股份有限公司_202511300314.8
    堆叠型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法， 在SGT MOSFET的沟槽中， 包括一个控制栅电极和两个屏蔽栅电极， 两个屏蔽栅电极位于控制栅电极的上下两侧， 共用一个控制栅电极。本发明在和传统SGT相同的元胞宽度、漂移电阻规格下， 增加沟槽深度...
    2025-11-21
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