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最新专利技术
  • 一种微型显示器精准对位与封装的方法
    一种微型显示器精准对位与封装的方法_北京航空航天大学合肥创新研究院_202410481647.4
    本申请公开了一种微型显示器精准对位与封装的方法， 利用正性光刻胶与微型显示器的蓝光发射源进行构造对位空腔， 然后填充红绿量子点材料， 可以在微型显示方案中实现底层蓝光发光结构与上层的转光层实现精准对位， 利用蓝光光源点亮辐照的方式进行实现。...
    2025-11-21
  • 一种改善散热的一次光学LED灯结构及其制作方法
    一种改善散热的一次光学LED灯结构及其制作方法_盐城东山精密制造有限公司_202510792876.2
    本发明提出一种改善散热的一次光学LED灯结构及其制作方法， 包括：铜基板， 其正表面设有固晶区域及第一正负极焊盘， 所述固晶区域为通槽， 防止其短路， 所述正表面的第一正负极焊盘周边蚀刻有第一沟槽， 与第一正负极焊盘配合， 使得锡膏熔化后只...
    2025-11-21
  • 一种SLD发射组件
    一种SLD发射组件_武汉海飞通光电子科技有限公司_202510699685.1
    本申请提供一种SLD发射组件， 包括SLD芯片和基板， 所述基板具有导热性， 所述SLD芯片固定在基板上， 还包括：可调电阻组件；半导体制冷器， 所述可调电阻组件与半导体制冷器电连接， 所述半导体制冷器的制冷端与所述基板相连接。本申请提供地...
    2025-11-21
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202510674613.1
    本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：外延结构、第一钝化层、透明导电层、第二钝化层和第三钝化层；第一钝化层具有第一凹槽， 第二钝化层具有第二凹槽， 第三钝化层具有第三凹槽；第三凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度， 第二凹槽的宽度...
    2025-11-21
  • 一种红外LED发光芯片及其制备方法
    一种红外LED发光芯片及其制备方法_国红(深圳)光电科技有限公司_202511033927.X
    本发明涉及一种红外LED发光芯片及其制备方法， 属于红外光学技术领域， 发光芯片的发光粉化学式为RaQbOc：xCr3+， Yby， 其中R为Y， La， Lu和Gd元素中的一种或两种， Q为Ga、Al元素中的一种或两种， 2.5≤a≤3....
    2025-11-21
  • 一种印刷固化用兼顾高光效高利用率的紫外LED封装结构
    一种印刷固化用兼顾高光效高利用率的紫外LED封装结构_成都恒坤朗宇光电科技有限公司_202510947387.X
    本发明公开了一种印刷固化用兼顾高光效高利用率的紫外LED封装结构， 包括封装支架、封装支架表面四周向上延伸形成具有两个台面的凸起， 凸起包括第一台面和第二台面， 所述第二台面表面上方设置封装透镜， 所述封装透镜与封装支架之间的载物面形成填充...
    2025-11-21
  • 发光器件、显示面板及发光器件的制备方法
    发光器件、显示面板及发光器件的制备方法_苏州市晟隆光电有限公司_202510995535.5
    本申请提供一种发光器件、显示面板及发光器件的制备方法。发光器件包括N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、反射层及电极层。多量子阱层位于N型半导体层上， P型半导体层位于多量子阱层远离N型半导体层的一侧。反射层位于P型半导体层远离N型半导体...
    2025-11-21
  • 一种LED晶圆及处理方法
    一种LED晶圆及处理方法_苏州易芯半导体有限公司_202510874459.2
    本申请提供了一种LED晶圆及处理方法， 通过在蓝宝石衬底的正表面和/或背表面设置氮化铝覆盖区域， 覆盖圆锥状凸起结构顶点， 以减少激光剥离过程中因折射率差异导致的氮化镓过度分解问题， 降低芯片裂纹风险， 提高了LED芯片的电性和光取出效率。
    2025-11-21
  • 一种发光二极管及其制造方法及发光器件
    一种发光二极管及其制造方法及发光器件_厦门三安光电有限公司_202510751858.X
    本发明提供一种发光二极管及其制造方法及发光器件， 发光二极管包括衬底及形成在衬底上方的半导体叠层， 发光二极管还包括第一绝缘层， 该第一绝缘层覆盖上述绝缘反射层的表面及侧壁并延伸至覆盖外围区域的衬底的表面。该第一绝缘层为原子层沉积方法得到的...
    2025-11-21
  • 改善韧性的发光二极管及其制备方法
    改善韧性的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202510672344.5
    本公开提供了一种改善韧性的发光二极管及其制备方法， 属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层和两个焊盘， 两个所述焊盘位于所述外延层的第一表面上， 且间隔排布在所述第一表面的两侧；所述第一表面的长度与宽度之比为2 : 1至5 : 1...
    2025-11-21
  • 改善电极挤金的发光二极管及其制备方法
    改善电极挤金的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202510672317.8
    本公开提供了一种改善电极挤金的发光二极管及其制备方法， 属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、第一电极和第二电极， 所述外延层包括发光区和非发光区， 所述第一电极位于所述非发光区， 所述第二电极位于所述发光区；所述第一电极在所述...
    2025-11-21
  • 低缺陷密度半极性GaN基光电子器件结构及其制备方法
    低缺陷密度半极性GaN基光电子器件结构及其制备方法_西安赛富乐斯半导体科技有限公司_202511066653.4
    本发明公开的低缺陷密度半极性GaN基光电子器件结构及其制备方法， 包括周期性图形化蓝宝石衬底， 图形化蓝宝石衬底上开设具有晶体生长表面的沟槽阵列， 晶体生长表面上生长有位于图形化蓝宝石衬底上方且图案化特征合并的半极性GaN， 半极性GaN的...
    2025-11-21
  • 半导体叠层、半导体元件及其制造方法
    半导体叠层、半导体元件及其制造方法_晶元光电股份有限公司_202510840714.1
    本发明公开一种半导体叠层、半导体元件及其制造方法。半导体元件包含第一半导体层以及发光结构。第一半导体层包含第一III‑V族半导体材料、第一掺杂物及第二掺杂物。发光结构位于第一半导体层上且包含活性结构。在第一半导体层中， 第二掺杂物的浓度大于...
    2025-11-21
  • 一种发光二极管晶圆及其制备方法
    一种发光二极管晶圆及其制备方法_罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司_202511349427.7
    本发明公开了一种发光二极管晶圆及其制备方法， 在本发明的发光二极管晶圆的制备方法中， 通过在所述P型半导体层上沉积第一金属薄层， 并对所述第一金属薄层进行热处理， 以形成第一金属颗粒层， 然后利用含有2, 9‑二己基萘[2, 3‑b]萘并[...
    2025-11-21
  • 集成热压与精准对位的LED芯片封装自动化压膜设备
    集成热压与精准对位的LED芯片封装自动化压膜设备_昆山梓澜电子材料有限公司_202511018479.6
    本发明公开有集成热压与精准对位的LED芯片封装自动化压膜设备， 涉及LED芯片封装技术领域， 具体包括膜压架和传输台， 膜压架一侧安装有传输台， 膜压架一侧活动连接有驱动旋盘， 且驱动旋盘侧通过轴承套设活动连接有旋臂；本发明的下模框上推基板...
    2025-11-21
  • 一种低侧壁损伤氮化镓基微型发光二极管及其制备方法
    一种低侧壁损伤氮化镓基微型发光二极管及其制备方法_苏州大学_202511000311.2
    本发明公开了一种低侧壁损伤氮化镓基微型发光二极管及其制备方法， 涉及发光管制备技术领域， 其包括在氮化镓外延片上蒸镀电流扩散层， 并在电流扩散层上蒸镀刻蚀掩膜；利用光刻将预设掩膜图案依次通过刻蚀转移至刻蚀掩膜以及电流扩散层上；通过电感耦合等...
    2025-11-21
  • 封装灯珠的制备方法及封装灯珠
    封装灯珠的制备方法及封装灯珠_湖北瑞华光电有限公司_202510884591.1
    本发明涉及LED封装技术领域， 特别涉及一种封装灯珠的制备方法及封装灯珠， 本发明提供的封装灯珠的制备方法， 通过提供包括依次设置的基板、LED芯片和荧光胶层的倒装芯片结构；通过点胶或印刷的方式在荧光胶层背离LED芯片的一面形成与LED芯片...
    2025-11-21
  • 一种基于聚光镜集成的抗共模干扰的光耦封装结构
    一种基于聚光镜集成的抗共模干扰的光耦封装结构_安徽泓冠光电科技有限公司_202511003001.6
    本发明涉及光耦技术领域， 尤其涉及一种基于聚光镜集成的抗共模干扰的光耦封装结构；使MYLAR聚光镜在虚拟平面投影完全覆盖IR引脚和PT引脚基岛上元件， 将IR芯片120°发散光聚焦至Φ0.15mm光斑， 能量密度达到230mW/mm²， 使...
    2025-11-21
  • 一种光窗盖板及光电器件
    一种光窗盖板及光电器件_昂纳科技(深圳)集团股份有限公司_202510892115.4
    本发明涉及光电器件封装技术领域， 具体涉及一种光窗盖板以及光电器件。该光窗盖板包括盖板、安装座以及光窗片， 盖板具有避空口；安装座设置于盖板上， 安装座内部中空， 安装座远离盖板的一侧设有安装槽， 安装槽通过安装座内部与避空口相连通；光窗片...
    2025-11-21
  • 太阳能电池及太阳能电池的制备方法
    太阳能电池及太阳能电池的制备方法_天合光能股份有限公司_202511359159.7
    本申请涉及一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法， 其包括半导体衬底、第一导电结构、第二导电结构以及可控电阻绝缘层。半导体衬底包括相对设置的第一面和第二面， 第一面包括交替排布的第一区和第二区；第一导电结构至少设于第一区；第二导电结构至少设于...
    2025-11-21
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