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最新专利技术
  • 具有光热转换性能的晶体材料及其制备方法与用途
    具有光热转换性能的晶体材料及其制备方法与用途_宁波大学_202511041264.6
    本发明公开了具有光热转换性能的晶体材料及其制备方法与用途。具体地，TTFDPNI‑Cd‑MOF，属于正交晶系，空间群为Pbca，晶胞参数α＝β＝γ＝90°。TTFDPNI‑Co‑MOF，属于单斜晶系，空间群为P21/n，晶胞参数α＝γ＝90...
    2026-03-18
  • 一种范德华材料、其制备方法及应用
    一种范德华材料、其制备方法及应用_中国科学技术大学_202510965872.X
    本发明提供了一种范德华材料、其制备方法及应用，具有式所示化学式：In2Ge2Se6式Ⅰ；所述范德华材料具有层状结构，且层间总热导率和层内总热导率具有各向异性。本发明中的范德华材料具备独特的键合结构：采用“层间限域”策略形成层内强共价键‑层间...
    2026-03-18
  • 一种用于SiC晶体生长的热场部件及其制备方法
    一种用于SiC晶体生长的热场部件及其制备方法_江苏集芯先进材料有限公司_202511168713.3
    本申请属于SiC晶体生长技术领域，具体涉及一种用于SiC晶体生长的热场部件及其制备方法。该热场部件包括热场部件本体，所述热场部件本体是由多孔碳化钽材料构成的。该热场部件能够高效过滤碳颗粒且具备耐腐蚀性，使用寿命长，可显著降低生产成本。
    2026-03-18
  • 一种以Lu2O3/Y2O3/Sc2O3为相变稳定剂的Dy/Ho磁光晶体材料及其制备方法
    一种以Lu2O3/Y2O3/Sc2O3为相变稳定剂的Dy/Ho磁光晶体材料及其制备方法_山东大学_202510923253.4
    本发明公开了一种以Lu2O3/Y2O3/Sc2O3为相变稳定剂的Dy/Ho磁光晶体材料及其制备方法，属于磁光晶体材料技术领域。所述Dy/Ho磁光晶体材料的化学式为(R1‑xR’x)2O3，R为Lu、Y和Sc中的至少一种，R’为Dy或Ho，其...
    2026-03-18
  • 一种用于生长紫外低吸收蓝宝石晶体的热场装置及其应用
    一种用于生长紫外低吸收蓝宝石晶体的热场装置及其应用_苏州徕因光学科技有限公司_202511211663.2
    本发明属于晶体生长技术领域，具体公开了一种用于生长紫外低吸收蓝宝石晶体的热场装置及其应用，该装置包括坩埚、加热器、熔体区、热交换支撑、内部反射屏和外部热场。内部反射屏采用多层高纯钨或钼材质，外部热场为表面涂覆玻璃化层或碳化硅涂层的石墨基体。...
    2026-03-18
  • 一种二维铍烯材料及其预测方法和应用
    一种二维铍烯材料及其预测方法和应用_河南省科学院半导体研究所_202511002889.1
    本发明公开了一种二维铍烯材料及其预测方法和应用，属于新能源纳米材料技术领域。二维铍烯材料为γ相二维铍烯材料，空间群为P‑6m2，由三个平面三角形单层构成。该γ相二维铍烯材料，具有优异的电化学催化析氢反应性能，具有广泛的实际应用潜力。
    2026-03-18
  • 一种N型电池钝化层的分级沉积LPCVD工艺
    一种N型电池钝化层的分级沉积LPCVD工艺_平煤隆基新能源科技有限公司_202511031350.9
    本发明涉及N型晶硅太阳能电池制造技术领域，具体是涉及一种N型电池钝化层的分级沉积LPCVD工艺；主要步骤包括沉积硅氧隧穿层1.5～2.5nm和分级沉积膜层，所述的分级沉积膜层步骤中，包括一级沉积获得多晶硅薄膜90～150nm，晶化率为80～...
    2026-03-18
  • 一种快速直接合成磷化铟的方法及装置
    一种快速直接合成磷化铟的方法及装置_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511025705.3
    本发明提供一种快速直接合成磷化铟的方法及装置，涉及磷化铟合成技术领域，一种快速直接合成磷化铟的装置，包括用于第一高纯度铟放置和第一固体氧化硼放置的主坩埚；设置在主坩埚内，用于第二固体氧化硼放置熔化的导流破碎筒；设置在主坩埚外侧，用于第二高纯...
    2026-03-18
  • 一种基于偶极子化设计的Ⅰ型量子阱结构的制备方法
    一种基于偶极子化设计的Ⅰ型量子阱结构的制备方法_长春理工大学_202511404075.0
    本发明涉及半导体光电子技术领域，具体涉及一种基于偶极子化设计的Ⅰ型量子阱结构的制备方法。具体技术方案为：包括GaSb衬底，在所述GaSb衬底层上通过分子束外延技术生长GaSb缓冲层和3个周期的量子阱有源区Inx1Ga1‑x1Asy1Sb1‑...
    2026-03-18
  • 一种亚纳米图案化衬底辅助MPCVD金刚石异质外延系统及方法
    一种亚纳米图案化衬底辅助MPCVD金刚石异质外延系统及方法_哈尔滨工业大学_202511026145.3
    本发明公开了一种亚纳米图案化衬底辅助MPCVD金刚石异质外延系统及方法。该方法包括：获取MPCVD反应腔体内的微波功率、光谱数据以及表面预先设置亚纳米图案的异质衬底的表面温度数据；根据光谱数据确定当前反应阶段并计算当前气体比例，另外生成对应...
    2026-03-18
  • 一种量子级联激光器超高应变材料组分、厚度控制方法
    一种量子级联激光器超高应变材料组分、厚度控制方法_山东华光光电子股份有限公司_202510817686.1
    本申请提供的一种量子级联激光器超高应变材料组分、厚度控制方法涉及半导体激光器技术领域。该控制方法基于应变补偿的标定方法，通过构建厚度相同的第一超晶格层和第二超晶格层，并形成应变平衡超晶格，保证整个外延层相对于衬底无应变，不仅解决了大应变材料...
    2026-03-18
  • 外延晶圆以及外延晶圆的制造方法和装置
    外延晶圆以及外延晶圆的制造方法和装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510775793.2
    本公开提供了一种外延晶圆以及外延晶圆的制造方法和装置，该制造方法包括：提供一衬底晶圆并置于外延沉积腔室的基座上；在外延生长过程中，向外延沉积腔室通入生长气体以在衬底晶圆表面生长外延层而得到外延晶圆；其中，至少在外延生长过程中的气相沉积阶段，...
    2026-03-18
  • 导气装置、加工设备和镀膜方法
    导气装置、加工设备和镀膜方法_中晟半导体(上海)有限公司_202511078733.1
    本申请提供一种导气装置、加工设备和镀膜方法，涉及半导体加工装置领域。该导气装置包括第一导气部、隔离壁和至少一个第二导气部；第一导气部和第二导气部匀具有进气通道、出气通道和具有匀气孔的匀气壁；匀气孔连通进气通道和出气通道，并配置为将进气通道中...
    2026-03-18
  • 一种基于柔性薄膜的单晶金刚石横向生长辅助装置
    一种基于柔性薄膜的单晶金刚石横向生长辅助装置_杭州超然金刚石有限公司_202511087509.9
    本发明公开了一种基于柔性薄膜的单晶金刚石横向生长辅助装置，涉及金刚石生产技术领域。包括：等离子反应腔，用于产生等离子体球；基台腔，与所述等离子反应腔相连通；基台腔内设置有基台，基台腔的内壁于第一高度设置有柔性薄膜，所述柔性薄膜的中部密封连接...
    2026-03-18
  • 一种基于单晶金刚石横向生长的等离子化学气相沉积系统
    一种基于单晶金刚石横向生长的等离子化学气相沉积系统_杭州超然金刚石有限公司_202511087244.2
    本发明公开了一种基于单晶金刚石横向生长的等离子化学气相沉积系统，涉及金刚石生产技术领域。包括：等离子反应腔，用于产生等离子体球；基台腔，与所述等离子反应腔相连通；基台腔内设置有基台，基台腔的内壁于第一高度设置有柔性薄膜，所述柔性薄膜的中部密...
    2026-03-18
  • 一种分子束外延设备用高温源炉
    一种分子束外延设备用高温源炉_中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司_202511073254.0
    本发明属于分子束外延设备技术领域，具体地说是一种分子束外延设备用高温源炉，加热装配组件安装于支撑座的一侧，支撑座的另一侧与电极法兰座相连；坩埚安装在加热装配组件中，调节钨杆的一端穿过加热装配组件与坩埚抵接、另一端与支撑座上转动安装的调节偏心...
    2026-03-18
  • 适用于超高真空、快速响应、切向摆动的电动束源炉挡板
    适用于超高真空、快速响应、切向摆动的电动束源炉挡板_中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司_202511033905.3
    本发明属于分子束源炉技术领域，具体地说是一种适用于超高真空、快速响应、切向摆动的电动束源炉挡板，包括安装于大气环境一侧的源炉挡板驱动组件和源炉挡板动作传递组件，以及安装于真空环境一侧的源炉挡板动作组件, 源炉挡板驱动组件和源炉挡板动作传递组...
    2026-03-18
  • 一种线性驱动方式带动束源炉挡板转动开关的装置
    一种线性驱动方式带动束源炉挡板转动开关的装置_中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司_202511009613.6
    本发明属于分子束源炉挡板技术领域，具体地说是一种线性驱动方式带动束源炉挡板转动开关的装置，法兰盘的两侧分别为大气侧及真空侧，压缩波纹管的一端与法兰盘大气侧表面固接、另一端为自由端，直线运动气缸固定在法兰盘大气侧表面上，传递杆能够相对移动地穿...
    2026-03-18
  • 一种碳化硅晶体的生长坩埚、生长装置及生长方法
    一种碳化硅晶体的生长坩埚、生长装置及生长方法_西安华合德新材料科技有限公司_202511384535.8
    本申请涉及碳化硅晶体生长技术领域，具体提供一种碳化硅晶体的生长坩埚、生长装置及生长方法，所述生长坩埚包括本体部、盖合部和导流部；其中，导流部设于本体部与盖合部之间；导流部为环状结构，导流部包括相对设置的第一表面和第二表面以及连通第一表面和第...
    2026-03-18
  • 一种生长立方碳化硅单晶的方法与装置
    一种生长立方碳化硅单晶的方法与装置_北京晶格领域半导体有限公司_202511383464.X
    本发明涉及一种生长立方碳化硅单晶的方法与装置，属于碳化硅单晶生产技术领域。所述方法采用的装置包括籽晶托和籽晶，籽晶托的一面设有多组沿籽晶托径向分布的温控组件，籽晶固定于籽晶托设有温控组件的一面；所述方法为：将生长原料加热熔融，得到高温熔体，...
    2026-03-18
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