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  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板、电控盒和电器设备,半导体装置包括:基板;整流焊盘包括第一整流焊盘、第二整流焊盘、第三整流焊盘和整流接地焊盘。第一整流焊盘和第二整流焊盘位于第三整流焊盘的第二方向的一侧且与第三整流焊盘之间形成有第一间隙,整...
  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备,半导体装置具有横向和纵向,其包括:塑封体;基板,基板至少部分地设置于塑封体内且为多个,多个基板在横向上间隔设置且包括第一基板、第二基板、第三基板,第一基板上设置有第一逆变功率焊盘、第...
  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板、电控盒和电器设备,半导体装置包括基板和驱动侧引脚框架,基板包括风机功率焊盘、压缩机功率焊盘、PFC功率焊盘,驱动侧引脚框架包括设置有风机驱动芯片的风机驱动焊盘、设置有压缩机驱动芯片的压缩机驱动焊盘和设置有...
  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备,半导体装置包括:塑封体;驱动侧引脚框架;基板,基板包括PFC功率焊盘;第一焊盘部上设置有PFC功率开关芯片,第二焊盘部上设置有PFC二极管芯片,PFC功率开关芯片具有第一负载电极焊盘...
  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备,半导体装置包括:塑封体;基板;驱动侧引脚框架,控制电极连接引脚为两个;控制电极电阻,控制电极电阻设置于PFC驱动芯片外部且两端分别与控制电极连接第一引脚和控制电极连接第二引脚电连接,...
  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板、电控盒和电器设备,半导体装置具有彼此垂直的第一方向和第二方向,半导体装置包括:基板和驱动侧引脚框架,驱动侧引脚框架包括沿第一方向间隔分布的第一风机驱动焊盘、第二风机驱动焊盘、第一压缩机驱动焊盘和第二压缩机...
  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备,半导体装置包括:驱动侧引脚框架,驱动侧引脚框架包括在横向上间隔设置的第一逆变驱动引脚框架、第二逆变驱动引脚框架和PFC驱动引脚框架,第一逆变驱动引脚框架包括第一逆变驱动芯片供电电压引...
  • 本发明公开了半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备,半导体装置包括:驱动侧引脚框架;第一逆变高侧驱动焊盘横向远离第一逆变低侧驱动焊盘的一侧为第一逆变高侧驱动第一焊盘边界;设定第二逆变驱动引脚框架沿横向邻近第二逆变低侧驱动焊盘的一侧为第二逆...
  • 本发明公开了半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备,半导体装置包括:塑封体;基板;驱动侧引脚框架,设定第一逆变低侧驱动芯片横向的一侧为第一逆变低侧驱动芯片边界,第一逆变高侧驱动芯片横向的一侧为第一逆变高侧驱动芯片边界,第二逆变低侧驱动芯片...
  • 本发明公开了半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备,半导体装置包括:塑封体;基板;驱动侧引脚框架,第一逆变驱动芯片与第一逆变功率芯片电连接,第二逆变驱动芯片和第二逆变功率芯片电连接,PFC驱动引脚框架上设置有PFC驱动芯片,PFC驱动芯片...
  • 本发明公开了一种半导体装置,半导体装置包括:驱动侧引脚框架,驱动侧引脚框架包括风机驱动引脚框架、压缩机驱动引脚框架、PFC驱动引脚框架和整流桥驱动引脚框架;第一基板,第一基板间隔设置于驱动侧引脚框架纵向的一侧,第一基板包括横向上间隔设置的风...
  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备,半导体装置包括:基板;驱动侧引脚框架,其至少部分地间隔设置于基板纵向的一侧,塑封体上设置有横向依次间隔设置的第一逆变抽芯针孔、第二逆变抽芯针孔、PFC抽芯针孔和整流桥抽芯针孔,第一逆...
  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备,半导体装置具有横向、纵向和竖向,其包括:塑封体;基板,基板至少部分地设置于塑封体内且为一个,一个基板上设置有横向依次间隔的第一逆变功率焊盘、第二逆变功率焊盘,PFC(功率因数校正)功...
  • 本发明公开了半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备,半导体装置包括:驱动侧引脚框架,第二逆变第三相高侧输入信号引脚更加邻近PFC驱动引脚框架,设定第二逆变高侧输入信号引脚第一边界和第二逆变高侧栅极驱动供电电压引脚边界。由此,通过将第二逆变...
  • 本申请公开了一种半导体装置及电器设备,半导体装置包括:基板,设置有PFC功率侧焊盘和第一地隔离焊盘;功率因数校正器,设置于PFC功率侧焊盘,包括PFC功率开关芯片;驱动侧框架,包括温度检测引脚和第一接地引脚;第一温度检测焊盘和第二温度检测焊...
  • 本申请提供了一种用于功率模块芯片互联铜膏及其制备方法,该铜膏包括以下重量份原料组成:铜粉70‑75重量份、金属盐溶液5‑10重量份、有机溶剂体系25‑30重量份。本申请制备方法获得的铜膏具抗氧化性能强,烧结温度低,有效抑制团聚,低温固化速度...
  • 本发明公开了一种虚设焊盘结构及其制备方法,包括晶圆电介质,在所述晶圆电介质表面形成有凹坑,所述凹坑的曲面与电介质层形成连续平滑曲线的界面,在所述凹坑内依次沉积有阻挡层二和种子层,在种子层内部填充有金属。本发明的虚设焊盘结构使焊盘与电介质间形...
  • 一种半导体器件,其包括:管芯座,所述管芯座具有上表面;焊料层,所述焊料层被设置在所述管芯座的所述上表面上;以及管芯,所述管芯被设置在所述焊料层上,使得所述焊料层在所述管芯座和所述管芯之间;其中所述焊料层包括多个隔离物,所述多个隔离物被配置为...
  • 本申请涉及一种具有暴露的有源电路系统的集成电路IC。在一个实例中,方法(100)可包含在第一晶片的第一表面上形成掩模层(102)。所述方法还可包含在所述掩模层中形成图案(104),以通过所述掩模层暴露所述第一晶片的区域。所述方法还可包含从所...
  • 本发明涉及一种用于半导体中介层制程的中介层电子模组及其制造方法,所述的中介层电子模组包括有一第一基材、一第二基材、至少一针脚及一胶脂层,所述至少一针脚固定在第一基材与第二基材之间,并在针脚外侧与两基材之间包覆有胶脂层;本发明还涉及了制造上述...
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