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一种掩膜版、承载装置及激光剥离方法
本发明涉及激光剥离技术领域,具体为一种掩膜版、承载装置及激光剥离方法,掩膜版包括透光区、遮光区,透光区用于激光透射,遮光区用于遮挡激光,承载装置包括上述掩膜版、承载板本体、开设于承载板本体中的放置区;激光剥离时,将显示屏放置于放置区中,将掩...
一种基于双层半固化胶膜的高透光COB封装方法
本发明涉及一种基于双层半固化胶膜的高透光COB封装方法,包括如下步骤:S1:低透光底膜压合处理:将底膜膜材贴合到待封装组件的芯片面上,进行第一次真空热压处理,形成底膜,得到一级组件;S2:低透光底膜固化处理:对一级组件进行第一次固化处理,得...
一种内置匀光微结构的小角度LED灯珠及其制备方法
本申请公开了一种内置匀光微结构的小角度LED灯珠及其制备方法,小角度LED灯珠包括一多层封装体,多层封装体覆盖在LED芯片上,并且包括第一封装层和第二封装层,第一封装层包含荧光粉并直接覆盖在LED芯片上;第二封装层设置在第一封装层的第一上表...
一种迭代循环触发的半导体发光装置及其制备方法
本发明涉及光电转换器件技术领域,尤其涉及一种迭代循环触发的半导体发光装置及其制备方法。装置包括半导体发光二极管,以及设置于所述半导体发光二极管的四周的石英衬底;所述石英衬底上涂覆上转换发光薄膜;所述上转换发光薄膜中的上转换发光材料包括NaY...
一种柔性可拉伸封装结构及光疗贴
本发明公开了一种柔性可拉伸封装结构及光疗贴,涉及柔性可拉伸电子技术领域领域。封装结构,包括:可拉伸基底;设于可拉伸基底上的弹性导电线路,包括相连的第一走线、第二走线和焊盘;设于可拉伸基底上的可拉伸封装,覆盖第一走线,其上设有用以露出弹性导电...
实时调节出光角度的发光二极管及其制备方法
本公开提供了一种实时调节出光角度的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括:外延层和超表面层,所述超表面层位于所述外延层的表面上;所述超表面层包括多个柱状结构,多个所述柱状结构阵列排布在所述外延层的表面上;所述超表面...
一种基于隧道结的高性能红光Micro LED外延结构及制备方法
本申请公开了一种基于隧道结的高性能红光Micro LED外延结构及制备方法,结构包括:GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型AlGaInP刻蚀截止层、隧道结结构、n型AlInP限制层、InGaP/AlInP多量子阱发光层、p型AlInP限制...
一种微型发光二极管
本发明公开了一种微型发光二极管,依次包括多面微锥镜图案层、外延层、电极和驱动基板,外延层依次包括GaN‑GaO半导体层、应力释放层、量子阱层、电子阻挡层和p‑GaN层,多面微锥镜图案层设置在GaN‑GaO半导体层上;所述多面微锥镜图案层通过...
半导体元件
本发明公开一种半导体元件,包括外延结构、第一电极、绝缘结构、阻挡层以及第二电极。外延结构包含第一半导体层、第二半导体层以及位于第一半导体层及第二半导体层间的活性区。第二半导体层具有第一部分及第二部分。第二部分的宽度小于第一部分的宽度,且第一...
一种基于选区自组装纳米结构的发光二极管及其制备方法
本发明涉及发光二极管技术领域,公开了一种基于选区自组装纳米结构的发光二极管及其制备方法,包括:衬底层;主缓冲层,设置在衬底层的一侧表面上;分布式布拉格反射器结构,包括多个多孔n型掺杂层和多个n型掺杂层,多个多孔n型掺杂层和多个n型掺杂层自下...
一种多波段LED外延结构及其制备方法
本发明涉及发光二极管技术领域,公开一种多波段LED外延结构及其制备方法,多波段LED外延结构包括多量子阱发光层,多量子阱发光层包括长波蓝光多量子阱层、短波蓝光多量子阱层、长波紫光多量子阱层和短波紫光末量子阱层,均为周期结构,单个周期均包括N...
发光二极管和发光二极管的制作方法
本公开提供了一种发光二极管和发光二极管的制作方法,属于发光器件领域。该发光二极管包括:依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层,第二半导体层和有源层开设有延伸到第一半导体层的凹槽;透明导电层,透明导电层位于第二半导体层上,透明导电层具有...
一种提升AlGaInP红光Micro LED发光性能的方法
本申请公开了一种提升AlGaInP红光Micro LED发光性能的方法,包括如下步骤:S1,外延结构制备:衬底与缓冲层处理、刻蚀阻挡层与欧姆接触层生长、功能层堆叠外延;S2,硅基衬底图形化;S3, 外延片预处理与Mesa刻蚀;S4,侧壁修复...
微型发光二极管的制备方法
本发明公开了一种微型发光二极管的制备方法,包括如下步骤:提供一LED外延片;其中,所述LED外延片包括层叠设置的GaN半导体层、量子阱层以及p‑GaN层;对所述GaN半导体层的N面进行退火处理,使所述GaN半导体层表面的GaN转化为GaO,...
高表面光提取效率的微型发光二极管的制备方法
本发明公开了高表面光提取效率的微型发光二极管的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:提供一LED外延片;其中,所述LED外延片包括层叠设置的GaN半导体层、量子阱层以及p‑GaN层;对所述GaN半导体层的N面进行退火处理,使所述GaN半导体层...
一种光电探测器
本发明涉及光电探测器领域,具体公开了一种光电探测器;本发明通过将电路板和光敏板等电子元器件设置在安装壳内部,再使用第一密封板和第二密封板对安装壳进行双重密封,在安装壳内部形成稳定的密封工作环境,能够有效避免安装壳内部在长时间使用后进入杂质,...
用于降低整体厚度的影像读取模块以及便携式电子装置
本发明提供一种用于降低整体厚度的影像读取模块以及便携式电子装置。影像读取模块包括电路衬底、图像感测芯片、绝缘连接结构以及镜头组件。图像感测芯片设置在电路衬底的贯穿开口内且通过多个金属引线以电性连接于电路衬底。绝缘连接结构设置在电路衬底的贯穿...
一种太阳能电池结构、太阳能电池、光伏组件
本申请涉及一种太阳能电池结构、太阳能电池、光伏组件。所述太阳能电池结构包括:衬底;第一反射结构,所述第一反射结构生长在衬底上;能量转换层,所述能量转换层生长在所述第一反射结构上;第二反射结构,所述第二反射结构生长在所述能量转换层上,所述第二...
具有载流子屏蔽缓解的光电二极管
本公开提供了一种具有载流子屏蔽缓解的光电二极管。光电二极管包括输入波导、包括光电二极管材料的光电二极管部件以及光耦合波导。输入波导和光耦合波导在光电二极管部件外部的相应端部处彼此光学耦合。光耦合波导沿着光电二极管材料的长度的至少一部分与光电...
太阳能电池及其制备方法
一种太阳能电池及其制备方法,太阳能电池包括硅衬底、位于硅衬底背面的钝化接触结构、背面电极;所述钝化接触结构包括位于硅衬底背面的隧穿层、位于所述隧穿层背面的第一掺杂多晶硅层、位于所述第一掺杂多晶硅层背面的栅线区的间隔层、位于所述间隔层背面的第...
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