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半导体装置
半导体装置(A10)具备第一芯片焊盘(21)、第一半导体元件(11)、第二芯片焊盘(22)、第二半导体元件(12)、密封树脂(50)、第一引线(23)、第二引线(24)、第三引线(25)以及第四引线(26)。所述第一引线、所述第二引线、所述...
包括集成器件以及在相同金属层上具有可变厚度金属化互连的金属化部分的封装
一种封装,包括集成器件和金属化部分。该金属化部分包括至少一个介电层;以及多个金属化互连。该多个金属化互连包括位于第一金属层上的第一金属化互连和位于第一金属层上的第二金属化互连。第一金属化互连包括第一厚度。第二金属化互连包括与第一厚度不同的第...
二乘二逻辑小芯片
本文的实施方案描述了集成电路(IC)的各种2x2配置,其中这些IC可以使用芯片到芯片接口与多个相邻IC通信。因此,2x2配置是对其他水平芯片集成格式(诸如1x2、1x3和1x4)的改进,其中这些IC中的一些IC可以仅与一个其他IC直接通信。
液体冷却的紧凑型功率系统
装置可以包括具有金属结构、金属元件、金属基座和晶体管的设备。金属结构、金属元件和金属基座中的每一个都可以包括基本上平坦并且相对面向的第一和第二表面。晶体管可以包括第一和第二端子,该第一和第二端子可以分别包括基本上平坦并且相对面向的第一和第二...
导电连接件、包括所述导电连接件的功率半导体模块和制造导电连接件的方法
详细说明了一种用于具有至少一个功率半导体部件(19)的功率半导体模块(16)的导电连接件(1),该导电连接件包括:‑ 外部连接部(2),该外部连接部被配置为在外部导电地连接,‑ 内部连接部(5),该内部连接部被配置为导电地连接至功率半导体部...
用于冷却至少两个电气和/或电子组件的可流体穿流的冷却器
本发明涉及一种可流体穿流的冷却器(100),其用于冷却至少两个电气和/或电子组件(200)。可流体穿流的冷却器(100)包括第一板(101)、第二板(102)、第三板(103)、至少两个冷却通道(104)和分配通道(105)。第二板(102...
半导体装置的制造方法和半导体装置
本发明提供一种半导体装置的制造方法,使包含冷却翅片的半导体装置的可靠性提高。半导体装置的制造方法包括准备保持半导体元件的底板的工序以及将冷却翅片安装到底板的背面的工序。安装冷却翅片的工序包含形成通过焊接将底板和冷却翅片接合后而得的接合部的工...
导热性片材
本发明的导热性片材的储能弹性模量为0.3×109~1.2×109Pa,拧紧力矩为0.5N·m时测定的热阻为0.07~0.12K/W。根据本发明,能够提供导热性及阶差追随性优异的导热性片材。
半导体元件搭载用基板
半导体元件搭载用基板具备:基材,其由金属构成;电极,其与半导体元件连接;以及保护层,其配置于基材与电极之间,该保护层由与形成基材的金属相比耐腐蚀性高的材料形成。
半导体装置以及半导体装置的制造方法
本公开涉及半导体装置,其目的在于提供能够容易地进行信号线与布线图案的电连接的半导体装置。本公开的半导体装置具备:半导体模块;管座,搭载半导体模块,并具有向与半导体模块相同的一侧突出的管座突出部;桥接基板,配置在管座突出部的上表面;引脚;以及...
球栅阵列封装
根据本发明的实施例的球栅阵列封装包括:第一电路板;设置在第一电路板上方的第二电路板;设置在第一电路板与第二电路板之间以便彼此间隔开的第一焊球和第二焊球;设置在第一电路板与第二电路板之间以便从第一电路板的上表面沿着第一焊球的第一侧表面延伸到第...
用以控制喷溅的激光切割
一个实例方法(100)包括沿着半导体衬底的相应划片道在进入点处将激光光束导引在所述半导体衬底(102)的第一侧表面处。所述衬底包括在所述第一侧表面处具有电路系统且由相应划片道彼此分离的多个裸片。所述激光光束聚焦在所述衬底内以形成经修改区和从...
具有不同气隙高度和金属迹线拐角保护结构的后道工序(BEOL)互连
一种集成电路(IC)包括基板上的第一金属间电介质(IMD)层中的后道工序(BEOL)互连。该IC也包括第二BEOL互连,该第二BEOL互连在第一IMD层上,通过第一IMD层中的第一BEOL过孔耦合到第一BEOL互连。该IC进一步包括第二IM...
减小背侧接触电阻的方法
本公开内容的一个或多个实施例涉及形成半导体器件的方法,例如,用在FEOL和/或BEOL工艺中的环绕式栅极(GAA)晶体管。本文描述的工艺可集成在任何合适的群集工具中并在其中执行。本公开内容的一些实施例涉及空腔成形工艺。本公开内容的另外实施例...
利用共形侧壁覆盖的选择性通孔填充
一种在半导体结构中用同时衬垫沉积选择性地填充通孔的方法,包括选择性地在导电层上方形成的介电层中形成的通孔内的导电层的暴露表面上形成钝化层,选择性地在所述通孔和在所述介电层中形成的沟槽的内侧壁上形成阻挡层,至少部分地用第一导电材料选择性地填充...
基板支撑组件
一种用于在处理站中支撑基板的支撑组件包括外壳、销、多个轴承元件及保持构件。所述外壳包括孔、形成在所述外壳外表面上的凹槽,及安置在所述凹槽中与所述孔相交的多个窗口。所述销安置在所述孔中并可在缩回位置与伸出位置之间移动。所述销包括轴,所述轴包括...
用于产生静电吸盘(ESC)台面图案的先进方法
本文公开的实施方式包括一种静电吸盘(ESC)。在一实施方式中,所述ESC包含具有第一表面的基板,其中所述第一表面具有第一表面粗糙度。所述ESC可进一步包含从所述第一表面向上延伸的多个台面。在一实施方式中,所述多个台面各自包括第二表面,其中所...
静电吸盘装置
一种静电吸盘装置,其具备:静电吸盘部,具有介电基板及吸附电极,该介电基板具有载置板状试样的载置面,该吸附电极配置于介电基板的内部;及基座,从与载置面相反的背面侧支撑静电吸盘部,并能够调整静电吸盘部的温度,静电吸盘部具有环状凸部,该环状凸部从...
将半导体晶圆固定在静电吸盘的系统以及利用其的将半导体晶圆固定在静电吸盘的方法
本发明一实施例的将半导体晶圆固定在静电吸盘的系统包括:静电吸盘;半导体粘合用膜,包括基材层、导电层及粘合层,所述导电层形成在所述基材层上,所述粘合层形成在所述导电层上,所述半导体粘合用膜以使得所述基材层朝向所述静电吸盘的方式固定在所述静电吸...
静电吸盘膜
本发明涉及一种静电吸盘膜,尤其,涉及包括形成在导电层上的粘合层,并且具有规定范围的电学性质及各层的厚度的静电吸盘膜。本发明的静电吸盘膜的特征在于,包括:基材层;导电层,形成在所述基材层上;以及粘合层,形成在所述导电层上。
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