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  • 本公开提供了一种新型片上高功率微波单元及其工作方法,涉及高功率微波技术技术领域,包括半绝缘宽禁带半导体晶片,在半绝缘宽禁带半导体晶片表面集成储能电容、光电导开关和平面辐射天线;储能电容包括高压端极板、接地端极板以及绝缘介质,绝缘介质设置在所...
  • 本发明公开一种像素单元结构及制备方法;涉及图像传感器技术领域;由PD区域将内部的电子传输至FD区域;第一P型离子区域用于改变PD区域内部的电势趋势;第一P型离子区域设置在PD区域周围;第二P型离子区域用于分隔PD区域并改变PD区域内部的电势...
  • 本发明提供一种复合金属栅格及其制备方法。该复合金属栅格的制备方法包括:在基底上形成芯模层;刻穿芯模层形成多个第一凹槽;形成第一保护层,第一保护层覆盖芯模层的顶面以及第一凹槽的侧壁和底面且在第一凹槽内限定出第二凹槽;在第二凹槽的底部填充第一金...
  • 本申请提供的一种传感器封装方法和传感器封装结构,涉及半导体封装技术领域。该传感器封装方法包括:提供具有挡墙结构的基板;在基板上贴装电子元件;其中,挡墙结构位于电子元件的外周。在挡墙结构远离基板的一侧贴装玻璃盖板;其中,玻璃盖板的边缘和挡墙结...
  • 本公开提供了一种雪崩光电探测器及其制备方法,其中,所述雪崩光电探测器包括:自下而上依次堆叠的第一电极层、衬底、吸收层、倍增层、欧姆接触层和第二电极层;其中,所述吸收层的材料包括氧化铟镓,所述倍增层的材料包括氧化镓。通过将光吸收过程与载流子倍...
  • 本申请公开了一种波导集成雪崩探测器,属于光互联技术领域,主要目的是提高光耦合效率和响应速度。本申请的主要技术方案为:该波导集成雪崩探测器,包括有源层、第一波导结构和第二波导结构;有源层内注入有呈梯度分布的P型杂质与N型杂质,以形成具有雪崩倍...
  • 本申请属于红外探测技术领域,公开了一种选区外延量子阱光探测芯片及其制造方法,包括底部电极、顶部电极、读出电路、高阻值硅衬底、第一掺杂锗层、量子阱吸收层、第二掺杂锗层和钝化层;高阻值硅衬底上开有多个以第一预设间隔分布的第一矩形凹槽;第一掺杂锗...
  • 本申请公开了一种光伏组件,包括:电池单元和背板,电池单元设于背板上,电池单元包括多个电池串,多个电池串通过汇流件电连接,汇流件沿第一方向延伸且具有沿第一方向延伸的第一长边;在第一方向上最靠近背板的边缘的汇流件为第一汇流件,第一汇流件朝向边缘...
  • 本申请提供了一种焊带处理装置、处理方法及电池串生产设备,焊带处理装置包括焊带整形机构、焊带切断机构及焊带牵引机构。焊带牵引机构牵引出横截面初始形状为正三角形的N根焊带。焊带整形机构被配置为每次在预定长度的焊带穿过焊带整形机构后夹紧N根焊带的...
  • 本申请涉及一种光伏组件及光伏组件的制备方法。光伏组件包括:多个电池片,多个电池片串联连接,电池片上设有图案电极;多个互联条,互联条用于电池片串联连接;以及焊料熔接结构,互联条通过焊料熔接结构与图案电极电连接;其中,至少一个互联条包含至少一段...
  • 本发明的实施例提出一种晶体夹胶预制件、曲面光伏组件及其封装工艺。所述晶体夹胶预制件包括第一胶膜层、柔性防裂膜、晶体硅电池串、第二胶膜层和汇流条。第一胶膜层、柔性防裂膜、晶体硅电池串和第二胶膜层从下至上依次层叠设置,所述柔性防裂膜的周向边缘超...
  • 背接触电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件,属于光伏技术领域,背接触电池包括衬底,衬底包括第一区、第二区和位于第一区和第二区之间的间隔区,隧穿氧化层和掺杂多晶硅层设置在第一区和间隔区,掺杂多晶硅层设置在隧穿氧化层沿厚度方向背离衬底的表面,非...
  • 本公开涉及光伏领域,提供一种背接触电池、叠层电池及光伏组件,至少可以改善热斑效应,并提高背接触电池的性能。背接触电池包括基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层、第一电极和第二电极。基底包括相对的第一面和第二面,第一面包括沿第一方向交替分布...
  • 本发明公开了一种高维持电压双向高压ESD结构,包括注入于基底内的第一N型深well掺杂类型阱区、第一N型well掺杂类型阱区以及两第一P型高压掺杂类型阱区、两对应注入于第一P型高压掺杂类型阱区内的第一P型well掺杂类型阱区;每一第一P型w...
  • 本发明涉及一种CMOS反相器、N沟道和P沟道增强型氮化镓器件的集成结构,所述集成结构包括:沟道层;势垒层;P型氮化镓层,位于势垒层上;P沟道器件源极,位于P型氮化镓层上;P沟道器件漏极,位于P型氮化镓层上;P沟道器件栅极结构,位于P沟道器件...
  • 本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板,该阵列基板包括衬底以及沿远离衬底方向层叠设置的第一导电层、第一绝缘层、第一半导体层和第二绝缘层,第一导电层包括第一信号线;第一半导体层包括第一半导体区;还包括第一过孔和第二过孔,第一过孔贯穿第...
  • 本申请实施例提供一种显示面板,该显示面板通过改变连接走线上的通孔与氧化物半导体晶体管的有源图案的相对位置,通过使源漏极层包括遮光图案,使得氧化物半导体晶体管的有源图案被连接走线、遮光图案中的一者或者多者完全覆盖,从而可以防止外界光线照射到氧...
  • 本申请涉及一种LTPO显示面板及电子设备。该LTPO显示面板包括衬底基板、遮光层、第一晶体管、第二晶体管、金属走线层、平坦化层及发光层,遮光层设置于衬底基板上,第一晶体管及第二晶体管分别位于遮光层的上方,金属走线层与遮光层电连接,平坦化层位...
  • 一种半导体器件及其制造方法,方法包括:提供衬底,在所述衬底上设置有埋氧层,在所述埋氧层上形成有晶体管以及覆盖所述晶体管的介质层;形成第一导电连接结构,所述第一导电连接结构从所述介质层背离所述衬底的一面朝向所述衬底延伸,依次贯穿所述介质层、所...
  • 一种显示装置与主动元件基板的制造方法,显示装置包括基板、遮光层、缓冲层、半导体层、绝缘层、第一导电层、第二导电层、第一源极及一第一漏极。基板具有显示区及位于显示区外的周边区。显示区具有第一主动元件区,周边区具有校正标记区。缓冲层位于基板上,...
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