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最新专利技术
  • 一种地毯生产用原料清洗装置及其方法
    一种地毯生产用原料清洗装置及其方法_江苏嘉茂地毯有限公司_202511263466.5
    本发明公开了一种地毯生产用原料清洗装置及其方法，属于地毯原料清洗技术领域，包括支撑框，支撑框底部设有水箱，支撑框内部设有揉搓板，揉搓板内部的两端均设有转动座，且两个转动座内部均转动连接有支撑块，并且两个支撑块的一端均设有揉搓框，两个揉搓框底...
    2025-11-28
  • 一种山羊原绒的低温处理方法
    一种山羊原绒的低温处理方法_新疆天山纺织服装有限公司_202511205207.7
    本发明属于毛纺原料加工技术领域，具体公开了一种山羊原绒的低温处理方法，包括：S1：人工分选原绒，同时向五槽洗绒机的二、三槽中加入1.5‑3.0kg净洗剂，设定15min的搅拌时间；S2：开松‑除尘，进行初步开松并除去尘土和杂质；S3：原绒通...
    2025-11-28
  • 一种DNA纳米阵列的制备方法与应用
    一种DNA纳米阵列的制备方法与应用_深圳清华大学研究院_202510952870.7
    本发明涉及DNA微阵列技术领域，公开了一种DNA纳米阵列的制备方法与应用。本发明的DNA纳米阵列的制备方法，其包括以下步骤：步骤1、获取DNA墨水，然后转移至基底材料边缘；步骤2、移动柔性平台使探针接触所述DNA墨水，然后在所述基底材料的第...
    2025-11-28
  • 用于低电阻率重掺磷硅单晶的气相掺杂装置及掺杂方法
    用于低电阻率重掺磷硅单晶的气相掺杂装置及掺杂方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511212901.1
    本发明提供一种用于低电阻率重掺磷硅单晶的气相掺杂装置及掺杂方法，属于重掺硅单晶生产技术领域。包括盛料组件、称料箱、传输组件、挥发加热腔、输气组件；盛料组件设置在称料箱中以盛放预定重量的红磷，传输组件将称料箱与挥发加热腔连接，以通过传输组件将...
    2025-11-28
  • 一种溶剂响应光学晶体及其制备方法和应用
    一种溶剂响应光学晶体及其制备方法和应用_中国地质大学(武汉)_202511139432.5
    本发明属于技术领域，具体公开了一种溶剂响应光学晶体及其制备方法和应用。该晶体为具有分子式为C30H48Cl9N3Sb2的新型结构，属于单斜晶系，空间群为P21/c，晶胞参数为a=9.2515(6) Å，b=25.738(2) Å，c=17....
    2025-11-28
  • 一种利用Zr4L6四面体笼构筑分子筛的合成方法
    一种利用Zr4L6四面体笼构筑分子筛的合成方法_中国科学院福建物质结构研究所_202410633411.8
    本发明提供一种Zr4L6‑SOD分子筛晶态物，其是由Zr4L6笼和三核Ba3簇单元Ba3(OH)6(H2O)2(MeCN)2配位连接形成的三维分子筛框架材料，具有SOD拓扑网络结构，具有基本上如图2所示的X射线粉末衍射图；其中，Zr4L6笼...
    2025-11-28
  • 一种硫酸钙晶须的制备方法
    一种硫酸钙晶须的制备方法_桂林奇宏科技有限公司_202511196679.0
    本发明属于硫酸钙晶须技术领域，具体涉及一种硫酸钙晶须的制备方法。本发明提供的硫酸钙晶须的制备方法包括以下步骤：将硫酸钙溶液和阴离子型纤维第一混合后进行晶核生长；所述阴离子型纤维的长度为0.02～50μm，直径为5～100nm；将形成晶核后的...
    2025-11-28
  • 一种面相大功率高速直调量子点激光器及其制备方法
    一种面相大功率高速直调量子点激光器及其制备方法_湖南汇思光电科技有限公司_202511508366.4
    本发明具体公开了一种面相大功率高速直调量子点激光器及其制备方法，将N型GaAs衬底送入MBE腔去除表面的氧化层，在去除表面氧化层的N型GaAs衬底上依次生长N型GaAs接触层，N型AlGaAs限制层，第一无掺杂GaAs波导层，多层量子点有源...
    2025-11-28
  • 氮化铝衬底及其制备方法
    氮化铝衬底及其制备方法_深圳大学_202510913403.3
    本申请提供了一种氮化铝衬底及其制备方法，氮化铝衬底通过中子辐照技术制备而成，载流子浓度为1019～1020cm‑3，电阻率为≤0.01Ω·cm。本申请氮化铝衬底具有比较高的导电性，其制备方法工艺简单、掺杂均匀且成本低。
    2025-11-28
  • 一种碳化硅生长坩埚及碳化硅生长装置
    一种碳化硅生长坩埚及碳化硅生长装置_中科超芯(浙江)新材料科技有限公司_202511272279.3
    本发明涉及碳化硅生长技术领域，且公开了一种碳化硅生长坩埚及碳化硅生长装置，包括固定架，还包括：防护机构，所述防护机构设置在固定架上，所述防护机构包括设置在固定架上的顶盖，所述顶盖上螺纹套设有坩埚筒，所述坩埚筒上设置有加热底座，所述坩埚筒的内...
    2025-11-28
  • 利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法
    利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法_中科超芯(浙江)新材料科技有限公司_202511191561.9
    本发明公开了利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法，具体涉及碳化硅材料再利用与晶体制备技术领域；获得具备晶向一致性的再利用单元体；基于所述单元体的晶向参数与热导特性，构建适用于高温热场下的晶体引导模型；将多个单元体阵列排布于长晶炉内设定的多级...
    2025-11-28
  • 一种降低碳化硅外延材料缺陷数量的方法
    一种降低碳化硅外延材料缺陷数量的方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511181746.1
    本申请公开了一种降低碳化硅外延材料缺陷数量的方法，涉及碳化硅外延技术领域，传送装置送片前，反应室温度设置为900℃，反应室压力设置为1000～1020mbar，气浮流量设置为0.8L/min，向反应室通入氢气，由20L/min逐步升高至12...
    2025-11-28
  • 一种外延片及其制备方法
    一种外延片及其制备方法_中环领先半导体科技股份有限公司_202511136856.6
    本申请公开了一种外延片及其制备方法，涉及半导体制造技术领域。一种外延片的制备方法，包括：向反应腔内通入第一载气、第一碳源和第一硅源，以在衬底远离基座的一侧形成外延层；其中，衬底包括第一区域、第二区域以及第三区域，第二区域环绕第一区域设置，第...
    2025-11-28
  • 一种碳化硅外延片及其制备方法
    一种碳化硅外延片及其制备方法_中环领先半导体科技股份有限公司_202511136849.6
    本申请提供一种碳化硅外延片及制备方法。碳化硅外延片的制备方法包括如下步骤：提供碳化硅衬底，将碳化硅衬底置于反应腔内；控制反应腔进行第一次升温，以缓解碳化硅衬底中的初始应力；控制反应腔进行第一次降温，以消除碳化硅衬底中的应力；控制反应腔进行第...
    2025-11-28
  • 一种八英寸碳化硅晶体生产装置和装配方法
    一种八英寸碳化硅晶体生产装置和装配方法_中国电子科技集团公司第四十六研究所_202511051471.X
    本申请提供了一种八英寸碳化硅晶体生产装置和装配方法，属于晶体生长技术领域，包括坩埚以及位于坩埚内部的过滤筒，过滤筒从上到下依次设置有上过滤部、中过滤部和下过滤部，上过滤部、中过滤部和下过滤部分别与坩埚的内壁形成依次连通的上放置腔、中放置腔和...
    2025-11-28
  • 碳化硅单晶的生长方法、电阻炉、电子设备及控制系统
    碳化硅单晶的生长方法、电阻炉、电子设备及控制系统_中国电子科技集团公司第四十六研究所_202511050249.8
    本发明提供一种碳化硅单晶的生长方法、电阻炉、电子设备及控制系统，涉及半导体技术领域。该方法包括：采集目标反应炉内的当前温度数据、目标碳化硅单晶的生长速率以及表面形态；根据生长速率和表面形态，确定温度控制参数；根据温度控制参数和当前温度数据，...
    2025-11-28
  • 一种锥模直拉法生长氧化镓晶体的方法
    一种锥模直拉法生长氧化镓晶体的方法_中原关键金属实验室_202511428295.7
    本申请提供了一种锥模直拉法生长氧化镓晶体的方法，包括：在铱坩埚中熔化氧化镓粉末形成氧化镓熔体，通过提拉杆下放籽晶进行下种、引晶、放肩、等径、收尾的步骤；在所述下种步骤之前，还包括：在所述提拉杆的下方连接一个倒锥形的漏斗；所述漏斗的尖端朝下且...
    2025-11-28
  • 一种氧化镓薄膜材料的外延生长方法
    一种氧化镓薄膜材料的外延生长方法_西安电子科技大学_202511197401.5
    本发明是一种氧化镓薄膜材料的外延生长方法，解决了氧化镓外延中因随机岛状成核、各向异性刻蚀导致的薄膜缺陷密度高，及工艺复杂等技术问题。实现包括：超声清洗衬底；退火处理；Al原子与In原子混合预沉积；脉冲Al原子辅助生长氧化镓薄膜。本发明以Al...
    2025-11-28
  • 一种电池级单晶四氧化三锰及其制备方法
    一种电池级单晶四氧化三锰及其制备方法_钦州南海化工有限公司_202511197375.6
    本发明涉及四氧化三锰制备技术领域，具体公开了一种电池级单晶四氧化三锰及其制备方法，所述Mn3O4为类球形四方相单晶，锰含量≥75％，平均粒径2‑8μm且D50偏差≤3％，杂质含量极低(Fe、Si、Ni、Co各自≤3ppm，Na+、K+各自≤...
    2025-11-28
  • 一种改善等径生长速率的单晶硅棒拉制方法
    一种改善等径生长速率的单晶硅棒拉制方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511403314.0
    本发明公开了一种改善等径生长速率的单晶硅棒拉制方法，涉及硅棒制备技术领域，包括：手动控制模式下开启参数栏显示功能，核对相关参数，结合生长记录确定坩埚下限位，计算得到临界埚位和放置埚位，设定参数，调整坩埚位置且确保液面不接触导流筒，观察捕捉是...
    2025-11-28
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