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最新专利技术
  • 一种二氧化硅气凝胶基相变温控再生纤维素纤维的制备方法
    一种二氧化硅气凝胶基相变温控再生纤维素纤维的制备方法_德州学院_202610086107.5
    本发明属于功能纤维材料技术领域，具体地说，是一种二氧化硅气凝胶基相变温控再生纤维素纤维的制备方法，所述制备方法包括氨基改性二氧化硅气凝胶的制备、相变材料溶液的制备、真空浸渍、共混纺丝溶液的制备、纺丝成型和后处理。在本发明的真空浸渍过程中，相...
    2026-03-05
  • 凉感聚乳酸复合材料及其制备方法与应用、凉感聚乳酸纤维
    凉感聚乳酸复合材料及其制备方法与应用、凉感聚乳酸纤维_安徽三宝棉纺针织投资有限公司_202511313888.9
    本发明公开了一种凉感聚乳酸复合材料及其制备方法与应用、凉感聚乳酸纤维，涉及凉感纤维技术领域，所述凉感聚乳酸复合材料的制备方法包括以下步骤：(1)在引发剂的作用下，聚乳酸与马来酸酐发生反应，得到马来酸酐接枝聚乳酸；(2)将马来酸酐接枝聚乳酸与...
    2026-03-05
  • 一种火焰棉纤维生产用分丝-排丝-梳理一体化装置
    一种火焰棉纤维生产用分丝-排丝-梳理一体化装置_内蒙古世环新材料股份有限公司_202511710536.7
    本发明涉及纤维生产技术领域，且公开了一种火焰棉纤维生产用分丝‑排丝‑梳理一体化装置，包括排丝箱以及设置于排丝箱内侧的网状传送带，排丝箱的一端设置有梳理机，另一端上方连通设置有分丝箱，分丝箱内侧上端设置有一对上料辊，上料辊下方设置有分丝针辊；...
    2026-03-05
  • 一种化纤丝的冷却装置
    一种化纤丝的冷却装置_湖州市中磊化纤有限公司_202511634538.2
    本发明涉及化纤丝生产技术领域，具体涉及一种化纤丝的冷却装置，包括冷却箱，所述冷却箱背面的顶端开设有进料口，所述冷却箱正面的底端开设有出料口，所述出料口的外侧固定安装有风冷箱，本发明通过设计避免了因冷却不均匀导致的化纤丝局部应力分布不均，减少...
    2026-03-05
  • 一种异形聚酯纤维的制备方法及制备装置
    一种异形聚酯纤维的制备方法及制备装置_江苏德力化纤有限公司_202610048864.3
    本发明属于聚酯纤维制备技术领域，涉及一种异形聚酯纤维的制备方法及制备装置。装置包括纺丝计量装置，纺丝计量装置包含熔体输送泵、计量泵、泵板，以及位于泵板与计量泵之间的泵板加热器和熔体冷却器；泵板加热器设有与泵板对应连通的螺栓通孔、浆料出孔、浆...
    2026-03-05
  • 一种轻量化高保暖羽绒服面料及其制备方法
    一种轻量化高保暖羽绒服面料及其制备方法_比音勒芬服饰股份有限公司_202610062709.7
    本发明属于树脂纤维层状产品，具体涉及一种轻量化高保暖羽绒服面料及其制备方法。本发明先以4, 4'‑二氨基二苯砜和苯磷酰二氯为原料制备得到改性剂，并和己内酰胺混合进行聚合反应，经过熔融纺丝和织造获得改性尼龙基布层，再通过乳液静电纺丝在改性尼龙...
    2026-03-05
  • 一种用于晶体炉的实时监测反馈控制设备及监测方法
    一种用于晶体炉的实时监测反馈控制设备及监测方法_中能兴盛(香河)半导体精密制造有限公司_202511706900.2
    本发明公开了一种用于晶体炉的实时监测反馈控制设备及监测方法，涉及晶体生长技术领域，磁浮定位梯度加热组件，通过Z轴线圈的上下对称设计和磁轭的闭合磁路，形成轴向约束，可精准控制坩埚的垂直位置径向约束，并且X和Y轴线圈通过左右、前后方向的磁场力，...
    2026-03-05
  • 一种晶体的退火装置及退火方法
    一种晶体的退火装置及退火方法_北京晶格领域半导体有限公司_202610062809.X
    本发明涉及一种晶体的退火装置及退火方法，属于晶体生产技术领域。所述退火装置包括：用于放置多个待退火的晶体的退火坩埚，退火坩埚的底部同轴设置有石墨毡，多个晶体从下往上依次同轴放置在石墨毡上，且相邻晶体之间设置有石墨块；设置在退火坩埚外部的保温...
    2026-03-05
  • 一种离子注入的铌酸锂晶体及其制备方法与电光开关
    一种离子注入的铌酸锂晶体及其制备方法与电光开关_山东大学_202511429414.0
    本发明公开了一种离子注入的铌酸锂晶体及其制备方法与电光开关，属于光电材料技术领域。该晶体的制备方法具体包括以下步骤：(1)通过离子注入技术对铌酸锂晶体进行离子注入处理；(2)可选择对离子注入后的铌酸锂晶体进行退火处理。本发明采用离子注入技术...
    2026-03-05
  • 立式扩散炉及其管理方法
    立式扩散炉及其管理方法_重庆奕能科技有限公司_202511878468.5
    本申请公开了一种立式扩散炉及其管理方法，立式扩散炉包括底座，用于固定晶舟；内炉管，所述内炉管竖直安装于所述底座上，并与所述底座形成一密封的工艺腔体，所述晶舟位于所述工艺腔体内；外炉管，设置于所述内炉管外部，与所述内炉管之间形成一密封的外腔体...
    2026-03-05
  • A[N(SO2NH2)2](A=Na，K，Rb或Cs)化合物及其晶体、制备方法和应用
    A[N(SO2NH2)2](A=Na，K，Rb或Cs)化合物及其晶体、制备方法和应用_天津理工大学_202511452270.0
    本发明公开了一种A[N(SO22NH22)22(A=Na，K，Rb或Cs)化合物及其晶体、制备方法和在非线性光学中的用途。本发明A[N(SO22NH22)22]化合物独特的极性四面体二聚基团，使该化合物和晶体具有显著提升的双折射。
    2026-03-05
  • 一种石墨烯碳化硅制备方法及其产品
    一种石墨烯碳化硅制备方法及其产品_重庆壮思飞智能装备有限公司_202511580045.5
    本发明涉及碳化硅单晶制备技术领域，公开了一种石墨烯碳化硅制备方法及其产品，步骤一、预热铜粉，将高纯铜粉放置到真空管式炉中，然后对真空管式炉抽真空后加热，使高纯铜粉达到第一预定温度；步骤二、生成石墨烯粉体，在步骤一中高纯铜粉升温至低于第一预定...
    2026-03-05
  • 一种导模法生长大尺寸氧化镓晶体的方法
    一种导模法生长大尺寸氧化镓晶体的方法_山东国镓晶谷半导体科技有限公司_202511660162.2
    本发明涉及一种导模法生长大尺寸氧化镓晶体的方法，涉及半导体材料技术领域，其中，所述生长方法包括以下步骤：(1)将高纯度β‑Ga22O33粉末装入模具中，安装籽晶，密封生长炉，抽高真空后充入高纯氩气至正压，升温；(2)多阶段变速放肩，直至完全...
    2026-03-05
  • 一种抗腐蚀的直拉式单晶炉副炉
    一种抗腐蚀的直拉式单晶炉副炉_常州四杰机械科技有限公司_202610010931.2
    本发明涉及单晶炉技术领域，具体为一种抗腐蚀的直拉式单晶炉副炉，包括副炉主体、驱动机构以及若干沿副炉主体内侧圆周方向布置的内衬板。所述内衬板围合形成用于单晶硅柱拉制成型的通道，内衬板分别与转轮盘和承环滑动配合，在驱动机构作用下同步偏转并径向移...
    2026-03-05
  • 一种降低半导体静态管路系统产生颗粒污染的方法
    一种降低半导体静态管路系统产生颗粒污染的方法_安徽华鑫微纳集成电路有限公司_202511805775.0
    本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种降低半导体静态管路系统产生颗粒污染的方法。静态管路系统指设置在多晶硅沉积设备中质量流量控制器与反应腔室法兰之间的所有固定、非动态调节的气体输送通道、连接件及其安装结构，静态管路的材质为不锈钢，方法为...
    2026-03-05
  • 一种在硅衬底上进行锑掺杂外延的方法
    一种在硅衬底上进行锑掺杂外延的方法_金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司_202610072496.6
    本发明公开了一种在硅衬底上进行锑掺杂外延的方法，属于半导体制造技术领域。该方法在外延CVD反应炉中，通过向反应室通入含硅源气体以及含SbH33和SbCl33的锑掺杂混合气体，在硅衬底表面进行外延生长。本发明利用SbH33和SbCl33在外延...
    2026-03-05
  • 一种氮化物半导体HVPE用三层环形喷头结构
    一种氮化物半导体HVPE用三层环形喷头结构_山东力冠微电子装备有限公司_202511436639.9
    本发明提供了一种氮化物半导体HVPE用三层环形喷头结构，属于氮化物半导体HVPE设备与外延技术领域，技术方案为，一种氮化物半导体HVPE用三层环形喷头结构，包括从内到外依次嵌套且同轴设置的内环、中环和外环；内环底部设置有齿尖朝下的第一锯齿，...
    2026-03-05
  • 一种用于碳化硅单晶生长的石墨导向环及其长晶工艺
    一种用于碳化硅单晶生长的石墨导向环及其长晶工艺_内蒙古清橙半导体科技有限公司_202511585551.3
    本发明属于碳化硅晶体制备技术领域，具体涉及一种用于碳化硅单晶生长的石墨导向环及其长晶工艺。该石墨导向环包含接近籽晶边缘的导向环内结构层和导向环外结构层以及设置于两者之间的中介层，导向环内结构层为等径或扩径曲面，中介层截面为梯形，梯形顶部长度...
    2026-03-05
  • 凹面籽晶、基于凹面籽晶的单晶生长方法及碳化硅单晶
    凹面籽晶、基于凹面籽晶的单晶生长方法及碳化硅单晶_内蒙古清橙半导体科技有限公司_202511585415.4
    本发明属于碳化硅单晶制备技术领域，具体涉及凹面籽晶、基于凹面籽晶的单晶生长方法及碳化硅单晶。该方法的核心在于采用特定几何参数的凹面籽晶，在物理气相传输法生长过程中，通过精确控制热场，使籽晶边缘温度T22持续高于中心温度T11，并维持5~25...
    2026-03-05
  • 一种控制单晶联体导向叶片壁厚尺寸的方法
    一种控制单晶联体导向叶片壁厚尺寸的方法_中国科学院金属研究所_202511792772.8
    本发明涉及高温合金熔模精密铸造技术领域，具体为一种控制单晶联体导向叶片壁厚尺寸的方法。根据蜡模组合方案中每一联导向叶片的倾斜角度，在叶片型芯上粘贴叶盆侧与叶背侧不同厚度、进气侧至排气侧厚度渐变的芯撑；将粘贴芯撑的叶片型芯放入模具，射蜡完成蜡...
    2026-03-05
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