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显影剂担载体及其制造方法
本发明涉及显影剂担载体及其制造方法。显影剂担载体具备轴、磁铁、套筒、凸缘以及粘接剂,凸缘具有第一嵌合部、第二嵌合部以及槽部,粘接剂配置于槽部,第一槽部以及第二槽部依次从第一嵌合部侧朝向第二嵌合部侧连续地形成,从第二槽部的底面到第一嵌合部的外...
显影剂担载体及其制造方法
本发明涉及显影剂担载体及其制造方法。显影剂担载体具备轴、磁铁、套筒、凸缘以及粘接剂,凸缘具有第一嵌合部、第二嵌合部以及槽部,粘接剂配置于槽部,第一槽部、第二槽部以及第三槽部按该顺序从第一嵌合部侧朝向第二嵌合部侧连续地形成,从第二槽部的底面到...
一种显影盒
本发明提供了一种显影盒,包括:盒体用于储存显影剂;盒体的内部容纳设置有容纳腔;显影辊可绕沿第一方向延伸的显影轴线旋转,显影辊位于第三端;送粉辊可绕沿第一方向延伸的送粉轴线旋转,送粉辊位于第三端;第六端设置有底壁,底壁的延伸方向与第二方向和第...
静电消除器、图像形成系统和电荷调整装置
公开了静电消除器、图像形成系统和电荷调整装置。一种图像形成系统包括被配置为在片材上形成图像的图像形成装置以及具有电荷消除组件的静电消除器,该电荷消除组件被配置为对由图像形成装置形成有图像的片材进行中和。静电消除器包括第一设置单元,该第一设置...
片材传送设备和图像形成设备
本申请涉及一种片材传送设备,其包括形成夹持部分的传送辊对以及能够在第一位置和第二位置之间移动的传送引导件。传送辊对沿片材传送方向传送在夹持部分处被夹持的片材。在传送引导件处于第二位置的状态下,片材传送路径的至少一部分是打开的。在片材的前缘通...
半导体的叠对测量方法
本发明提供一种半导体的叠对测量方法,包含提供一晶圆,晶圆上包含有多个区域排列成阵列,其中各区域内包含有一产品编号图案,提供一系统,系统中包含有一资料池,资料池中存储有多个英文字母图案以及数字图案,从资料池中找出符合产品编号图案的英文字母图案...
一种基于碱溶性金属剥离胶的双层剥离工艺
本发明公开了一种基于碱溶性金属剥离胶的双层剥离工艺,属于微电子制造技术领域。本发明用于解决传统的双层lift‑off金属剥离工艺中,交联固化后的胶膜难以用常规的有机溶剂/碱性溶液彻底去除,极易产生胶残留;单层负胶lift‑off金属剥离工艺...
负性光刻胶去边方法
本发明提供了一种负性光刻胶去边方法,包括提供晶圆,在晶圆的表面旋涂负性光刻胶,在晶圆边缘的负性光刻胶上形成环状掩模,以环状掩模遮挡晶圆边缘的负性光刻胶,对负性光刻胶进行曝光;以及,显影去除环状掩模和环状掩模遮挡的负性光刻胶。本发明实现对负性...
一种适用于RDL工艺的剥膜液
本发明提供了一种适用于RDL工艺的剥膜液,该剥膜液由醇类、扩溶剂、金属腐蚀抑制剂、解离剂和有机溶剂组成。醇类为2‑正丙基‑1, 3‑丙二醇、3‑甲氧基‑1, 2‑丙二醇、2, 2‑二异丁基‑1, 3‑丙二醇中的一种或几种。扩溶剂为苄基甲基醚...
一种适用于凸点工艺的剥膜液
本发明提供了一种适用于凸点工艺的剥膜液,该剥膜液由增溶剂、醇类、金属腐蚀抑制剂、解胶剂和有机溶剂组成。其中增溶剂为单乙醇胺、三乙醇胺、N, N‑二乙基乙醇胺、N‑乙基二乙醇胺、氨水和四甲基氢氧化铵中的组合。金属腐蚀抑制剂为唑类和多酚类物质中...
一种线路板用显影设备及工艺
本发明属于线路板加工技术领域,具体的说是一种线路板用显影设备及工艺,包括机架、传送单元、分区显影单元、超声辅助单元、在线检测单元、显影液循环回收单元、控温控压单元和中央控制系统;所述传送单元、分区显影单元、超声辅助单元、在线检测单元、显影液...
具有散热系统的灯室以及光刻设备
本申请公开了一种具有散热系统的灯室以及光刻设备,属于半导体设备技术领域。在本申请中,具有散热系统的灯室包括:光源单元、反射单元、遮光单元、散热单元、支承架、外框架以及出光口。散热单元采用整体与局部相结合的分级散热策略,具备:第一散热模块,通...
用于全息光刻照明系统的光轴标记方法和装置
本申请提供一种用于全息光刻照明系统的光轴标记方法和装置,包括以下步骤:采用波前检测设备对照明系统进行波前测量,获取标准入射光轴对应的照明系统透射波前像差满足预设阈值;在照明系统的入光口设置光轴标记元件,光轴标记元件具有中心透射区域和外围反射...
光刻派工方法、系统以及电子设备
本申请提供了一种光刻派工方法、系统以及电子设备,方法包括:获取各晶圆批次的光刻信息,根据晶圆批次的当前状态以及工艺路线,确定晶圆批次的预测状态,根据光刻信息以及预测状态,确定晶圆批次的多个待选执行方案,根据预设的派工策略、光刻信息以及晶圆批...
一种基于手动调节的曝光机工作台
本发明公开了一种基于手动调节的曝光机工作台,X轴载板具有相对底座沿X轴方向活动的自由度;Y轴载板具有相对X轴载板沿Y轴方向活动的自由度;旋转台具有相对Y轴载板沿C轴方向活动的自由度;调平台设置于旋转台上;X轴载板和底座的二者之间、和/或Y轴...
光刻建模的旋转方差的确定方法、产品、存储介质及设备
本发明提供了一种光刻建模的旋转方差的确定方法、产品、存储介质及设备。该方法包括:获取光刻模型的原始光学信息,原始光学信息包括:旋转前的光源信息、设计图案版图、光刻胶图形量测数据以及设定旋转角度;获取待确定旋转方差的TCC卷积核的数量范围;对...
一种短波长大面积共形接触式光刻工艺
本发明提供了一种短波长大面积共形接触式光刻工艺,将衬底用去离子水超声清洗5分钟,并用氮气吹干;采用旋转涂胶法涂胶,得到均匀无杂质的近零黏附光刻胶膜;涂胶完成后,将其放到热板上180℃加热3‑5min,去除光刻胶中的多余溶剂;将印章共形贴合至...
一种基于沙姆定律的微反射镜阵列照明系统及方法
一种基于沙姆定律的微反射镜阵列照明系统包括光源阵列、光阑阵列、成像镜组、微反射镜阵列。光源阵列照明光阑阵列,光阑阵列、成像镜组、微反射镜阵列符合沙姆定律,光阑阵列可以清晰成像在微反射镜阵列上,在微反射镜阵列上形成尺寸更小而且大小一致的圆形光...
一种基于探针辅助定位的灰度激光直写方法
本申请实施例提供一种基于探针辅助定位的灰度激光直写方法,包括以下步骤:用扫描热探针在原子力显微镜模式下,通过探针接触‑反馈机制获取二维材料表面高度信息,实现对二维材料表面亚纳米级的寻焦与定位;在二维材料表面形成亚微米尺度的局域能量分布;对所...
写场曝光方法、曝光设备、电子设备、介质及产品
本申请公开了一种写场曝光方法、曝光设备、电子设备、介质及产品,应用于光刻技术领域。方法包括:基于曝光设备的写场范围,将待曝光图形划分为多个待曝光区域;降低相邻的多个待曝光区域相对的边缘区域的曝光时间,相邻的多个待曝光区域相对的边缘区域对应待...
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