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最新专利技术
  • 一种基于迈克尔逊干涉仪的动态干涉定焦方法和系统
    一种基于迈克尔逊干涉仪的动态干涉定焦方法和系统_浙江大学_202511824831.5
    本发明提供了一种基于迈克尔逊干涉仪的动态干涉定焦方法和系统，该方法包括：采用基于迈克尔逊干涉仪的动态干涉定焦系统获得不同离焦量下的干涉条纹，通过上位机对接收到的所述干涉条纹进行解析得到相位信息，并基于不同离焦量下对应的干涉条纹的相位信息构建...
    2026-03-21
  • 一种基于涡旋光正弦相位调制的光刻机对准测量系统
    一种基于涡旋光正弦相位调制的光刻机对准测量系统_浙江大学_202511823675.0
    本发明公开了一种基于涡旋光正弦相位调制的光刻机对准测量系统。系统包含的第一光路系统和第二光路系统共用激光器、涡旋光生成器及主反射镜；涡旋光生成器对入射激光进行相位调制，输出具有涡旋相位特征的光束；光束经主反射镜垂直反射至硅片上的光栅对准标记...
    2026-03-21
  • 一种多波长涡旋光投影光刻机对准传感系统
    一种多波长涡旋光投影光刻机对准传感系统_浙江大学_202511818973.0
    本发明公开了一种多波长涡旋光投影光刻机对准传感系统。系统由平行设置且具有不同波长的n个光源、与每个光源对应的涡旋光生成器、光束合束器、反射镜、两个振幅光栅、道威棱镜、四分之一波片、二分之一波片、偏振分束器以及与每个光源对应的探测器组成。探测...
    2026-03-21
  • 光刻工艺的晶圆对位方法及系统
    光刻工艺的晶圆对位方法及系统_上海光通信有限公司_202411215444.7
    一种光刻工艺的晶圆对位方法及系统，所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆上具有对位标记；初步扫描所述对位标记以确定晶圆对准质量值以及所述对位标记的位置，其中，所述初步扫描使用的激光光强小于标准光强，所述标准光强为预设的光强标准工艺规格的标准值；响...
    2026-03-21
  • 基板处理装置及基板处理方法
    基板处理装置及基板处理方法_株式会社斯库林集团_202511302045.9
    本发明提供一种基板处理装置，其以能够充分承受基板旋转的吸附力吸附保持基板，并利用处理液进行处理。在本发明中，吸盘主体的吸附区域被密封件的环状弹性部包围。在基板的下表面中央与吸盘主体的吸附区域抵接之前，环状弹性部包围基板的下表面中央并且追随基...
    2026-03-21
  • 光刻机的曝光控制方法、装置、设备及存储介质
    光刻机的曝光控制方法、装置、设备及存储介质_广州增芯科技有限公司_202610187599.7
    本申请提供一种光刻机的曝光控制方法、装置、设备及存储介质，涉及半导体制造技术领域。该方法包括在曝光开始前，控制预加热装置对光刻机的光罩进行加热，使得光罩在加热后达到最大形变值；将加热后的光罩转移至光刻机内，并根据预设曝光参数采用加热后的光罩...
    2026-03-21
  • 一种分辨率可调的超分辨光纤数字化无掩模光刻装置及方法
    一种分辨率可调的超分辨光纤数字化无掩模光刻装置及方法_西湖大学光电研究院_202610186959.1
    本申请公开了一种分辨率可调的超分辨光纤数字化无掩模光刻装置及方法，涉及数字化无掩模光刻技术领域。其中，STED超分辨光源与光纤分束组件输出M×N份等比例光强的双波长光束；数字化图案编程器控制M×N个数字化光开关的通断与输出光束强度，编程并像...
    2026-03-21
  • 一种高通量三维超分辨双光子激光直写系统和方法
    一种高通量三维超分辨双光子激光直写系统和方法_浙江大学_202512028901.2
    本发明公开了一种高通量三维超分辨双光子激光直写系统和方法，该系统通过控制飞秒激光经过数字微镜阵列后反射产生的角色散和第三透镜的焦距，就能够使得飞秒激光在物镜入瞳处满瞳，从而实现高通量三维超分辨双光子激光直写，无需对飞秒激光的脉宽进行特殊的调...
    2026-03-21
  • 基于非结构网格到笛卡尔网格转换的光刻仿真方法及装置
    基于非结构网格到笛卡尔网格转换的光刻仿真方法及装置_东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司_202511967030.4
    提供一种基于非结构网格到笛卡尔网格转换的光刻仿真方法及装置。光刻仿真方法包括：利用非结构网格描述光刻胶的形貌变化，其中，非结构网格中的每个格点所代表的目标参数值已知；将非结构网格投影到笛卡尔网格中；基于非结构网格的边界处的格点在笛卡尔网格中...
    2026-03-21
  • 一种用于光斑位置偏移量装调的离线调节装置和调节方法
    一种用于光斑位置偏移量装调的离线调节装置和调节方法_中国科学院上海光学精密机械研究所_202511914548.1
    本发明公开了一种用于光斑位置偏移量装调的离线调节装置及方法，属于光学精密装调技术领域。所述装置包括可在同一离线平台上通过配置不同探测单元形成的单光束发光方向调节装置、单光束发光位置调节装置和多光束角度调节装置。方法包括：依次利用上述装置校准...
    2026-03-21
  • 一种用于阴影成像系统的激光照明与成像镜头组
    一种用于阴影成像系统的激光照明与成像镜头组_中国科学院上海光学精密机械研究所_202511903166.9
    本发明公开了一种用于阴影成像系统的激光照明与成像镜头组，所述激光照明与成像镜头组包括照明镜头和成像镜头，照明镜头将高斯光束整形为平顶光束，均匀照射待观测物体，成像镜头对目标区域成像得到被观测物体的阴影轮廓图像。照明镜头包括具有负光焦度的第一...
    2026-03-21
  • 线边仓光阻管理系统
    线边仓光阻管理系统_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511861997.4
    本发明涉及一种线边仓光阻管理系统。所述线边仓光阻管理系统能够获取入库线边仓的预包装光阻对应的唯一编码，并设置不同材料类型的入库光阻对应的光阻相关参数，输出光阻入库后的实时数据，便于查看、管理及数据分析，例如可以监控入库光阻的退冰状态和有效期...
    2026-03-21
  • 一种EUV微曝光装置及曝光方法
    一种EUV微曝光装置及曝光方法_中国科学院上海光学精密机械研究所_202511855655.1
    本发明公开一种EUV微曝光装置及曝光方法，该微曝光装置包括双腔室真空平台、EUV光学系统、掩膜版、微缩投影物镜组和涂有光刻胶的晶圆。在EUV光学系统中，椭球型收集镜收集EUV光源系统中PF点辐射出的EUV光，并经EUV反射镜模块将其照射到掩...
    2026-03-21
  • 相位板的制作方法和相位板
    相位板的制作方法和相位板_深圳稳顶聚芯技术有限公司_202511844785.5
    本申请涉及一种相位板的制作方法和相位板，所述制作方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成交替分布的凹槽和凸起部；在所述衬底上设置遮挡框，所述遮挡框围设形成相位调制区；其中，所述凹槽的边沿被所述遮挡框覆盖。本申请所提供的相位板的制作方法，利用遮挡...
    2026-03-21
  • 消除芯片保护环非预期印刷图案的方法
    消除芯片保护环非预期印刷图案的方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511844282.8
    本发明公开了一种消除芯片保护环非预期印刷图案的方法，包括：采用保护环光刻版图仿真得到在光刻形成芯片保护环时产生的非预期印刷图案的位置和尺寸，并在保护环光刻版图的相应位置形成大小适配的辅助图形；在保护环光刻版图上减去辅助图形，得到保护环修正版...
    2026-03-21
  • 一种光刻机带轮驱动式可动镜组及其光刻机
    一种光刻机带轮驱动式可动镜组及其光刻机_上海现代先进超精密制造中心有限公司_202511843959.6
    本发明公开了一种光刻机带轮驱动式可动镜组及其光刻机。一种光刻机带轮驱动式可动镜组，包括镜片、镜座、同步带组件；同步带组件包括主动同步带轮以及从动同步带轮，主动同步带轮以及从动同步带轮之间通过皮带传动连接；主动同步带轮以及从动同步带轮均安装在...
    2026-03-21
  • 集成电路版图的OPC处理方法与计算机设备
    集成电路版图的OPC处理方法与计算机设备_东方晶源微电子科技(上海)有限公司_202511836976.7
    本发明提供了一种集成电路版图的OPC处理方法与计算机设备。其中集成电路版图的OPC处理方法包括：对目标集成电路版图进行分块化解析，得到若干局部区域；针对每个局部区域构建特征；利用预先训练好的学习模型对所有局部区域进行推理判断，其中学习模型建...
    2026-03-21
  • 检查图案化掩模以及监控其晶片图案行为的装置与方法
    检查图案化掩模以及监控其晶片图案行为的装置与方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511731551.X
    一种检查图案化掩模的方法包括将极紫外(EUV)光束辐射到图案化掩模的表面，并将来自图案化掩模的表面的反射的极紫外光束导向图像传感器。该方法还包括基于反射的极紫外光束产生图案化掩模的表面的图像，并基于图案化掩模的表面的图像确定图案化掩模的临界...
    2026-03-21
  • 基片处理方法和基片处理装置
    基片处理方法和基片处理装置_东京毅力科创株式会社_202511265390.X
    本发明提供能够使在金属氧化物抗蚀剂形成的图案为所需的图案的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括：对形成有抗蚀剂膜的基片进行用于使所述抗蚀剂膜中包含的烃减少的减少处理的步骤，其中，所述抗蚀剂膜由金属氧化物抗蚀剂构成并且在曝光后被显影而...
    2026-03-21
  • 一种光刻材料涂布装置及方法
    一种光刻材料涂布装置及方法_上海集成电路研发中心有限公司_202411242865.9
    本发明公开了一种光刻材料涂布装置及方法，装置包括喷涂机构，所述喷涂机构设有喷射部，所述喷射部的底面设有条形喷口，所述喷口用于将光刻材料喷涂在下方的处理对象表面一定半径的预设区域上。本发明能够使光刻材料更好地均匀分布在处理对象上，提高了光刻材...
    2026-03-21
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