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  • 本申请公开了一种耗材组件及图像形成系统,该耗材组件包括耗材、状态检测装置和信息处理装置,状态检测装置至少部分设置于耗材,用于获取表征耗材处于预设状态的状态信息,信息处理装置设置于耗材,并在状态检测装置检测到状态信息后,进入可通信状态。本申请...
  • 本申请公开了一种图像形成装置及处理盒,该图像形成装置包括固定侧板、活动块和弹性件,固定侧板设有导向槽和引导轨迹槽,活动块设有第一端部和第二端部,第一端部可活动地设置于导向槽,第二端部可活动地设置于引导轨迹槽,弹性件设置于固定侧板,且弹性件与...
  • 本公开涉及一种定影装置,所述定影装置安装在图像形成装置中,所述图像形成装置包括主体导体部,所述定影装置包括:加热单元,所述加热单元包括环形带和加热器;压力辊,所述压力辊被构造为经由所述带与所述加热器一起形成夹持部;压力臂;压力弹簧,所述压力...
  • 本发明公开了一种含有不溶不熔性导电聚合物的调色剂。本发明能够解决现有调色剂不耐热偏移的问题。技术方案包括:(1)首先对导电聚合物进行电化学掺杂改性以提高电导率;(2)将导电聚合物粉碎后,和低熔点、高酸值树脂进行熔融捏合以得到更易分散的导电聚...
  • 本发明公开了一种分组管控光刻套刻精度的方法,包括:步骤一、得到完成当层图形光刻的多个套刻map图。步骤二、按批次对套刻map图进行第一次分类。步骤三、按照第一次分类结果,对会影响各第一次分类对应的当层图形光刻的套刻精度的前层工艺的各机台进行...
  • 本发明涉及一种低成本微米级分辨率的光刻对准装置及方法,装置包括:光源系统、显微镜系统、高弹性膜台和XYθ位移台;所述光源系统包括控制板以及与所述控制板电连接的控制机箱,所述控制板上阵列布置有若干LED灯珠,每个所述LED灯珠均罩设一准直透镜...
  • 本发明提供一种晶圆对准偏差的补偿方法及半导体制造设备,补偿方法包括:将晶圆划分为至少两个基于半径划分的分区区域;获取每个分区区域的套刻精度量测值,并根据各分区区域的套刻精度量测值计算各分区区域的套刻精度补偿值;通过先进制程控制系统将各分区区...
  • 本发明实施例涉及半导体光刻技术领域,提供一种晶圆平整度调整方法、装置、电子设备及介质,包括:控制不同方向的光电二极管阵列发出均匀面光源照射待检测晶圆,并采集接收光电二极管阵列接收到的光电二极管电流信息,其中,不同方向包括待检测晶圆的X轴方向...
  • 本发明涉及半导体工业用清洗剂领域,提供了一种用于光刻胶残留清除的清洗剂及其制备方法,按重量份数计,所述清洗剂包括以下原料:无机碱8‑12份,有机碱1‑4份,腐蚀抑制剂2‑5份,表面活性剂0.5‑3份,有机溶剂40‑60份,超纯水10‑20份...
  • 本发明属于剥离液技术领域,更具体的涉及一种光刻胶剥离液及其制备方法和使用方法。一种光刻胶剥离液,按质量百分比计,原料包括非质子极性溶剂90%—99%、有机醇胺0.5%—5%、抑制保护剂0.1%—3%、pH调节剂补充余量至100%;经本发明提...
  • 本发明提供一种离子注入后光刻胶的去除方法,包括步骤:提供一经过离子注入的半导体结构,半导体结构包括半导体衬底及位于半导体衬底上的光刻胶层,光刻胶层包括光刻胶主体层及覆盖于光刻胶主体层上的石墨碳硬壳层,提供一臭氧处理装置,臭氧处理装置包括液体...
  • 本发明提供一种用于含金属光刻胶的显影剂组成物以及包括利用显影剂组成物的显影方法的图案形成方法。对于坐标x,如通过显影剂组成物的韩森溶解度参数(δd、δp、以及δh)所指定的,可以计算以坐标a作为中心值的溶解度半径Ra,可以计算以坐标b作为中...
  • 本发明提供一种PCB板竖置型阻焊显影装置,包括:柜体;泵体,所述泵体固定安装于所述柜体的侧面;冲洗组件,所述冲洗组件设置于所述柜体的内侧面,所述冲洗组件包括分流框、多个分流板和多个第一喷头,多个所述分流板固定安装于所述分流框的正面。本发明提...
  • 本发明提供了一种光刻像差动态基准抗噪优化方法及系统,基于门控时序卷积网络的光刻像差动态基准抗噪优化方法,核心流程如下:同步采集非球面镜片表面测量点的实时波前信号与动态基准信号,截取最新50毫秒窗口数据输入门控时序卷积网络;通过因果膨胀卷积提...
  • 本申请公开了一种浸没式光刻图形水浸入型缺陷改善方法,包括:在衬底上依次形成目标光阻层和牺牲光阻层;对所述目标光阻层和所述牺牲光阻层进行浸没式曝光处理;去除所述牺牲光阻层;对剩余的目标光阻层进行显影处理。本申请实施例提供的浸没式光刻图形水浸入...
  • 本申请涉及一种激光直写设备的架构匹配方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括:采集待曝光板材的量产线宽要求、激光直写设备中数字微镜的微镜尺寸及数字微镜与工件台的夹角;基于待曝光板材的量产线宽要求、激光直写设备中数字微镜的微镜尺寸及数字...
  • 本申请涉及一种激光直写设备的扫描速度匹配方法、装置、计算机设备、存储介质。所述方法包括获取量产线宽要求,根据量产线宽要求匹配量产线宽差异值;获取激光直写设备中数字微镜的微镜尺寸、数字微镜与工件台的夹角以及成像镜头的倍率;根据量产线宽要求、量...
  • 本发明公开了芯片制造技术领域的一种基于亲水脊柱的毫牛级两相流致振动抑制方法,应用于浸没式光刻机的浸没流场,方法包括沿气液两相流负压回收微通道的轴向处设置一条脊柱结构,该脊柱位于微通道内部中心,其长度与微通道相匹配;并将脊柱的表面处理为亲水表...
  • 本发明公开了一种改善光刻线宽均匀性的工艺方法,包括如下步骤:S1:在晶圆上进行多次光刻测试,以获取第一函数、第二函数和第一曝光区S2:提供晶圆,以第一扫描速度、第一曝光量在当前晶圆上进行光刻处理,并获取当前晶圆的每个曝光区域的实际线宽和线宽...
  • 一种方法涉及通过从衬底的特性的值中去除光刻设备对所述特性的贡献以及一个或多个光刻前工艺设备对所述特性的贡献,来确定在已经由一个或多个工艺设备根据图案化工艺处理所述衬底之后的所述一个或多个工艺设备对所述衬底的所述特性做出的贡献。
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