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最新专利技术
  • 空指针访问检测方法、装置、设备及存储介质
    空指针访问检测方法、装置、设备及存储介质_亿咖通(湖北)技术有限公司_202510129754.5
    本发明公开了一种空指针访问检测方法、装置、设备及存储介质，所述方法通过在检测到当前程序发生空指针访问时，获取内存保护单元MPU异常中断的错误信息；根据所述错误信息确定错误类型和错误位置；根据所述错误类型和所述错误位置定位所述访问空指针的具体...
    2025-08-26
  • 融合多维度指标采集器的云平台监控系统、方法及介质
    融合多维度指标采集器的云平台监控系统、方法及介质_浪潮云信息技术股份公司_202510129510.7
    本申请公开了一种融合多维度指标采集器的云平台监控系统、方法及介质，主要涉及云平台监控技术领域，用以解决现有的云平台获得的第三方监控工具的上传数据存在兼容性差、数据标准的差异、管理复杂的问题。包括：任务管理单元，用于基于指标数据需求信息，创建...
    2025-08-26
  • 多板卡信号同步方法、设备、存储介质以及计算机产品
    多板卡信号同步方法、设备、存储介质以及计算机产品_合肥中科采象科技有限公司_202510129448.1
    本申请公开了一种多板卡信号同步方法、设备、存储介质以及计算机产品，涉及集成电路技术领域，该方法应用于集成有通信连接的训练寻优模块和重确认同步模块的信号同步卡，信号同步卡与每一采集卡建立有通信连接；训练寻优模块响应于各采集卡的信号同步需求，依...
    2025-08-26
  • 一种快速宽带相干差频波束形成和仅相位相干差频波束形成方法及系统
    一种快速宽带相干差频波束形成和仅相位相干差频波束形成方法及系统_中国科学院声学研究所_202510128620.1
    本申请提供了一种快速宽带相干差频波束形成和仅相位相干差频波束形成方法及系统，该方法首先对宽带信号不同频率成分之间进行差频自积处理，然后利用对自积项空域滤波后得到的相位信息对自积项进行相干处理，最后分别在频域及差频域相干平均得到宽带信号方位估...
    2025-08-26
  • 深海底质与履带板黏附强度测定的实验设备和方法
    深海底质与履带板黏附强度测定的实验设备和方法_大连理工大学_202510129193.9
    本发明提供一种模拟深海底质与履带板黏附强度测定的实验设备和方法，由装样组件、测盘组件、机械加载台架、伺服电机加载装置、数据采集和控制系统共同组成，通过三台伺服电机控制金属试件和竖向位移和切向扭转，通过数据采集和控制系统完成对深海底质‑金属接...
    2025-08-26
  • 掺氢环境下管线钢疲劳裂纹扩展速率的预测方法及模型
    掺氢环境下管线钢疲劳裂纹扩展速率的预测方法及模型_天津大学_202510130177.1
    本申请属于金属材料测试领域，具体公开了掺氢环境下管线钢疲劳裂纹扩展速率的预测方法及模型，该预测方法为：加工多件待测管线钢的紧凑拉伸试样，然后在氮气环境和不同掺氢比环境下对紧凑拉伸试样进行疲劳裂纹扩展试验，得到疲劳裂纹扩展速率和对应的应力强度...
    2025-08-26
  • MEMS力传感器及其制备方法、封装结构
    MEMS力传感器及其制备方法、封装结构_歌尔微电子股份有限公司_202510130868.1
    本申请公开了一种MEMS力传感器及其制备方法、封装结构。其中，MEMS力传感器包括：衬底、连接层、压电结构、钝化层和金属层；连接层设置于衬底上；压电结构设于连接层上，压电结构包括依次叠设的底电极、压电层和顶电极，压电层采用压电材料制成；钝化...
    2025-08-26
  • 一种道路桥梁混凝土结构检测设备
    一种道路桥梁混凝土结构检测设备_西安科技大学_202510129570.9
    本发明公开了一种道路桥梁混凝土结构检测设备，涉及混凝土结构检测技术领域，包括工作框，所述工作框底端安装有工作底框，检测机构，所述检测机构包括活动框、挤压块、移动块和移动杆，所述工作框内腔设置有活动框，所述活动框上端活动安装有移动杆，所述移动...
    2025-08-26
  • 一种电子显微镜的光阑校准方法、装置以及存储介质
    一种电子显微镜的光阑校准方法、装置以及存储介质_东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司_202510130838.0
    本申请实施例提供了一种电子显微镜的光阑校准方法、装置以及存储介质，包括：通过目标电子显微镜获取目标晶圆对应的正焦采集图像、欠焦采集图像以及过焦采集图像。确定正焦采集图像、欠焦采集图像以及过焦采集图像中的共同图像特征。根据共同图像特征，确定欠...
    2025-08-26
  • 一种利用电厂余热及固态储氢的储热发电系统及方法
    一种利用电厂余热及固态储氢的储热发电系统及方法_东方电气集团东方锅炉股份有限公司_202510128649.X
    本发明属于氢能技术领域，特别涉及一种利用电厂余热及固态储氢的储热发电系统及方法。本发明的系统包括通过油管依次连接的导热油罐、电加热器、导热油泵、第一固态储氢系统和换热器，换热器的另一端通过油管与导热油罐连接，电加热器电连接有电厂电力系统；第...
    2025-08-26
  • 一种甲基甘氨酸二乙酸三钠的合成方法
    一种甲基甘氨酸二乙酸三钠的合成方法_济宁无内新材料技术研发中心(有限合伙)_202510129888.7
    本发明提供一种甲基甘氨酸二乙酸三钠的合成方法，涉及有机合成领域，以2‑氯丙酸和亚氨基二乙酸盐(IDA盐)为原料，将二者混合进行取代反应，控制反应温度不高于75℃，向反应体系中滴加碱性物质将反应pH值控制在9‑12，反应完成得到MGDA盐溶液...
    2025-08-26
  • 一种基于建筑监测用沉降观测标识的收纳保护设备
    一种基于建筑监测用沉降观测标识的收纳保护设备_建岩(无锡)智慧物联科技有限公司_202510128924.8
    本发明公开了一种基于建筑监测用沉降观测标识的收纳保护设备，本发明涉及建筑监测技术领域。具体包括：收纳盒，所述收纳盒的顶部开设有滑道，所述收纳盒的内部设置有标识件，所述收纳盒的顶部卡合连接有顶板；该基于建筑监测用沉降观测标识的收纳保护设备还包...
    2025-08-26
  • 一种港口岸供电桩装置
    一种港口岸供电桩装置_青岛港国际股份有限公司_202510129506.0
    本发明涉及港口岸供电桩技术领域，具体公开了一种港口岸供电桩装置，包括供电桩本体和位于供电桩本体底端的底座，供电桩本体的两侧均设置有开口；供电桩本体内靠近开口处设置有安装盒体；安装盒体内卡扣设置有充电接头；充电接头连接有充电线；充电线的一端贯...
    2025-08-26
  • 用于MEMS悬臂探针的新型焊接方法
    用于MEMS悬臂探针的新型焊接方法_强一半导体(苏州)股份有限公司_202510129117.8
    本申请公开一种用于MEMS悬臂探针的新型焊接方法，用于将悬臂探针焊接在基板上，基板上安装有多个焊盘，焊接方法包括：S1，通过喷嘴依次将熔化的锡球喷射至多个焊盘上；S2，通过焊接头单侧吸附悬臂探针，并携带悬臂探针移动至对应的锡球的上方；S3，...
    2025-08-26
  • 一种智能透析机置换液管路安装检测装置
    一种智能透析机置换液管路安装检测装置_深圳市第二人民医院(深圳市转化医学研究院)_202510134463.5
    本发明公开了一种智能透析机置换液管路安装检测装置，涉及医疗器械技术领域，包括留存壶，所述留存壶的顶端活动连接有盖板，所述留存壶的底部固定连接有导出管，所述盖板上固定连接有导入管和置换液导入管，所述盖板上开设有导入槽，所述置换液导入管通过导入...
    2025-08-26
  • 一种数字化红盐炒制工艺系统及其应用
    一种数字化红盐炒制工艺系统及其应用_卓尕才吉_202510130198.3
    本发明涉及人工智能领域，尤其涉及IPC G06K13领域，更具体的，涉及一种数字化红盐炒制工艺系统。本发明中，提供了一种数字化红盐炒制工艺系统，包括检测单元，加热单元，色选单元，记录单元，其中检测单元包括传输模块，采样模块，可视化模块。本发...
    2025-08-26
  • 一种诱导三七四倍体产生不定根的方法
    一种诱导三七四倍体产生不定根的方法_中国科学院昆明植物研究所_202510127807.X
    本发明涉及一种诱导三七四倍体产生不定根的方法，属于生物技术领域，本发明包括以下步骤：利用三七未成熟合子胚诱导出胚性愈伤组织；将胚性愈伤组织进行细胞分散，获得小孔径胚性细胞团，将其置于添加1‑4mg/mL秋水仙素的三角瓶中黑暗培养；去除秋水仙...
    2025-08-26
  • 一种应用于沙地固沙治理的植被种植装置
    一种应用于沙地固沙治理的植被种植装置_石河子大学_202510128075.6
    本发明提供一种应用于沙地固沙治理的植被种植装置，涉及固沙治理领域。该应用于沙地固沙治理的植被种植装置，包括基座，所述基座前端的外壁设置有检测机构，所述检测机构包括固定座，所述固定座的上表面开设有限位槽，所述限位槽的内壁卡接配合有控制块，所述...
    2025-08-26
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510133708.2
    提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括彼此垂直分隔开的沟道结构以及包裹沟道结构的栅极结构。半导体结构还包括形成在沟道结构下方的栅极结构的第一侧壁上方的第一多孔层以及附接至沟道结构的源极/漏极结构。此外，源极/漏极结构通过第一气隙与第一...
    2025-08-26
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510133706.3
    本公开的实施例提供了一种半导体器件，包括：第一纳米结构的堆叠件；与第一纳米结构的堆叠件相邻的第一绝缘层；位于第一绝缘层上方的第一源极/漏极区域，其中第一源极/漏极区域包括在第一纳米结构的侧壁上方连续延伸的第一半导体层和位于第一半导体层上的第...
    2025-08-26
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