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最新专利技术
  • 一种双氮杂芳稠环化合物、制备方法及发光器件
    一种双氮杂芳稠环化合物、制备方法及发光器件_海南大学_202410318866.0
    本发明涉及一种双氮杂芳稠环化合物、制备方法及发光器件，属于有机发光材料领域。解决现有热活化延迟荧光材料半峰宽较宽的技术问题。本发明采用双氮杂芳稠环单元作为发光材料，一方面利用双氮杂芳稠环化合物的刚性骨架结构降低激发态结构弛豫程度，从而实现较...
    2025-08-28
  • 发光二极管芯片及其芯片组、显示模组
    发光二极管芯片及其芯片组、显示模组_纳微朗科技(深圳)有限公司_202410326712.6
    本申请提供一种发光二极管芯片及其芯片组、显示模组，涉及半导体技术领域，该发光二极管芯片包括一种发光二极管芯片，包括N型电极、P型电极以及发光层。发光层包括具有第一发光波长的第一发光层和具有第二发光波长的第二发光层，第一发光波长小于第二发光波...
    2025-08-28
  • 发光二极管芯片及其芯片组、显示模组
    发光二极管芯片及其芯片组、显示模组_纳微朗科技(深圳)有限公司_202410327711.3
    本申请提供一种发光二极管芯片及其芯片组、显示模组，涉及半导体技术领域，该发光二极管芯片包括N型电极、P型电极以及发光层，发光层包括N个发光波长不等的发光材料；N个发光材料中的至少一个发光材料与其余的发光材料层叠设置，该发光材料发出的光用于激...
    2025-08-28
  • 发光二极管芯片及其芯片组、显示模组
    发光二极管芯片及其芯片组、显示模组_纳微朗科技(深圳)有限公司_202410327961.7
    本申请提供一种发光二极管芯片及其芯片组、显示模组，涉及半导体技术领域，该发光二极管芯片包括N型电极、P型电极，以及设置在N型电极和P型电极之间的发光层，发光层分别与N型电极和P型电极电性导通；发光层包括N个发光材料，N个发光材料的发光波长不...
    2025-08-28
  • 折叠机构及可折叠移动终端
    折叠机构及可折叠移动终端_荣耀终端股份有限公司_202480004531.X
    本申请实施例涉及移动终端技术领域，提供一种折叠机构及可折叠移动终端，折叠机构包括第一支架，第一支架上设有第一滑槽面和第二滑槽面，第一滑槽面和第二滑槽面均为弧形面且同轴设置，且第一滑槽面和第二滑槽面沿第一滑槽面的轴线方向间隔设置；第一摆臂，第...
    2025-08-28
  • 书写文具
    书写文具_青岛点石文具用品有限公司_202410306981.6
    本发明公开一种书写文具，包括笔杆和笔芯，所述笔芯设置在所述笔杆中，所述笔芯的笔头伸出至所述笔杆的外部；书写文具还包括密封组件，所述密封组件包括套筒和密封件，所述套筒的一端部形成有开口，所述密封件上设置有可翻转的密封部件，所述密封件位于所述套...
    2025-08-28
  • 一种应用CLP模型检测NHH在脓毒症脑病中作用的方法
    一种应用CLP模型检测NHH在脓毒症脑病中作用的方法_天津医科大学总医院_202410306777.4
    本发明涉及生物领域，具体提供了一种应用CLP模型检测NHH在脓毒症脑病中作用的方法，包括在CLP小鼠模型中，异氟醚麻醉下，皮肤消毒后，做一个腹部中线切口，露出盲肠；盲肠结扎在远极和盲肠底部之间的中间，以诱发中度脓毒症。本发明提供一种应用CL...
    2025-08-28
  • 具有沟槽存储栅极的背照式全局快门图像传感器
    具有沟槽存储栅极的背照式全局快门图像传感器_半导体元件工业有限责任公司_202410302735.3
    本公开涉及具有沟槽存储栅极的背照式全局快门图像传感器。本发明提供了一种图像传感器，该图像传感器可包括被布置成行和列的全局快门图像像素阵列。每个全局快门图像像素可包括实现为沟槽晶体管的存储栅极。该存储栅极可至少部分地由对应的背侧深沟槽隔离结构...
    2025-08-28
  • 一种抗老组合物及其用途
    一种抗老组合物及其用途_杨堉麟_202410298959.1
    本发明涉及一种抗老组合物，用以延长哺乳动物个体的端粒的长度。该抗老组合物包含：以重量百分比计为5～20％的一丹参萃取物、25～40％的一α淀粉酶抑制剂及50～60％的一益生菌，该益生菌包含一动物双歧杆菌及一鼠李糖乳杆菌，且每克的抗老组合物中...
    2025-08-28
  • 氮杂芳稠环化合物及发光器件
    氮杂芳稠环化合物及发光器件_海南大学_202410282630.6
    本发明涉及一种氮杂芳稠环化合物及发光器件，属于有机发光材料技术领域。解决现有技术中热活化延迟荧光材料半峰宽较宽的技术问题。本发明采用氮杂芳稠环单元作为发光材料，一方面可利用氮杂芳稠环化合物的刚性骨架结构降低激发态结构弛豫程度，从而实现较窄的...
    2025-08-28
  • 电极和电池
    电极和电池_日本汽车能源株式会社_202480004500.4
    本发明提供一种电极和电池。电极(正极100)具有集电层(正极集电层110)、活性物质层(正极活性物质层120)、和绝缘层(130)。活性物质层(正极活性物质层120)与集电层(正极集电层110)层叠接合，含有活性物质(正极活性物质121)。...
    2025-08-28
  • 数据同步方法和迁移装置
    数据同步方法和迁移装置_华为云计算技术有限公司_202410284686.5
    本公开实施例提供了一种数据同步方法和迁移装置，涉及数据库技术领域。本公开实施例中，基于数据的幂等/非幂等特性，对源数据库中的待迁移的数据进行划分，并分别设置不同的故障恢复方式，这样可以不仅可以保证源数据库中待迁移的数据与迁移至目标数据库中的...
    2025-08-28
  • 二次电池
    二次电池_株式会社村田制作所_202480004694.8
    二次电池（1）具备：多个集电体（50），与多个电极电连接；以及端子，与多个集电体（50）接合，多个集电体（50）与端子的接合部（J）中的端子的外表面具有凹凸状的第一凹凸区域（R1），第一凹凸区域（R1）具有：第一凹凸图案（P1），具有多个第...
    2025-08-28
  • 一种智能制造自控多段式柔性制丝烘丝工艺用设备
    一种智能制造自控多段式柔性制丝烘丝工艺用设备_红云红河烟草(集团)有限责任公司_202410269127.7
    本发明公开一种智能制造自控多段式柔性制丝烘丝工艺用设备，包括支撑座和设置在支撑座上方的放置台以及设置在放置台上方的保温罩，其特征在于，还包括：烘干筒，烘干筒转动连接在保温罩的一端；筛分筒，筛分筒的一端与烘干筒的另一端固定连接，筛分筒转动连接...
    2025-08-28
  • 集中控制智能制造塔式烟丝膨胀工艺用设备
    集中控制智能制造塔式烟丝膨胀工艺用设备_红云红河烟草(集团)有限责任公司_202410270185.1
    本发明公开集中控制智能制造塔式烟丝膨胀工艺用设备，包括干燥塔和设置在干燥塔一侧的高温蒸汽膨胀单元，还包括：固定箱，固定箱连通连接在高温蒸汽膨胀单元的顶部一端；翻转装置，翻转装置转动连接在固定箱内部上方；调节组件，调节组件设置在翻转装置上；其...
    2025-08-28
  • 大重九专线糖香料识别质量风险控制工艺用料罐
    大重九专线糖香料识别质量风险控制工艺用料罐_红云红河烟草(集团)有限责任公司_202410272914.7
    本发明公开大重九专线糖香料识别质量风险控制工艺用料罐，包括安装底座(1)，还包括：料罐(2)，料罐(2)连接在安装底座(1)顶部；香料识别安装组件(3)，香料识别安装组件(3)连接在罐体(2)外壁一侧；防护组件(4)，防护组件(4)连接在香...
    2025-08-28
  • 自动侧壁展开系统
    自动侧壁展开系统_A&C未来股份有限公司_202410271029.7
    一种可扩展结构具有带侧壁板的扩展部分，这些侧壁板可以堆叠入围壁中心壳体中并可以从该壳体中展开。轨道可以部署在围壁上，以便于壁板移入和移出中心壳体。这种创新的配置不仅能够在中心围壁内高效、准确地储存每一壁板，还能同时用作厢体的基础支撑结构。在...
    2025-08-28
  • 一种负弯矩钢筋保护层和楼板厚度双控的装置
    一种负弯矩钢筋保护层和楼板厚度双控的装置_云南省建设投资控股集团有限公司_202410272903.9
    本发明公开一种负弯矩钢筋保护层和楼板厚度双控的装置，包括：支座(1)，支座(1)的上部四周相对两侧均对称开设有安装槽(11)，安装槽(11)用于安装上层负弯矩钢筋(4)；钢筋限位卡件(2)，钢筋限位卡件(2)滑动安装于各安装槽(11)上，用...
    2025-08-28
  • 大重九专线智能制造机电态势感知工艺用系统
    大重九专线智能制造机电态势感知工艺用系统_红云红河烟草(集团)有限责任公司_202410272908.1
    本发明公开大重九专线智能制造机电态势感知工艺用系统，包括：数据自动获取模块，数据自动获取模块的输出端与数据自动处理模块的输入端连接；数据自动处理模块，数据自动处理模块输出端与中转数据库的输入端连接；中转数据库，中转数据库的输出端与数据自动对...
    2025-08-28
  • 利用电晕表面电荷的光中和时间常数表征半导体掺杂的方法
    利用电晕表面电荷的光中和时间常数表征半导体掺杂的方法_塞米拉布半导体物理实验室有限公司_202510115204.8
    表征宽带隙半导体样品中的半导体掺杂的方法包括：在黑暗中测量半导体样品的表面的区域处的表面电压的初始值V0；通过在区域处沉积规定的电晕电荷，在黑暗中将区域充电至深度耗尽；在充电之后在黑暗中测量区域处的表面电压值；用特定光...
    2025-08-28
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