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最新专利技术
  • 二阶式阶梯状金手指板的制造方法
    二阶式阶梯状金手指板的制造方法_健鼎(无锡)电子有限公司_202510452741.1
    本发明涉及二阶式阶梯状金手指板的制造方法。该方法包含前置步骤，提供第一堆栈结构及第二堆栈结构；第一凹槽形成步骤，于所述第一堆栈结构形成第一凹槽，且所述第一堆栈结构定义有位于所述第一凹槽的一侧的牺牲部及位于所述第一凹槽的另一侧的压合部；压合步...
    2025-08-05
  • 一种操作装置
    一种操作装置_广东电网有限责任公司计量中心_202510454202.1
    本发明涉及可操作设备技术领域，特别是涉及一种操作装置，包括仪器本体、支撑组件、调节组件和锁定组件，仪器本体设有操作面板；支撑组件包括支撑盖，支撑盖位于仪器本体的前方；调节组件包括固定套筒、活动套筒和第一连接轴，固定套筒固定连接于仪器本体，固...
    2025-08-05
  • 一种高击穿场铪基铁电电容器件及其制造方法
    一种高击穿场铪基铁电电容器件及其制造方法_晶铁半导体技术(广东)有限公司_202510455843.9
    本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种高击穿场铪基铁电电容器件及其制造方法，器件包括底电极层、氧化铪铁电层、顶电极层和二氧化钒插层，底电极层设于氧化铪铁电层的底部，顶电极层设于氧化铪铁电层的顶部，二氧化钒插层可以只设在单一电极与铁电层...
    2025-08-05
  • 具有低衬底漏电流的肖特基结积累型LIGBT结构及其制备方法
    具有低衬底漏电流的肖特基结积累型LIGBT结构及其制备方法_西安电子科技大学_202510450658.0
    本发明公开了一种具有低衬底漏电流的肖特基结积累型LIGBT器件，主要解决现有LIGBT衬底漏电流大、耐压能力低、关断时间长的问题。其包括：P型衬底、N型漂移区、P+源区、N+源区、P型基区、P+漏区、源极和衬底电极。其中N型漂移区的上方依次...
    2025-08-05
  • 垂直沟道晶体管的制备方法及垂直沟道晶体管结构
    垂直沟道晶体管的制备方法及垂直沟道晶体管结构_复旦大学_202510454554.7
    本发明提供了一种垂直沟道晶体管的制备方法及垂直沟道晶体管结构，该垂直沟道晶体管的制备方法包括：在衬底上形成有从下至上依次堆叠的底层源漏层、第一扩展层、初始沟道层、第二扩展层和顶层源漏层；在对初始第一扩展层以及初始第二扩展层进行横向刻蚀，以在...
    2025-08-05
  • 电导调制增强的III族氮化物电子器件及其制备方法
    电导调制增强的III族氮化物电子器件及其制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202510457466.2
    本发明公开了一种电导调制增强的III族氮化物电子器件及其制备方法。所述器件包括PN结和光反射结构；所述PN结包括直接接触的第一导电特性区和第二导电特性区，所述第一导电特性区和第二导电特性区的导电特性相反，所述第一导电特性区位于第一面，且所述...
    2025-08-05
  • 一种沟槽型器件及其制作方法
    一种沟槽型器件及其制作方法_杭州芯迈半导体技术有限公司_202510457631.4
    本发明提供一种沟槽型器件及其制作方法，本发明的沟槽型器件包括：半导体层，所述半导体层包括有源区和终端区；终端沟槽结构，位于所述终端区，所述终端沟槽结构自所述半导体层表面延伸至所述半导体层内部，且至少部分所述终端沟槽结构具有不同的深度。通过设...
    2025-08-05
  • 硅基GaN晶圆级集成器件及其制备方法
    硅基GaN晶圆级集成器件及其制备方法_北京国联万众半导体科技有限公司_202510451375.8
    本发明公开了一种硅基GaN晶圆级集成器件及其制备方法，涉及GaN器件技术领域。所述方法包括如下步骤：表面保护、临时键合、剥离外延、制备粘接层、键合转移、解键合、GaN器件制备以及金属互连。所述硅基GaN晶圆级集成器件通过键合粘接层，将剥离衬...
    2025-08-05
  • 一种光伏组件生产的多功能整合一体机
    一种光伏组件生产的多功能整合一体机_苏州宏瑞达新能源装备有限公司_202510452680.9
    本发明揭示了一种光伏组件生产的多功能整合一体机，具有生产流水线中一个工艺环节的机体框架，所述机体框架对应所流转入的光伏组件半成品，分布设有EVA垫片冲裁供料机构，EVA垫片运载放料机构，标签打印机，贴内标机构和工控气源总成，在一个工艺周期内...
    2025-08-05
  • 一种宽禁带CuGaSe2太阳能电池吸收层薄膜及其制备方法
    一种宽禁带CuGaSe<Sub>2</Sub>太阳能电池吸收层薄膜及其制备方法_郑州大学_202510456341.8
    本发明公开了一种宽禁带CuGaSe2太阳能电池吸收层薄膜及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。具体步骤为：在Mo背电极上依次沉积500nm厚的CuGaSe2薄膜、100nm厚的Sb2
    2025-08-05
  • 一种全无机金属卤化物钙钛矿双层薄膜的图案化制备方法
    一种全无机金属卤化物钙钛矿双层薄膜的图案化制备方法_福建师范大学_202510454581.4
    本发明属于半导体材料及光电技术领域，具体涉及一种全无机金属卤化物钙钛矿双层薄膜的图案化制备方法；包括：将第一卤化物、四苯基卤化磷、聚氧乙烯山梨醇单月桂酸酯和碱土金属卤化盐溶解于DMSO，加热搅拌，直至全部溶解，得到溶液A；将溶液A旋涂分布在...
    2025-08-05
  • 发光二极管及发光二极管制备方法
    发光二极管及发光二极管制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510452410.8
    本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。发光二极管包括：外延结构、第一电极、第二电极和第三电极；外延结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；外延结构呈台阶结构，台阶结构具有台阶顶面和台阶底面，台阶底面位于第一半导体层表面，外延结...
    2025-08-05
  • 基于TADF/PbS量子点/TADF材料叠层异质结量子阱复合沟道的光控薄膜晶体管制备方法
    基于TADF/PbS量子点/TADF材料叠层异质结量子阱复合沟道的光控薄膜晶体管制备方法_福州大学_202510454722.2
    本发明涉及一种基于TADF/PbS量子点/TADF材料叠层异质结量子阱复合沟道的光控薄膜晶体管制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，制备出TADF/PbS量子点/TADF材料叠层异质结量子阱复合膜层，再通过图形化掩膜覆盖蒸镀...
    2025-08-05
  • 基于PbS量子点/D-A TADF材料三维异质结量子阱复合沟道的光控薄膜晶体管制备方法
    基于PbS量子点/D-A TADF材料三维异质结量子阱复合沟道的光控薄膜晶体管制备方法_福州大学_202510454753.8
    本发明涉及一种基于PbS量子点/D‑A TADF材料三维异质结量子阱复合沟道的光控薄膜晶体管制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，制备出PbS量子点/D‑A TADF材料三维异质结量子阱复合膜层，再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺...
    2025-08-05
  • 一种CdSe/PbS/CdSe叠层异质结量子阱复合发光层的QWLED及其制备方法
    一种CdSe/PbS/CdSe叠层异质结量子阱复合发光层的QWLED及其制备方法_福州大学_202510455516.3
    本发明公开了一种CdSe/PbS/CdSe叠层异质结量子阱复合发光层的QWLED及其制备方法，本发明运用热注入法分别制备出PbS量子点和CdSe量子点，并进一步将两种量子点溶液分别依次旋涂成膜，最终形成具有平行界面叠层耗尽区和叠层异质结量子...
    2025-08-05
  • 一种TADF/PbS/TADF/PbS/TADF叠层多阱复合发光层的QWLED及其制备方法
    一种TADF/PbS/TADF/PbS/TADF叠层多阱复合发光层的QWLED及其制备方法_福州大学_202510455692.7
    本发明公开了一种TADF/PbS/TADF/PbS/TADF叠层多阱复合发光层的QWLED及其制备方法，运用热注入法制备PbS量子点，并与宽禁带D‑A TADF材料多次叠层复合，形成具有平行多重耗尽区和叠层多重异质结量子阱结构的TADF/P...
    2025-08-05
  • 一种多层结构的发光层、含有其的白色有机电致发光器件及电子装置
    一种多层结构的发光层、含有其的白色有机电致发光器件及电子装置_北京信息科技大学_202510456107.5
    本发明提供一种多层结构的发光层、含有其的白色有机电致发光器件及电子装置，所述多层结构的发光层包括依次层叠的绿光发光层、红光发光层、敏化层和蓝光发光层，所述绿光发光层包括主体材料和掺杂的绿光客体材料TTPA，所述红光发光层包括主体材料和掺杂的...
    2025-08-05
  • 一种显示面板及其制备方法、显示装置
    一种显示面板及其制备方法、显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202510457520.3
    本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，该显示面板包括第一面、与第一面相对的第二面、以及连接第一面和第二面的侧面；第一面设置有多个第一绑定触点，第二面设置有多个第二绑定触点；显示面板还包括多条连接线和多个辅助结构；连接线从第一面经侧...
    2025-08-05
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202510458780.2
    本公开提供一种显示面板和显示装置。在一具体实施方式中，该显示面板包括：设置在衬底基板上的显示区和开孔区，显示区包括：层叠设置在衬底基板上的第一金属层、第二金属层和第二平坦化层；设置在第二平坦化层上的保护层；以及设置在保护层上的像素界定层，第...
    2025-08-05
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_武汉天马微电子有限公司_202510458818.6
    本申请涉及一种显示面板及显示装置，显示面板像素大组和像素电路大组；像素大组包括第一像素和第二像素；多个像素电路大组包括第一像素电路组和第二像素电路组；第一像素电路组中的第一子像素驱动电路和第三子像素驱动电路与第二像素电路组中的第二子像素驱动...
    2025-08-05
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