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最新专利技术
  • 半导体器件及半导体器件的制造方法
    半导体器件及半导体器件的制造方法_爱思开海力士有限公司_202411190588.1
    本公开涉及半导体器件及半导体器件的制造方法。一种半导体器件可以包括：第一电极， 其包括交替堆叠的至少一个第一材料层和至少一个第二材料层， 第一材料层和第二材料层具有不同的功函数；第二电极；以及可变电阻层， 其位于第一电极和第二电极之间。
    2025-11-08
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410460569.X
    本申请提供半导体结构及其形成方法， 所述半导体结构包括：基底， 所述基底包括第一区域和第二区域， 所述基底中形成有若干第一金属层， 所述基底和第一金属层表面形成有掩膜层， 所述掩膜层中形成有暴露所述第一区域中的第一金属层的第一开口；底电极，...
    2025-11-08
  • 双通道多模态神经网络单元及神经网络
    双通道多模态神经网络单元及神经网络_北京航空航天大学_202510951237.6
    本申请提供了一种双通道多模态神经网络单元及神经网络， 双通道多模态神经网络单元包括自旋轨道矩层及设置在所述自旋轨道矩层上的至少一个磁性器件；所述自旋轨道矩层至少包括第一信号通道和第二信号通道， 分别用于输入第一信号和第二信号；所述磁性器件包...
    2025-11-08
  • 存储单元及其制备方法、存储器及其操作方法、电子设备
    存储单元及其制备方法、存储器及其操作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410471009.4
    本申请公开了一种存储单元及其制备方法、存储器及其操作方法、电子设备， 属于半导体技术领域。该存储单元包括在垂直于基底的方向上依次排列的氧化物层、转化层和自由层；其中， 转化层用于将通入转化层的电流转化为第一自旋流， 氧化物层用于将电流中流经...
    2025-11-08
  • 磁性隧道结单元及其制备方法、存储器、访问方法及设备
    磁性隧道结单元及其制备方法、存储器、访问方法及设备_北京超弦存储器研究院_202410469866.0
    本申请公开了一种磁性隧道结单元及其制备方法、存储器、访问方法及设备， 属于半导体技术领域。该磁性隧道结单元包括在垂直于基底的方向上依次排列的轨道霍尔功能层和反铁磁自由层；其中， 轨道霍尔功能层用于将流经轨道霍尔功能层的电流转化为轨道流；反铁...
    2025-11-08
  • 磁性存储器件
    磁性存储器件_三星电子株式会社_202411598480.6
    提供了一种磁性存储器件。该器件包括：在基板的第一区域上的第一磁隧道结图案和在基板的第二区域上的第二磁隧道结图案。第一磁隧道结图案包括第一固定磁结构、第一自由磁结构以及在第一固定磁结构和第一自由磁结构之间的第一隧道势垒图案。第二磁隧道结图案包...
    2025-11-08
  • 磁存储位元、及其制备方法和磁性存储器
    磁存储位元、及其制备方法和磁性存储器_浙江驰拓科技有限公司_202410478595.5
    本申请提供了一种磁存储位元、及其制备方法和磁性存储器， 该磁存储位元包括：包括：轨道层；间隔层， 位于轨道层的一侧， 间隔层的材料包含轻元素；磁性隧道结， 位于间隔层背离轨道层的一侧；通过在轨道层和磁性隧道结之间引入具有轻元素的间隔层， 使...
    2025-11-08
  • 磁存储位元、及其制备方法和磁性存储器
    磁存储位元、及其制备方法和磁性存储器_浙江驰拓科技有限公司_202410478593.6
    本申请提供了一种磁存储位元、及其制备方法和磁性存储器， 该磁存储位元包括：轨道层；磁性隧道结， 具有多层功能层， 多层功能层在轨道层上具有多个投影， 其中投影面积最小的功能层投影在第一方向上的具有第一长度， 在第二方向上具有第二长度， 第一...
    2025-11-08
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410545957.8
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法， 其中该制作半导体元件的方法为， 主要先形成一金属间介电层于基底上， 然后形成一第一开口于该金属间介电层内， 形成一金属层于该第一开口内， 平坦化该金属层以形成一第一金属内连线于该金属间介电层内以及一第...
    2025-11-08
  • SOT-MTJ器件的制备方法及SOT-MTJ器件
    SOT-MTJ器件的制备方法及SOT-MTJ器件_浙江驰拓科技有限公司_202410476878.6
    本发明提供一种SOT‑MTJ器件的制备方法及SOT‑MTJ器件， 包括：衬底；位于衬底上的层叠结构， 该层叠结构包括从下至上依次层叠的钉扎层、参考层、势垒层、自由层、SOT轨道层和缓冲层；其中， 钉扎层、参考层和自由层具有垂直磁各向异性；S...
    2025-11-08
  • 一种用于超声波振动除尘的氧化锌压电膜及其制备方法
    一种用于超声波振动除尘的氧化锌压电膜及其制备方法_宋健伟_202410464826.7
    本发明涉及一种用于超声波振动除尘的氧化锌压电膜， 一种用于超声波振动除尘的氧化锌压电膜， 包括衬底和设于衬底中部镀覆区域上的氧化锌压电薄膜， 衬底采用PET材料， 氧化锌压电薄膜通过磁控溅射技术镀覆成型， 氧化锌压电薄膜中混合有MgO， 且...
    2025-11-08
  • 振动组件及电子设备
    振动组件及电子设备_荣成歌尔微电子有限公司_202510875463.0
    本申请提供了一种振动组件及电子设备。所述振动组件包括压电陶瓷和弹片， 所述弹片包括主体部和折弯部， 所述主体部与所述压电陶瓷连接；所述折弯部向着所述压电陶瓷弯折， 或者所述折弯部向着背离所述压电陶瓷的方向弯折；所述折弯部的宽度尺寸小于所述主...
    2025-11-08
  • 一种自组装的压电复合材料微结构传感器及其制备方法
    一种自组装的压电复合材料微结构传感器及其制备方法_宁波大学_202510963845.9
    本发明公开了一种自组装的压电复合材料微结构传感器及其制备方法， 属于柔性多功能传感器技术领域。自组装的压电复合材料微结构传感器包括含微结构的柔性压电复合材料薄膜和设置于所述含微结构的柔性压电复合材料薄膜上下表面的金电极；其中， 含微结构的柔...
    2025-11-08
  • 一种球形中空压电复合材料及其制备方法
    一种球形中空压电复合材料及其制备方法_北京大学_202510958191.0
    本发明提供了一种球形中空压电复合材料及其制备方法， 属于压电材料技术领域。通过本发明的方法实现了压电复合材料复杂三维结构的精确制造， 在其结构上可以实现可控性， 1‑3型(即由一维排列的压电相和三维连通的聚合物相共同组成的两相压电复合材料)...
    2025-11-08
  • 一种超薄超声波指纹芯片及其封装方法
    一种超薄超声波指纹芯片及其封装方法_苏州科阳半导体有限公司_202510978780.5
    本申请涉及半导体领域， 公开了一种超薄超声波指纹芯片及其封装方法， 方法包括：获得待分割超薄芯片阵列；待分割超薄芯片阵列包括晶圆和位于晶圆上表面的多个超薄超声波指纹芯片模组， 每个超薄超声波指纹芯片模组包括超声波发射部、超声波接收部、极化层...
    2025-11-08
  • 一种多周期叠层有机热电薄膜及其制备方法与应用
    一种多周期叠层有机热电薄膜及其制备方法与应用_中国科学院化学研究所_202410500369.2
    本发明涉及一种多周期叠层有机热电薄膜及其制备方法与应用， 属于有机热电材料与器件研究领域， 解决了现有技术中有机热电薄膜的热电性能不能满足产业化应用需求的问题。一种多周期叠层有机热电薄膜， 所述有机热电薄膜为多周期叠层结构薄膜， 所述有机热...
    2025-11-08
  • 一种钙钛矿膜层及其制备方法和钙钛矿器件
    一种钙钛矿膜层及其制备方法和钙钛矿器件_南京工业大学_202410457348.7
    本发明公开了一种钙钛矿膜层及其制备方法和钙钛矿器件， 所述钙钛矿膜层通过调控钙钛矿晶相而实现， 其中包含辐射(载流子或激子)复合速率常数高的钙钛矿相(β相)。所述钙钛矿膜层在钙钛矿前驱体溶液中添加具有特定官能团的有机物或者在钙钛矿薄膜表面利...
    2025-11-08
  • 钙钛矿太阳电池的运行控制方法及系统
    钙钛矿太阳电池的运行控制方法及系统_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410457938.X
    本申请提供了一种钙钛矿太阳电池的运行控制方法及系统， 所述方法包括：检测钙钛矿太阳电池的光电压；在光电压小于预设光电压阈值的情况下， 对钙钛矿太阳电池施加偏压。本申请提供的运行控制方法有利于提高钙钛矿太阳电池的稳定性和总发电量。
    2025-11-08
  • 一种柔性钙钛矿电池的制备方法
    一种柔性钙钛矿电池的制备方法_西湖阳光(杭州)科技有限公司_202511340918.5
    本发明属于柔性电池技术领域， 涉及一种柔性钙钛矿电池的制备方法， 所述制备方法包括：在包含层叠设置的刚性基底、离型膜与柔性薄膜的层叠结构的柔性薄膜的表面， 依次制备钙钛矿电池的器件叠层与柔性封装叠层， 再通过揭掉所述离型膜来去除刚性基底， ...
    2025-11-08
  • 一种钙钛矿太阳能组件制备方法及电池结构
    一种钙钛矿太阳能组件制备方法及电池结构_湖州市鹑火光电有限公司_202511175824.7
    本发明涉及一种钙钛矿太阳能组件制备方法及电池结构， 包括以下步骤：步骤1、对导电基底层进行预处理；步骤2、激光P1划线；步骤3、制备空穴传输层；步骤4、制备钙钛矿光吸收层；步骤5、制备电子传输层；步骤6、制备电子传输加强层；步骤7、激光P2...
    2025-11-08
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