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最新专利技术
  • 包括外围电路区的半导体器件
    包括外围电路区的半导体器件_三星电子株式会社_202510425938.6
    一种半导体器件包括：存储单元区；以及外围电路区， 在第一水平方向上与存储单元区相邻。存储单元区包括：单元沟道结构， 在第一水平方向上延伸， 并且在竖直方向上彼此间隔开；单元位线， 在竖直方向上延伸；以及单元栅电极， 在竖直方向上与单元沟道结...
    2025-11-16
  • 具有绝缘结构的半导体装置
    具有绝缘结构的半导体装置_三星电子株式会社_202510418915.2
    一种半导体装置包括：位线结构；位线结构上的背栅电极和字线；有源图案， 其在位线结构上位于背栅电极与字线之间， 有源图案在竖直方向上延伸；背栅电介质层， 其位于背栅电极与有源图案之间， 背栅电介质层位于背栅电极的侧表面和下表面上；以及第一绝缘...
    2025-11-16
  • 半导体器件和包括其的数据存储系统
    半导体器件和包括其的数据存储系统_三星电子株式会社_202510132912.2
    提供了半导体器件和包括其的数据存储系统。所述半导体器件包括：第一半导体结构， 包括基板、位于基板上的电路器件和位于电路器件上的电路互连件；以及第二半导体结构， 位于第一半导体结构上并且具有第一区域和第二区域。第二半导体结构包括：板层；栅电极...
    2025-11-16
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202510015709.7
    一种半导体存储器件， 包括：衬底；多个下电极， 在衬底上；以及支撑件， 将多个下电极彼此连接， 其中， 支撑件包括与多个下电极中的一些下电极相邻的多个支撑件孔， 多个下电极包括与多个支撑件孔相邻的多个第一下电极和与多个支撑件孔间隔开的多个第...
    2025-11-16
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202411790229.X
    提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底， 所述衬底包括有源图案；位线， 所述位线位于所述衬底上与所述有源图案交叉；位线接触， 所述位线接触设置在所述位线与所述有源图案之间；第一硅化物层， 所述第一硅化物层设置在所述位线接触与所述位线...
    2025-11-16
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202411498108.8
    半导体结构包含在基板上横向隔开的位元线结构， 位于位元线结构之间的埋入式接触件， 及在埋入式接触件上的着陆垫。埋入式接触件包含第一导电层和在第一导电层上的第二导电层。第二导电层包含主要部分和突出部分， 突出部分从主要部分延伸进入至第一导电层...
    2025-11-16
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202411340193.5
    本发明提供一种半导体结构与其形成方法。半导体结构包括在基板上横向间隔开来的多个位元线结构、在位元线结构之间的着陆垫、覆盖在着陆垫的顶表面上的金属氮氧化物层以及在着陆垫上方垂直延伸的电容结构。形成半导体结构的方法包括以下操作。接收多个位元线结...
    2025-11-16
  • 具有位元线结构的半导体元件及其制造方法
    具有位元线结构的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411233785.7
    提供一种半导体元件及半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板， 具有一第一凹陷区；以及一第一位元线结构， 位于该第一凹陷区中。该第一位元线结构具有一第一间隔物、一第二间隔物以及一第三间隔物。该第一间隔物、该第二间隔物及该第三间隔物具有...
    2025-11-16
  • 具有位元线结构的半导体元件及其制备方法
    具有位元线结构的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202411068871.7
    本公开提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基板和设置于该基板之上的一位元线结构。该位元线结构包括定义一空气边衬的一绝缘间隔物结构。该半导体元件也包括一密封层， 设置于该绝缘间隔物结构之上以覆盖该空气边衬。该密封层包括一含碳材料...
    2025-11-16
  • 半导体元件及其形成方法
    半导体元件及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202410856474.X
    半导体元件包含下电极层、阻障层、电介质层以及上电极层。阻障层设置于下电极层上。电介质层设置于阻障层上。上电极层设置于电介质层上。阻障层位于下电极层与电介质层之间。本揭露的半导体元件的形成方法提升了整个半导体元件的电性能。
    2025-11-16
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410494414.8
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备， 涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括：第一晶体管结构层和连接触点。第一晶体管结构层包括第一半导体层以及设置在第一半导体层一侧的第一晶体管。连接触点贯穿第一半导体层和第一晶体管...
    2025-11-16
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410491370.3
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。半导体结构包括：多个存储单元阵列， 沿第一方向分布， 其中， 存储单元阵列包括沿第二方向和第三方向阵列分布的多个存储单元、以及沿第一方向位于存储单元的一侧的多个位线。存储单元阵列的位线与位于...
    2025-11-16
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410491349.3
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。半导体结构包括：感测放大器；第一存储单元阵列， 包括沿第一方向和第二方向阵列分布的第一存储单元、以及沿第三方向位于第一存储单元的一侧的第一位线；以及第二存储单元阵列， 沿第三方向位于第一存储...
    2025-11-16
  • 半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统
    半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410488411.3
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统， 涉及半导体芯片技术领域， 旨在改善相邻位线容易耦合的问题。本公开提供的一种半导体结构包括多个半导体柱和多个位线。其中， 半导体柱沿第一方向延伸， 多个半导体柱沿第二方向间隔设置...
    2025-11-16
  • 半导体器件及其制备方法、三维存储器和存储系统
    半导体器件及其制备方法、三维存储器和存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410476192.7
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、三维存储器和存储系统。该半导体器件包括：多个半导体柱， 均沿第一方向延伸；第一介质层， 位于相邻的所述半导体柱之间；位线， 沿所述第一方向位于所述半导体柱的一侧；第二介质层， 至少覆盖所述位线远离所述...
    2025-11-16
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202410474454.6
    本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：有源柱， 包括：沿第一方向依次排布的第一掺杂区、沟道区和第二掺杂区；其中， 第一方向为有源柱的高度方向；栅极结构， 覆盖沟道区的第一侧壁；第一阻挡层， 至少覆盖第一掺杂区的第二...
    2025-11-16
  • 半导体结构及其制造方法、存储器系统
    半导体结构及其制造方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410469686.2
    本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法、存储器系统。该半导体结构包括：有源柱， 有源柱包括沿第一方向排布的第一部分和第二部分；栅极结构， 栅极结构沿第二方向延伸且覆盖第一部分的至少一个侧壁；其中， 第二方向和第一方向垂直；位线结构， ...
    2025-11-16
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_长江存储科技有限责任公司_202410468622.0
    本公开实施例提供了一种半导体器件及其制作方法；其中， 半导体器件的制作方法包括：形成导电结构；导电结构具有沿第一方向相对设置的第一表面和第二表面， 导电结构至少包括沿第一方向延伸的金属半导体化合物层；形成半导体主体；半导体主体位于导电结构的...
    2025-11-16
  • 半导体器件及其制造方法、存储系统
    半导体器件及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410468485.0
    本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、存储系统， 其中， 半导体器件的制造方法包括：形成沿第一方向延伸的半导体主体；形成导电结构；导电结构位于半导体主体沿第一方向的一侧；半导体主体和导电结构用于形成半导体结构；其中， 导电结构包括沿...
    2025-11-16
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_长江存储科技有限责任公司_202410468429.7
    本公开实施例提供了一种半导体器件及其制作方法；其中， 半导体器件的制作方法包括：形成多个导电结构；形成多个半导体主体， 半导体主体位于导电结构的沿第一方向的一侧， 与导电结构连接；形成第一介质层， 第一介质层位于多个导电结构之间；形成第二介...
    2025-11-16
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