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最新专利技术
  • 微型发光芯片、微型发光芯片结构及显示面板
    微型发光芯片、微型发光芯片结构及显示面板_錼创显示科技股份有限公司_202510512484.6
    本发明提供一种微型发光芯片、微型发光芯片结构及显示面板， 微型发光芯片包括二个子芯片、绝缘结构、第一电极、第二电极及导电元件。绝缘结构设置在二个子芯片之间而使二个子芯片在绝缘结构处互为电性绝缘。第一电极和第二电极分别连接二个子芯片， 且分别...
    2025-11-15
  • 发光二极管外延结构及其制造方法、显示面板
    发光二极管外延结构及其制造方法、显示面板_江西乾照半导体科技有限公司_202511218541.6
    本发明涉及一种发光二极管外延结构， 包括：衬底；N型层；有源层， 位于N型上；P型层， 位于有源层上；其中， 所述P型层包括P型窗口层， P型窗口层包括若干第一叠层结构， 每个第一叠层结构包括依次叠设的GaInP层、第一GaP层及第二GaP...
    2025-11-15
  • 微发光二极管芯片
    微发光二极管芯片_上海显耀显示科技有限公司_202510629820.5
    微发光二极管结构包括第一类型传导层、堆叠在该第一类型传导层上的第二类型传导层、形成在该第一类型传导层与该第二类型传导层之间的发光层。该发光层远离该第一类型传导层的顶边以及该第二类型传导层的底边沿着水平面延伸， 致使该发光层的边缘不接触该第一...
    2025-11-15
  • 发光二极管以及发光二极管的制作方法
    发光二极管以及发光二极管的制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510719333.8
    本公开提供了一种发光二极管以及发光二极管的制作方法， 属于发光器件领域。所述发光二极管包括：外延结构、电流阻挡层、电流扩展层、第一电极和第二电极；所述外延结构包括台阶结构， 所述台阶结构包括台阶底面、台阶顶面以及连接所述台阶底面和所述台阶顶...
    2025-11-15
  • 一种基于海绵凸起的图形化复合衬底及制备方法
    一种基于海绵凸起的图形化复合衬底及制备方法_广东中图半导体科技股份有限公司_202510956081.0
    本发明公开了一种基于海绵凸起的图形化复合衬底及制备方法， 包括：蓝宝石基底；多个海绵凸起微结构， 位于蓝宝石基底在厚度方向上的一侧；海绵凸起微结构包括海绵骨架结构， 海绵骨架结构采用氮化硅材料制备而成， 海绵骨架结构内部具有三维互穿网络孔隙...
    2025-11-15
  • 一种外延结构及其制备方法
    一种外延结构及其制备方法_厦门乾照光电股份有限公司_202511345279.1
    本发明提供一种外延结构及其制备方法， 采用MOCVD方法沉积生长外延结构， 外延结构包括由下至上依次层叠设置的衬底、N型半导体层、QW‑QB‑QDs耦合层和P型半导体层；其中， 所述QW‑QB‑QDs耦合层包括由下至上生长至少一周期的QW层...
    2025-11-15
  • 深紫外发光二极管
    深紫外发光二极管_苏州紫灿科技有限公司_202510886263.5
    本申请提供了一种深紫外发光二极管， 包括依次层叠的衬底、电子注入层、量子阱有源层、电子阻挡层以及空穴注入层；所述量子阱有源层包括交替层叠设置的M层势垒层和N层势阱层， M为大于或等于2的整数， N为大于或等于1的整数， 任意相邻两个所述势垒...
    2025-11-15
  • 一种太阳能电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池组件及光伏系统_天津爱旭太阳能科技有限公司_202511340632.7
    本发明涉及太阳能电池技术领域， 公开一种太阳能电池组件及光伏系统， 太阳能电池组件包括电池串、汇流条和焊带。电池串包括串联的多个电池片， 多个电池片包括以基准线为起点依次布置的第一电池片和第二电池片；汇流条设于第二电池片的背光面， 并位于靠...
    2025-11-15
  • 一种背接触式光伏组件
    一种背接触式光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511079614.8
    本申请公开了一种背接触式光伏组件， 属于光伏组件技术领域。电池片包括依次叠置的基底、掺杂层和钝化减反层， 第一掺杂层和第二掺杂层均沿第一方向延伸且沿第二方向交替间隔排布， 相邻的两个第一掺杂层和第二掺杂层之间具有沿第一方向延伸的隔离区；集电...
    2025-11-15
  • 太阳能电池、电池串和光伏组件
    太阳能电池、电池串和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202510798169.4
    本发明提供了一种太阳能电池、电池串和光伏组件， 涉及光伏技术领域。太阳能电池包括：电池本体；电极结构， 包括：若干互联部， 电极结构与电池本体电连接；至少一个互联部覆盖的表面区域包括：绒面区域和抛光面区域；至少一个互联部与其下覆盖的至少部分...
    2025-11-15
  • 基于硼梯度掺杂金刚石同质结的自驱动紫外探测器及其制备方法
    基于硼梯度掺杂金刚石同质结的自驱动紫外探测器及其制备方法_郑州大学_202511023801.4
    本发明实施例公开了基于硼梯度掺杂金刚石同质结的自驱动紫外探测器及其制备方法；该探测器包括：硼梯度掺杂金刚石衬底；硼梯度掺杂金刚石衬底包括硼掺杂浓度较低的区域和硼掺杂浓度较高的区域；电极；电极包括两个， 分别设置在硼掺杂浓度较低的区域和硼掺杂...
    2025-11-15
  • 一种太阳能电池硅片矫正装置
    一种太阳能电池硅片矫正装置_江苏牧心胜科技有限公司_202511325077.0
    本发明公开了半导体生产制造技术领域的一种太阳能电池硅片矫正装置， 包括限位输送机构、两组扭转输送机构和驱动件， 限位输送机构安装于设备支架的顶部中心处， 限位输送机构的顶部形成有用于限制硅片侧边偏移的输送凹槽， 两组扭转输送机构设置于限位输...
    2025-11-15
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_云南润阳世纪光伏科技有限公司_202510764242.6
    本公开提供太阳能电池及其制备方法， 太阳能电池的制备方法包括：使用第一浆料在硅片上形成副栅接触短线；使用第二浆料在硅片上形成主栅连接线和副栅， 其中， 副栅与相应的副栅接触短线垂直且电连接， 主栅连接线和副栅垂直且电连接， 第一浆料中的银的...
    2025-11-15
  • 隧穿氧化层及其制备方法和在制备TOPCon电池中的应用
    隧穿氧化层及其制备方法和在制备TOPCon电池中的应用_环晟光伏(江苏)有限公司_202411324650.1
    本发明提供了一种隧穿氧化层及其制备方法和在制备TOPCon电池中的应用， 涉及太阳能电池的技术领域， 所述隧穿氧化层的制备方法包括以下步骤：通入TEOS和O2， 在硅基体上沉积隧穿氧化层；其中， 所述隧穿氧化层的沉积时间为3‑10s。本发明...
    2025-11-15
  • TBC电池制备方法及TBC电池
    TBC电池制备方法及TBC电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202411131850.5
    本发明提供了一种TBC电池制备方法及TBC电池， 涉及太阳能电池的技术领域， TBC电池制备方法包括以下步骤：在硅基体背面依次制备第一隧穿氧化层和第一多晶硅层， 在第一多晶硅层的预设正电极区域制备掩膜层， 之后去除硅基体背面预设负电极区域中...
    2025-11-15
  • TOPCon电池的制备工艺和TOPCon电池
    TOPCon电池的制备工艺和TOPCon电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202411037397.1
    本发明提供了一种TOPCon电池的制备工艺和TOPCon电池， 具体涉及太阳能电池制备技术领域。该制备工艺是将TOPCon蓝膜片依次进行激光开槽、激光退火、酸洗、电镀栅线和光注入得到所述TOPCon电池。本发明提供的TOPCon电池的制备工...
    2025-11-15
  • Topcon电池隧穿氧化层的制备方法、Topcon电池
    Topcon电池隧穿氧化层的制备方法、Topcon电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202410963415.2
    本发明提供了一种Topcon电池隧穿氧化层的制备方法、Topcon电池， 涉及太阳能电池技术领域， 包括以下步骤：电池片生长隧穿氧化层后， 通过H2和N2对该隧穿氧化层进行修补处理， 得到修补后的隧穿氧化层；其中， 修补处理的温度为600℃...
    2025-11-15
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510522717.0
    一种图像传感器包括：包括像素的像素阵列、以及连接到像素的外围电路。每个像素包括第一光电二极管、具有比第一光电二极管的光接收面积小的光接收面积的第二光电二极管、以及将第一光电二极管和第二光电二极管连接到外围电路的像素电路。外围电路通过在第一曝...
    2025-11-15
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510095212.0
    一种图像传感器包括：衬底， 包括多个像素， 所述多个像素分别包括光电转换区域；电容器结构， 位于衬底上；电容器绝缘层， 位于电容器结构之间的间隔中；以及外部通路结构， 位于电容器结构之间的间隔中并且穿透电容器绝缘层。电容器结构包括：导电板层...
    2025-11-15
  • 电子设备
    电子设备_意法半导体国际公司_202510475832.7
    本公开涉及电子设备。一种电子设备包括像素。该像素包括：光电二极管；包括第一半导体区域和第二半导体区域的电荷转移通道， 其中第二区域通过第一区域与光电二极管分开；以及围绕通道的沟槽， 其中沟槽包括第一导电芯和第二导电芯以及绝缘护套。第一芯横向...
    2025-11-15
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