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  • 本发明的目的在于提供一种甲胺甲脒双元有机阳离子锡铅混合钙钛矿太阳能电池及其制作方法, 属于钙钛矿太阳能电池技术领域, 所述太阳能电池, 从下至上依次包括阳极、空穴传输层、下层界面修饰层、钙钛矿光吸收层、电子传输层、上层界面修饰层、阴极。甲胺...
  • 本发明公开了一种具有CPA‑MXene电极的钙钛矿太阳电池及其制备方法, 该电池包括从下至上依次层叠设置的透明导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层、CPA‑MXene背电极层;CPA‑MXene背电极层通过在空穴传输层表面喷涂CPA‑...
  • 本申请公开一种光吸收层及制备方法、太阳能电池、用电设备及发电设备, 光吸收层包括三维钙钛矿, 还包括二维钙钛矿和零维钙钛矿中的至少一种;二维钙钛矿和零维钙钛矿中的至少一种分布在三维钙钛矿中。本申请以二维钙钛矿和零维钙钛矿中的至少一种作为形核...
  • 本申请公开了一种晶硅钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法, 晶硅钙钛矿叠层太阳能电池包括硅衬底;钙钛矿薄膜层, 设置于硅衬底的一侧;以及纳米粉体修饰层, 设置于硅衬底与所述钙钛矿薄膜层之间;其中, 纳米粉体修饰层包括与硅衬底表面结构相适应的团簇...
  • 本发明提供了一种显示基板、显示模组和制作方法, 涉及微型LED的技术领域, 显示基板包括LED单元阵列, 色转换层, 用于将所述LED单元阵列发出的光进行转换;滤光层, 与所述色转换层的出光侧相对, 且在所述滤光层和所述色转换层的出光侧相对...
  • 本发明公开了一种Micro LED的GaN集成器件及其制备方法, 包括衬底;配置在所述衬底上的HEMT外延结构, 形成电连接的多个HEMT器件, 所述多个HEMT器件包括驱动HEMT DT1、参考HEMT DT2以及四个开关HEMT TS1...
  • 提供了一种显示装置和用于制造该显示装置的方法。显示装置包括:基底, 在基底中限定有显示区域和围绕显示区域的非显示区域;多个像素, 设置在基底的显示区域中, 并且包括第一电极、第二电极以及电连接到第一电极和第二电极的多个发光元件;以及第一电压...
  • 提供了显示装置和用于制造显示装置的方法, 所述显示装置包括:像素电极和共电极, 位于基底上并且彼此间隔开;发光元件, 包括位于像素电极上的第一接触电极和位于共电极上的第二接触电极;以及第一连接电极和第二连接电极, 第一连接电极将第一接触电极...
  • 本申请实施例提供一种显示面板以及显示装置。显示面板包括阵列分布的多个像素单元。像素单元包括第一像素组和第二像素组。每个所述第一像素组包括三个沿第一方向间隔设置的第一子像素。每个所述第二像素组包括三个沿第二方向间隔设置的第二子像素。所述第一方...
  • 本发明提出一种全彩二合一SMD LED显示器件及其制备模具, 显示器件包括对称嵌套设置在同一个支架上的显示单体, 所述显示单体的引脚仅有底面外露在支架的底面, 所述支架底部与引脚连接处设有凹槽;本发明使显示屏器件贴板后的推力大大提升, 增加...
  • 本公开提供发光装置以及面状光源, 提供能宽配光地发光的发光装置以及具备该发光装置的面状光源。发光装置具备:基板;载置于所述基板上的发光元件;被配置为覆盖所述发光元件的透光性构件;和在所述透光性构件上将来自所述发光元件的出射光的至少一部分遮光...
  • 本发明涉及一种裸眼3D显示装置及其制备方法, 涉及半导体显示技术领域。在本申请的裸眼3D显示装置的制备方法中, 通过在第一Micro LED单元的所述衬底的中心区域形成第一磁性金属离子注入区并在其边缘区域形成第二磁性金属离子注入区, 并设置...
  • 本发明涉及一种微LED的转移方法以及一种裸眼3D显示面板, 涉及半导体显示技术领域。在本申请的微LED的转移方法中, 通过设置每个所述微LED单元的所述蓝宝石衬底中形成有第一磁性区, 且设置所述每个所述凹槽的底部形成有第二磁性区, 进而可以...
  • 本发明属于微型发光二极管显示技术领域, 提供了一种微型发光二极管阵列转移方法, 包括:微型发光二极管外延结构制备、P型电极层阵列制备、微型发光二极管台面阵列刻蚀、衬底台面阵列刻蚀、第一键合层和第二键合层制备、转移基板键合、外延衬底分离、缓冲...
  • 本发明涉及氮化镓CMOS与微型LED单芯片集成的制备方法及制品, 方法在商用成熟的p‑型氮化镓栅极高电子迁移率晶体管外延上, 选区外延生长micro‑LED的外延, 通过在p‑型栅HEMT的基板上制备由增强型n‑沟道HEMT、p‑沟道场效应...
  • 本发明公开了一种Mini LED芯片封装方法, 包括如下步骤:在每个Mini LED芯片的外周的基板上点涂疏水性涂层组合物并进行热烘烤预处理形成疏水性涂层;所述涂层组合物包含有机氟树脂、表面活性剂及溶剂;在预处理后的Mini LED芯片基板...
  • 本发明公开了一种高压发光芯片及其制备方法, 高压发光芯片包括:缓冲层, 缓冲层的材料为未掺杂或低掺杂的半导体材料;绝缘支撑层, 位于缓冲层的一侧;绝缘支撑层的材料为掺杂有阻化杂质的半导体材料;绝缘支撑层的电阻率大于缓冲层的电阻率;至少两个发...
  • 本发明公开了一种高压发光芯片及其制备方法, 高压发光芯片包括并排设置且依次串联连接的至少两个发光单元;其中, 每相邻的两个发光单元之间设置有隔离槽, 隔离槽用于隔离相邻的两个发光单元;不同的发光单元共用同一连续发光层, 隔离槽位于连续发光层...
  • 本发明公开一种发光二极管封装结构的制造方法及发光二极管封装结构。发光二极管封装结构包含衬底、发光芯片、颜色转换封装体、透明封装体及减光封装体。发光芯片、颜色转换封装体、透明封装体及减光封装体设置于衬底的主侧面。颜色转换封装体包覆发光芯片。透...
  • 本公开能够实现可对混色光进行调色的光源的小型化。本公开的一实施方式的光源包括:发光元件, 其包括发出第1光的第1发光部以及发出具有与所述第1光的发光峰值波长不同的发光峰值波长的第2光的第2发光部, 所述第1发光部与所述第2发光部沿着第1方向...
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