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  • 本发明涉及一种基于TADF/PbS量子点/TADF材料叠层异质结量子阱复合沟道的光控薄膜晶体管制备方法,利用旋涂成膜工艺技术,在硅/二氧化硅衬底上,制备出TADF/PbS量子点/TADF材料叠层异质结量子阱复合膜层,再通过图形化掩膜覆盖蒸镀...
  • 本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。发光二极管包括:外延结构、第一电极、第二电极和第三电极;外延结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层;外延结构呈台阶结构,台阶结构具有台阶顶面和台阶底面,台阶底面位于第一半导体层表面,外延结...
  • 本发明属于半导体材料及光电技术领域,具体涉及一种全无机金属卤化物钙钛矿双层薄膜的图案化制备方法;包括:将第一卤化物、四苯基卤化磷、聚氧乙烯山梨醇单月桂酸酯和碱土金属卤化盐溶解于DMSO,加热搅拌,直至全部溶解,得到溶液A;将溶液A旋涂分布在...
  • 本发明公开了一种宽禁带CuGaSe2太阳能电池吸收层薄膜及其制备方法,涉及太阳能电池技术领域。具体步骤为:在Mo背电极上依次沉积500nm厚的CuGaSe2薄膜、100nm厚的Sb2
  • 本发明揭示了一种光伏组件生产的多功能整合一体机,具有生产流水线中一个工艺环节的机体框架,所述机体框架对应所流转入的光伏组件半成品,分布设有EVA垫片冲裁供料机构,EVA垫片运载放料机构,标签打印机,贴内标机构和工控气源总成,在一个工艺周期内...
  • 本发明公开了一种硅基GaN晶圆级集成器件及其制备方法,涉及GaN器件技术领域。所述方法包括如下步骤:表面保护、临时键合、剥离外延、制备粘接层、键合转移、解键合、GaN器件制备以及金属互连。所述硅基GaN晶圆级集成器件通过键合粘接层,将剥离衬...
  • 本发明提供一种沟槽型器件及其制作方法,本发明的沟槽型器件包括:半导体层,所述半导体层包括有源区和终端区;终端沟槽结构,位于所述终端区,所述终端沟槽结构自所述半导体层表面延伸至所述半导体层内部,且至少部分所述终端沟槽结构具有不同的深度。通过设...
  • 本发明公开了一种电导调制增强的III族氮化物电子器件及其制备方法。所述器件包括PN结和光反射结构;所述PN结包括直接接触的第一导电特性区和第二导电特性区,所述第一导电特性区和第二导电特性区的导电特性相反,所述第一导电特性区位于第一面,且所述...
  • 本发明提供了一种垂直沟道晶体管的制备方法及垂直沟道晶体管结构,该垂直沟道晶体管的制备方法包括:在衬底上形成有从下至上依次堆叠的底层源漏层、第一扩展层、初始沟道层、第二扩展层和顶层源漏层;在对初始第一扩展层以及初始第二扩展层进行横向刻蚀,以在...
  • 本发明公开了一种具有低衬底漏电流的肖特基结积累型LIGBT器件,主要解决现有LIGBT衬底漏电流大、耐压能力低、关断时间长的问题。其包括:P型衬底、N型漂移区、P+源区、N+源区、P型基区、P+漏区、源极和衬底电极。其中N型漂移区的上方依次...
  • 本发明属于半导体器件技术领域,具体公开了一种高击穿场铪基铁电电容器件及其制造方法,器件包括底电极层、氧化铪铁电层、顶电极层和二氧化钒插层,底电极层设于氧化铪铁电层的底部,顶电极层设于氧化铪铁电层的顶部,二氧化钒插层可以只设在单一电极与铁电层...
  • 本发明涉及可操作设备技术领域,特别是涉及一种操作装置,包括仪器本体、支撑组件、调节组件和锁定组件,仪器本体设有操作面板;支撑组件包括支撑盖,支撑盖位于仪器本体的前方;调节组件包括固定套筒、活动套筒和第一连接轴,固定套筒固定连接于仪器本体,固...
  • 本发明涉及二阶式阶梯状金手指板的制造方法。该方法包含前置步骤,提供第一堆栈结构及第二堆栈结构;第一凹槽形成步骤,于所述第一堆栈结构形成第一凹槽,且所述第一堆栈结构定义有位于所述第一凹槽的一侧的牺牲部及位于所述第一凹槽的另一侧的压合部;压合步...
  • 本发明公开了一种PCB多层板蚀刻机,涉及PCB板蚀刻领域,包括输送机构、蚀刻机构和清洁机构,清洁机构包括架体,架体下方设置有交替分布的负压吸取件和牛眼万向滚轮,负压吸取件用于吸取PCB板表面的蚀刻液,牛眼万向滚轮的滚球与PCB板表面接触时,...
  • 本发明公开了多层电路板在光伏逆变器中的集成与优化方法,包括:至少七层功能性堆叠结构,从顶至底依次为:电磁屏蔽层、功率器件层、第一绝缘介质层、控制电路层、第二绝缘介质层、散热基底层和机械强化层;其中所述功率器件层采用三维埋入式封装技术集成IG...
  • 本发明公开了一种功率集成电路散热结构及其生产方法,散热结构包括至少两层从上到下依次层叠的电路板,相邻两个所述电路板之间设有绝缘层,各个所述电路板或所述绝缘层设有空洞散热通道。与现有技术相比,通过在电路板中和绝缘层中设置空洞散热流道,空洞散热...
  • 本发明提供了一种基于等离子体源的双高频高压信号同步调试方法,步骤S01:对于不存在信号输出端口的高频电源端从高压输出端进行采样。步骤S02:从高压输出的信号首先经过采样电路等比例采样到ADC的输入范围±5V以内,通过ADC和RAM系统的通信...
  • 本发明公开了一种用于智能水表的水务数据传输方法及装置,涉及数据传输技术领域;获取目标区域的节点信息并对数据传输策略进行初始化,根据节点信息对各节点进行聚类得到最优簇列表;根据最优簇列表对目标区域的区域进行划分得到子区域集,并对子区域集的数据...
  • 本发明涉及无梭织机控制技术领域,公开了建立在无线网络基础上的多台无梭织机控制系统,包括管理计算机,用于全局优化与任务调度;无线通信网络,包括管理单元和多个节点单元,管理单元通过以太网接口与管理计算机连接;多个节点控制单元,节点单元通过无线射...
  • 本发明公开了一种基于智能分布式决策的自适应多车协同感知方法及设备,每辆车辆将统一后的点云数据进行体素化,通过体素特征编码算法对体素化的点云数据进行高维体素特征提取,并基于提取的高维体素特征生成车辆本地高维感知特征;每辆车辆根据当前信道的信噪...
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