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喷涂装置;染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂装置的制造及其制作,应用技术
  • 本发明公开了一种加热装置、化学气相沉积设备及吹扫方法,用于化学气相沉积设备,所述加热装置包括:加热器底座,所加热器底座上可用于承载一待处理基片。固定边环,其套设在加热器底座上,一缓冲腔和一间隙位于固定边环与加热器底座之间。间隙包括水平间隙和...
  • 本发明涉及一种全氟正丙基乙烯基醚的制备方法,包括如下步骤:采用六氟环氧丙烷与氟化钾反应,得到全氟丙醇钾;将全氟丙醇钾与四氟乙烯反应,得到全氟正丙基乙烯基醚。本发明全氟正丙基乙烯基醚的制备方法有效减少了副产物的生成,产物纯度和收率都得到了显著...
  • 本发明提供一种降低双渣法冶炼工艺脱磷渣中TFe含量的方法,包括以下步骤:双渣法冶炼过程的溅渣护炉后留渣,控制留渣量5‑20kg/t钢;向转炉内兑入铁水,兑铁结束后测量铁水液面,之后下氧枪进行吹氧进行氧化吹炼,在氧化吹炼过程中加入石灰和含铁冷...
  • 本发明公开了一种微波等离子体金刚石膜沉积装置,涉及金刚石膜沉积技术领域,包括工作台,所述工作台的表面设置有上下布置的等离子体放电室和工作室,所述工作室的内部横向布置有样品台,所述样品台的表面处设置有样品升降组件,所述样品升降组件包括固定套;...
  • 本发明涉及一种含Ga/Mg协同调控的Zn‑Al‑Mg‑Ga热浸镀合金及镀层钢板,其特征在于,按质量分数计,该合金由以下组分组成:Al : 1.0‑45.3wt%,Mg : 0.5‑3.0wt%,Ga : 0.01‑0.50wt%、Zn : ...
  • 在衬底上选择性沉积硅氧化物的方法包括:使衬底暴露于含硅抑制剂,以使含硅抑制剂选择性地吸附至衬底的金属表面。含硅抑制剂包括一个或更多个有机配体。该方法还包括:通过使衬底暴露于含金属前体以使含金属前体吸附至介电表面,以在衬底的介电表面上形成催化...
  • 本发明公开了一种易切削耐腐蚀航空紧固件用线材及其制备方法,所述线材以Fe为基础元素,化学成分按质量百分比计为:C:0.02%‑0.15%、Mn:0.50%‑2.00%、Si:0.20%‑1.00%、P:0.05%‑0.20%、Se:0.10...
  • 本发明涉及一种石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法,应用于半导体加工设备技术领域。其中,保护方法包括:采用溴基等离子体选择性去除石英部件表面既有的金属化合物钝化层;随后,沉积新的金属化合物钝化层,利用新的金属化合物钝化层提供抗...
  • 本发明公开了一种丙烯酸的制备方法,涉及丙烯酸制备技术领域,该方法将丙烯、空气与处理后循环尾气混合后进入氧化反应器R1中反应,将丙烯氧化为丙烯醛;氧化反应器R1的出口连接着氧化反应器R2入口,氧化反应器R2出口物料为包含丙烯酸的混合气体,进入...
  • 本申请提供一种碳化硅基材用超高温热环境障涂层及其制备方法和碳化硅复合基材,涉及热喷涂涂层领域。碳化硅基材用超高温热环境障涂层包括依次层叠设置的梯度过渡层、粘结层、动态应力调控层和防护层;梯度过渡层包括Al22O33和TiC;粘结层包括Al‑...
  • 本实用新型公开了镀锌设备技术领域的一种太阳能光伏板框架镀锌装置,包括底板,所述底板的顶部设有箱体,所述底板的顶部右侧设有升降板,所述升降板的左侧顶部设有连接板,所述连接板的底部左侧设有限位机构,所述连接板的底部右侧设有转动机构,所述箱体内壁...
  • 本申请属于硬质合金涂层刀具技术领域,具体涉及一种复合涂层刀具及其制备方法,所述复合涂层包括打底层、功能层以及位于两者之间的Ti‑Al‑B‑Si过渡层。过渡层中Si元素含量自打底层向功能层方向递增;功能层为hcp‑(Ti1‑a‑1‑a‑bbA...
  • 本实用新型提供了一种沉积装置,包括工艺腔和气化结构;工艺腔上设有第一类进气口和第二类进气口;气化结构设在工艺腔外,且气化结构与第二类进气口连接。利用该沉积装置执行BCD工艺时,气体原料从第一类进气口进入工艺腔并在位于工艺腔内的基底上沉积形成...
  • 本申请提供了一种玻璃纤维浸润剂,玻璃纤维浸润剂包含有效组分和水,有效组分包含硅烷偶联剂、成膜剂、润滑剂、流平剂和pH值调节剂,浸润剂的固含量为5~10%,各有效组分的固体质量占浸润剂固体总质量的百分比表示如下:硅烷偶联剂7~20%、润滑剂9...
  • 本发明涉及啤酒酿造技术领域,尤其涉及一种无菌收集沉淀和酵母细胞的茶啤酒发酵设备,其技术方案包括:罐体,所述罐体内沿周向设有用于使发酵液形成旋流分离场的螺旋导流板;所述罐体中心区域设有用于聚集轻质沉淀并导向滤网的中央漏斗,所述中央漏斗下方分层...
  • 本发明属于炼钢连铸精炼处理技术领域,尤其涉及一种生产超低碳钢的方法,包括:1)炼钢:转炉沸腾出钢,终点碳含量:0.03%≤C≤0.05%;钢包采用周转时间小于3小时且钢水罐残钢小于0.5吨的周转罐;2)LF:吹氩至顶渣熔化后关氩气定氧;加入...
  • 本发明属于半导体集成电路制造技术领域,具体公开了一种在12英寸晶圆上沉积高均匀性Al22O33、ZrO22薄膜的原子层沉积方法,该方法包括以下步骤:选择n型单面抛光硅片为衬底,进行预处理;将清洗后的12英寸晶圆装载到12英寸原子层沉积样机的...
  • 本发明涉及一种用于钛合金熔炼的铝铌中间合金的制备方法,包括如下步骤:1)原料包括主原料五氧化二铌、还原剂金属铝粉、造渣剂氧化钙和氟化钙,将上述原料进行混料预处理;2)将步骤1)的混合料投入反应装置,同时加入补热剂;3)引燃物料,使物料发生铝...
  • 提供用于从为所需掺杂剂的单一源的氟碳硅烷、氟硅烷或碳硅烷前体中沉积低介电常数掺杂氧化硅膜的等离子体增强原子层沉积方法及装置。可通过利用具有至少一直接硅氟键或经由连接基连接至硅的氟的硅前体实现保形沉积。方法亦可包括氟碳氨基硅烷或氟氨基硅烷。
  • 本发明涉及一种耐高温、长寿命环境障涂层粘结层及其制备方法。所述耐高温、长寿命环境障涂层粘结层包括沉积于基材表面的稀土金属Y改性Si涂层;其中:所述稀土金属Y改性Si涂层的相组成包括YSi22、YSi中的至少一种,元素组成包括Y:60~65w...
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