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最新专利技术
  • 减反射膜磁控溅射制备方法及减反射膜
    减反射膜磁控溅射制备方法及减反射膜_河南镀邦光电股份有限公司_202511259514.3
    本申请涉及减反射膜及其磁控溅射制备方法。方法包括用离子源清扫基材表面， 增强膜层与基材结合力， 交替沉积高折射率材料层和低折射率材料层， 控制各参数使厚度在特定范围， 构建仓室之间的真空梯度， 优化高折射率材料优化高折材料的折射率和致纯度，...
    2026-01-12
  • 提高锆铌合金氧化层厚度及抗菌性能的材料表面改性方法
    提高锆铌合金氧化层厚度及抗菌性能的材料表面改性方法_西南交通大学_202510944656.7
    本发明公开了一种提高锆铌合金氧化层厚度及抗菌性能的材料表面改性方法， 具体为：对锆铌合金样品进行打磨抛光等预处理， 得到预处理后的锆铌合金；利用离子注入机将金属元素离子注入到锆铌合金表面， 注入完成后， 取出得到离子注入后的锆铌合金；采用箱...
    2026-01-12
  • 溅镀治具及溅镀方法
    溅镀治具及溅镀方法_环旭电子股份有限公司_202511016609.2
    本揭示提供一种溅镀治具及溅镀方法。溅镀治具用以支撑多个半导体元件， 半导体元件包含底面及导电凸部， 导电凸部凸出于底面， 溅镀治具包含支撑框架、光解胶层以及支撑胶层。支撑框架包含四边条围绕中空区域。光解胶层粘贴于四边条以覆盖中空区域。支撑胶...
    2026-01-12
  • 一种工艺腔室内壁保护膜的沉积时间确定方法和相关设备
    一种工艺腔室内壁保护膜的沉积时间确定方法和相关设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410404823.4
    本发明公开了一种保护膜的厚度确定方法和半导体工艺设备， 包括：对工艺腔室的内壁进行清洁， 并在工艺腔室的内壁上沉积初始厚度的保护膜， 在工艺腔室内进行预设的半导体工艺， 并在半导体工艺结束之后， 去除工艺腔室内壁上剩余厚度的保护膜， 获得第...
    2026-01-12
  • 基于模糊推理的热蒸发式薄膜沉积串级控制方法及系统
    基于模糊推理的热蒸发式薄膜沉积串级控制方法及系统_盐城工学院_202510822592.3
    本发明提供了基于模糊推理的热蒸发式薄膜沉积串级控制方法及系统， 包括：根据本次薄膜沉积任务生成若干条模型参数构建非线性耦合模型， 利用温度环对基板的当前温度进行模糊PID控制， 推理并调整基板的PID参数， 利用功率环对沉积实际数据进行MP...
    2026-01-12
  • 一种真空镀膜的膜厚控制方法及真空镀膜设备
    一种真空镀膜的膜厚控制方法及真空镀膜设备_西安交通大学_202510988798.3
    本发明涉及真空离子镀膜技术领域， 公开了一种真空镀膜的膜厚控制方法及真空镀膜设备， 所述真空镀膜的膜厚控制方法包括测量待镀膜工件镀膜区域周围的若干个辅助区域的实时电流；对实时电流进行时间积分与线性回归分析获得平均电流值；根据平均电流值建立待...
    2026-01-12
  • 一种磁控溅射镀膜机的晶控装置
    一种磁控溅射镀膜机的晶控装置_江苏派莱特光电科技有限公司_202511269309.5
    本发明涉及镀膜机技术领域， 具体为一种磁控溅射镀膜机的晶控装置， 包括镀膜机， 所述镀膜机的内部通过电机转动设置有旋转架， 且旋转架内部的上方固定设置有若干个固定板， 其中， 若干个固定板关于旋转架的中心轴线呈等角度分布设置， 且若干个固定...
    2026-01-12
  • 半导体薄膜沉积设备
    半导体薄膜沉积设备_苏州龙驰半导体科技有限公司_202510921533.1
    本申请实施例提供一种半导体薄膜沉积设备， 内部划分为常压区和真空区， 常压区和真空区之间隔开， 且常压区和真空区之间设有连通道；还设有：预清洗工作区， 设置于常压区；预清洗工作区内设有用于对硅晶圆进行预清洗的预清洗装置；沉积工作区， 设置于...
    2026-01-12
  • 沉积掩模、制造沉积掩模的方法和使用沉积掩模制造显示装置的方法
    沉积掩模、制造沉积掩模的方法和使用沉积掩模制造显示装置的方法_三星显示有限公司_202510381173.0
    本公开涉及沉积掩模、制造沉积掩模的方法和使用沉积掩模制造显示装置的方法。制造沉积掩模的方法包括：通过从第一衬底的后表面蚀刻第一衬底的与第一开口相对应的部分， 来形成从第一衬底的后表面暴露第一金属层的第一开口的单元开口；在包括基础层的第二衬底...
    2026-01-12
  • 半导体制造设备及其控制方法
    半导体制造设备及其控制方法_蓝河科技(绍兴)有限公司_202511277337.1
    本发明提供一种半导体制造设备及其控制方法， 通过在腔室外设置围设于旋转装置的升降底板， 在升降底板上设置若干升降机构， 并采用测距装置获取升降底板与腔室底板之间的若干腔外间距， 在外延工艺流程中， 同步获取各腔外间距并根据各腔外间距判断是否...
    2026-01-12
  • 多晶硅膜的制备方法
    多晶硅膜的制备方法_江苏卓胜微电子股份有限公司_202410423075.4
    本申请公开了一种多晶硅膜的制备方法， 包括：步骤一、将晶圆装入炉管中， 此时炉管内充满氮气， 温度为第一温度；步骤二、持续对炉管内通入氮气， 对晶圆进行升温预热， 炉管内温度设定为第二温度；步骤三、持续对炉管内通入氮气， 对晶圆进行降温， ...
    2026-01-12
  • 成膜装置的运用方法和成膜装置
    成膜装置的运用方法和成膜装置_东京毅力科创株式会社_202510344911.4
    本公开提供一种成膜装置的运用方法和成膜装置， 能够去除沉积于处理容器内的含镍膜。本公开的一个方式的成膜装置的运用方法包括以下工序：工序(a)， 向处理容器内供给含硅气体， 来将所述处理容器内用非晶硅膜进行覆盖；工序(b)， 在所述工序(a)...
    2026-01-12
  • 一种基于化学气相沉积方法和原位掺杂工艺的大尺寸二维材料中量子光源的制备方法
    一种基于化学气相沉积方法和原位掺杂工艺的大尺寸二维材料中量子光源的制备方法_河南大学_202510955427.5
    本发明提出了一种基于低压化学气相沉积方法和原位掺杂工艺的大尺寸二维材料中量子光源的制备方法， 属于量子光源的技术领域。本发明制备步骤如下：在蓝宝石衬底上制备镍金属薄膜， 得到镍/蓝宝石衬底；将镍/蓝宝石衬底进行退火处理， 得到单晶镍薄膜/蓝...
    2026-01-12
  • 一种氧化镍薄膜及其制备方法
    一种氧化镍薄膜及其制备方法_湖北大学_202510923619.8
    本发明涉及二维磁性材料制备技术领域， 公开一种氧化镍薄膜及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：将氯化镍水合物前驱体置于管式炉的加热区；将衬底悬置于所述前驱体上方；将所述管式炉内温度在15‑25min内升温至生长温度， 并保温3‑10min...
    2026-01-12
  • 半导体工艺设备及其排气处理装置
    半导体工艺设备及其排气处理装置_北京北方华创微电子装备有限公司_202410404731.6
    本申请提供一种半导体工艺设备及其排气处理装置， 排气处理装置包括壳体、导流部件以及吸附部件， 壳体包括入口和出口， 入口用于向壳体内通入反应腔室排出的工艺气体；导流部件设置在壳体内， 并将壳体内部分隔形成流体通道， 流体通道包括分别与入口和...
    2026-01-12
  • 化学源容器和反应系统
    化学源容器和反应系统_ASMIP私人控股有限公司_202510408080.2
    公开了一种用于容纳液体化学前体的化学容器， 其包括液位传感器管。液位传感器管配置为在液体化学前体被加热到沸点或蒸发点的环境中操作。液位传感器管包括壳体， 该壳体具有内置的狭槽， 以防止设置在液位传感器管内的传感器的任何错误读数。液位传感器管...
    2026-01-12
  • 管式炉和手套箱互联系统
    管式炉和手套箱互联系统_南方科技大学_202510880740.7
    本发明公开了一种管式炉和手套箱互联系统， 其包括管式炉、手套箱、转移通道、样品管和真空泵， 管式炉具有反应室， 手套箱具有操作室， 操作室内存储有保护气体， 转移通道的第一端与操作室连通， 转移通道的第二端与反应室连通， 转移通道内设有插板...
    2026-01-12
  • 液态源存放装置
    液态源存放装置_北京北方华创微电子装备有限公司_202410385140.9
    本发明提供一种液态源存放装置， 包括存放腔体、进气组件和随动组件， 存放腔体用于存放液态源， 进气组件包括出气部件， 出气部件可升降的设置在存放腔体内， 出气部件具有出气口， 出气部件通过出气口向存放腔体内输运载气， 随动组件与进气组件配合...
    2026-01-12
  • 一种大尺寸半导体成膜设备
    一种大尺寸半导体成膜设备_前海合盛精工实业(深圳)有限公司_202410411094.5
    本发明公开一种大尺寸半导体成膜设备， 包括设备主体以及混合装置， 设备主体包括反应腔室以及喷淋机构， 喷淋机构设置在反应腔室中， 并与混合装置连通， 反应腔室于喷淋机构下方设置有喷淋板， 喷淋机构可相对喷淋板进行移动， 通过上述设置， 本发...
    2026-01-12
  • 原子层沉积方法、炉管设备及其抽真空方法
    原子层沉积方法、炉管设备及其抽真空方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410411861.2
    本发明公开了一种原子层沉积方法、炉管设备及其抽真空方法， 涉及半导体制造技术领域， 所述原子层沉积方法包括：S100、将基片放置于反应腔室内， 并将所述反应腔室抽至真空状态；S110、向所述反应腔室内通入前驱体， 直至铺满所述基片的表面；S...
    2026-01-12
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