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最新专利技术
  • 一种折叠式触头系统挡板及直流断路器
    一种折叠式触头系统挡板及直流断路器_江苏大全凯帆开关股份有限公司_202511002563.9
    本申请公开了低压电器元器件设备技术领域的一种折叠式触头系统挡板及直流断路器， 直流断路器包括动触头组件、静触头组件、灭弧室以及使用固体产气材料的静触头挡板和动触头挡板， 所述静触头挡板和动触头挡板形成单折叠结构， 所述静触头挡板和动触头挡板...
    2025-12-10
  • 一种通用智能跌落式熔断器
    一种通用智能跌落式熔断器_成都万美迪科技有限公司_202510988845.4
    本发明公开了一种通用智能跌落式熔断器， 所述跌落式熔断器由绝缘外管、熔丝、管座、导电帽和连接座组成， 所述连接座的左右两侧对称设有转动臂， 所述转动臂的上端通过转动销轴与管座和连接座同轴转动连接， 所述转动臂的中部横向设有一根连接杆， 所述...
    2025-12-10
  • 一种高分断、高电流贴片熔断器
    一种高分断、高电流贴片熔断器_苏州力特奥维斯保险丝有限公司_202510973853.1
    本发明涉及熔断器技术领域， 尤其涉及一种高分断、高电流贴片熔断器， 包括上壳体、下壳体和安装在上下壳体之间的熔体， 上壳体和下壳体均采用陶瓷材料制成， 熔体采用导电材料一体式弯折冲压制成， 上壳体与下壳体安装后的内部空腔中灌装有灭弧填料。本...
    2025-12-10
  • 一种可插拔式电机保护熔断器及熔断器底座
    一种可插拔式电机保护熔断器及熔断器底座_深圳市深汕特别合作区威可特熔断器有限公司_202511138723.2
    本申请涉及电气保护领域， 尤其是涉及一种可插拔式电机保护熔断器及熔断器底座。该熔断器， 包括：外壳体；底盖， 嵌设在所述外壳体的一端；插头件， 设置为对称的两个， 两个所述插头件的一端均位于所述外壳体内， 另一端均穿设在所述底盖的两端并外露...
    2025-12-10
  • 具有高低压隔离功能的智能熔断器
    具有高低压隔离功能的智能熔断器_浙江中贝能源科技有限公司_202511349712.9
    本申请提供了一种具有高低压隔离功能的智能熔断器， 包括：第一壳体、第一激励源、第二激励源、冲击件和隔离组件；隔离组件与第一壳体叠放设置；隔离组件上设置有第一导线定位槽、第二导线定位槽、第三开口、第一连接孔和第二连接孔；第一连接孔的位置与第一...
    2025-12-10
  • 熔断器内置式接触器
    熔断器内置式接触器_浙江正泰电器股份有限公司_202511364958.3
    本发明涉及开关电器领域， 具体涉及一种熔断器内置式接触器。熔断器内置式接触器， 包括第一接触器和第二接触器， 第一接触器包括第一电磁系统， 第一罩壳， 第一动触桥， 第一静触头和第二静触头；第二接触器包括第二电磁系统， 第二罩壳， 第二动触...
    2025-12-10
  • 一种C波段紧凑型球形微波脉冲压缩装置
    一种C波段紧凑型球形微波脉冲压缩装置_中国科学技术大学_202511084205.7
    本发明属于粒子加速器微波领域， 具体而言， 涉及一种C波段紧凑型球形微波脉冲压缩装置， 包括外壳、双极化模式耦合器、圆波导， 外壳内部设置有球形储能腔， 圆波导与球形储能腔之间通过设置耦合孔连通；双极化模式耦合器包括矩形波导、蝴蝶形匹配节、...
    2025-12-10
  • 一种液态金属轴承X射线球管的阳极转子驱动模块及方法
    一种液态金属轴承X射线球管的阳极转子驱动模块及方法_苏州毫格睿科技有限责任公司_202510978201.7
    本发明涉及X射线球管控制技术领域， 具体涉及一种液态金属轴承X射线球管的阳极转子驱动模块及方法。包括如下过程：在加速阶段， 在预设时间段内， 电源输入模块向阳极定子线圈持续性供电， 以让阳极转子达到目标转速进入运行阶段；在运行阶段， 电源输...
    2025-12-10
  • 一种电子束束斑测试装置、方法、设备及存储介质
    一种电子束束斑测试装置、方法、设备及存储介质_中国科学院电工研究所_202510947571.4
    本发明涉及电子束测量技术领域， 具体涉及一种电子束束斑测试装置、方法、设备及存储介质。装置包括：电流检测组件， 用于接收待测电子束转换为电流信号值；可移动刀口组件， 用于在移动过程中对待测电子束进行遮挡；计算装置， 用于获取可移动刀口组件移...
    2025-12-10
  • 离子植入设备、离子源及操作离子源的方法
    离子植入设备、离子源及操作离子源的方法_应用材料股份有限公司_202511026221.0
    本文提供用于增大离子源的效率的方法， 具体而言， 提供一种离子植入设备、离子源及操作离子源的方法。在一些实施例中， 例如离子源的设备可包含腔室壳体， 腔室壳体具有：第一端壁和第二端壁；以及提取板， 耦合到第一端壁和第二端壁中的至少一个。提取...
    2025-12-10
  • 用于等离子体处理室部件的密封剂涂层
    用于等离子体处理室部件的密封剂涂层_朗姆研究公司_202510657242.6
    提供了一种用于等离子体处理室的部件。提供了一种含金属部件主体。密封剂涂层位于含金属部件主体的表面上， 其中密封剂涂层包括硅酮密封剂、有机密封剂或环氧密封剂中的至少一种， 其中密封剂涂层未被覆盖且直接暴露于等离子体处理室中的等离子体。
    2025-12-10
  • 晶圆处理装置、晶圆处理方法及晶圆处理系统
    晶圆处理装置、晶圆处理方法及晶圆处理系统_深圳市鹏新旭技术有限公司_202510900842.0
    本发明涉及一种晶圆处理装置、晶圆处理方法及晶圆处理系统， 属于半导体技术领域。本发明设置第一加热模块升高基座的温度， 并将晶圆放置在基座上， 基座通过热传导的方式对晶圆加热， 使晶圆与喷淋头在反应腔内保持最大间距， 显著增加了气体副产物的排...
    2025-12-10
  • 半导体加工设备、方法及存储介质
    半导体加工设备、方法及存储介质_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511016435.X
    本发明提供了半导体加工设备、方法及存储介质。所述半导体加工设备包括第一反应腔、气体捕集器、远程等离子体源及控制器。第一反应腔经由第一反应阀连接第一反应源， 并经由第二反应阀连接第二反应源。气体捕集器经由第三反应阀连接第一反应腔。远程等离子体...
    2025-12-10
  • 工件的加工
    工件的加工_北京屹唐半导体科技股份有限公司_202511027778.6
    提供了加工工件的方法。该工件可以包括钌层和铜层。在一个示例性实施方案中， 用于加工工件的方法可以包括在工件支撑件上支撑工件。该方法可以包括在工件上向钌层的至少一部分实施臭氧蚀刻工艺。该方法还可以包括对工件实施氢自由基处理工艺以去除铜层上的至...
    2025-12-10
  • 一种四极溅射离子泵
    一种四极溅射离子泵_聚微银池(苏州)设备科技有限公司_202510937527.5
    本发明公开了一种四极溅射离子泵， 包括磁场单元、抽气单元；其中， 磁场单元包括磁屏蔽腔体， 磁屏蔽腔体内设置磁铁， 在磁屏蔽腔体内形成均匀的磁场；抽气单元包括真空腔体， 真空腔体设于磁屏蔽腔体内；在真空腔体内设置多组并列布置至少3层阳极筒；...
    2025-12-10
  • 离子导引装置以及质谱仪
    离子导引装置以及质谱仪_株式会社岛津制作所_202410510795.4
    本发明技术方案提供了一种离子导引装置， 包括第一电极组和第二电极组。在垂直于所述离子光轴的横截面上， 第一电极组的n个第一片状电极和第二电极组n个第二片状电极彼此交替地环绕设置。第一片状电极和第二片状电极被施加以不同的直流电位， 并且， 在...
    2025-12-10
  • 飞行时间二次离子质谱聚焦偏移量测量和校准方法及应用
    飞行时间二次离子质谱聚焦偏移量测量和校准方法及应用_中国科学院物理研究所_202510960222.6
    本发明涉及一种飞行时间二次离子质谱聚焦偏移量测量和校准方法及应用。基于微纳加工技术制备验证工件；将验证工件置于飞行时间二次离子质谱ToF‑SIMS系统中， 采集各个点阵阵列的电荷耦合器件CCD光学图像与二次离子图像SI；以各个点阵阵列的CC...
    2025-12-10
  • 基于缓冲气体掺杂的准分子灯气体混合制备方法
    基于缓冲气体掺杂的准分子灯气体混合制备方法_江苏智紫纳米科技有限公司_202510754914.5
    本发明公开了基于缓冲气体掺杂的准分子灯气体混合制备方法， 涉及准分子灯技术领域， 包括混合气体， 所述混合气体包括氪气、氯气、氩气、氖气、氮气， 所述混合气体由氪气、氯气、氩气、氖气、氮气按照一定的气体体积百分比充分混合而成。本发明中， 氩...
    2025-12-10
  • 采用金属顺序渗透合成过程填充衬底上的凹陷特征的方法
    采用金属顺序渗透合成过程填充衬底上的凹陷特征的方法_ASMIP私人控股有限公司_202510503437.5
    公开了采用金属顺序渗透合成过程来填充衬底上的凹陷特征的方法。所公开的方法包括在凹陷特征内形成有机层并将金属物质引入到有机层中以允许形成金属晶种层。随后可以由金属晶种层形成块体金属层以填充凹陷特征。
    2025-12-10
  • 一种晶圆处理方法及晶圆处理系统
    一种晶圆处理方法及晶圆处理系统_浙江旺荣半导体有限公司_202510738659.5
    本发明公开了一种晶圆处理方法及晶圆处理系统。本发明的晶圆处理方法， 包括以下步骤：获取晶圆， 晶圆的正面具有划片道。制备腐蚀液， 使腐蚀液与晶圆的正面进行反应， 以使划片道内的杂质露出。制备清洗液， 将晶圆放入清洗液内冲洗， 以去除腐蚀液。...
    2025-12-10
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