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  • 本申请公开一种多结太阳能电池结构及其制备方法,涉及太阳能电池技术领域,该电池结构包括层叠的第一子电池、第一隧穿结、第二子电池(GaAs子电池)、第二隧穿结、DBR反射层、变质缓冲层和第三子电池,通过在第二隧穿结和变质缓冲层间增加DBR反射层...
  • 本申请涉及光伏电池技术领域,特别是涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法、叠层太阳能电池。异质结太阳能电池,包括基底,基底的背光面上包括依次层叠设置的第一岛状调光层、背光面本征非晶硅层、背光面掺杂层、第二岛状调光层和背光面透明导电层;其中,第...
  • 本申请涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及一种太阳能叠层电池及其制备方法、光伏组件。太阳能叠层电池包括依次层叠设置的钙钛矿电池、中间层以及硅基底电池;硅基底电池包括沿远离中间层的方向依次层叠设置的N型掺杂多晶硅层、隧穿氧化层、硅基板、本征非晶...
  • 本申请涉及一种太阳能板,包括第一EVA薄膜、太阳能板本体和第二EVA薄膜,并设置了冷压成型于太阳能板本体的第一硅胶层和第二硅胶层,粘合了第一EVA薄膜与太阳能板本体,以及第二EVA薄膜与太阳能板本体,因为硅基胶液的渗透性较高,所以可以完美填...
  • 本发明关于一种太阳能电池硅片的封边修复固化设备,涉及光伏制造领域。本技术方案设置有输送机构,其包括沿第一方向设置的第一输送滚轮;以及封边机构,其包括沿第一方向设置的且与第一输送滚轮邻接的第二输送滚轮、以及设置于第二输送滚轮两侧的封边轮,在封...
  • 本发明公开了一种电池串、电池串制备方法及光伏组件,应用于太阳能电池领域,该电池串包括若干电池片及连接相邻电池片的焊带,电池片具有中间区域、沿焊带的延伸方向位于中间区域两侧的边缘区域,电池片表面具有细栅,电池串还包括设置在边缘区域的边缘承载膜...
  • 本申请公开了一种光伏组件及光伏组件的制备方法,属于光伏组件技术领域。光伏组件包括电池片,电池片具有相对设置的第一表面和第二表面;电连接件,电连接件包括第一电连接件和第二电连接件,第一电连接件和第二电连接件均沿第一方向延伸,沿第二方向交替间隔...
  • 本发明公开了一种光伏焊带及其制备方法和光伏组件。所述光伏焊带包括焊带本体和包覆于所述焊带本体表面的锡焊层,所述锡焊层的组成包括:Sn50~70wt%,Pb 30~50wt%,Bi 0.07~0.2wt%,Cu 0.06~0.7wt%。本发明...
  • 本发明公开一种电池串组、光伏组件及其制备方法。该电池串组可包括:第一电池列、第二电池列、第一中间汇流带、第二中间汇流带及两条边缘汇流带;第一电池列和第二电池列均包含2N+1个电池片;第一电池列中,第N个电池片的第一极性栅线和第N+1个电池片...
  • 本发明公开一种抗热斑电池片阵列,涉及太阳能电池技术领域,包括旁路组件、至少一发电单元、多个导电件和多个定位件;发电单元包括多个沿第一方向并排分布且并联的电池串,电池串包括多个沿第二方向串联的电池片;发电单元沿第二方向的两端设置有汇流件,电池...
  • 本申请涉及光伏技术领域,特别是一种太阳能电池片、光伏组件和印刷网板。太阳能电池片包括基底,基底设置有细栅、第一连接点和第二连接点,第一连接点包括第一连接部,第二连接点包括第二连接部,沿第二方向y,第一连接部的宽度为L1,第二连接部的宽度为L...
  • 本公开实施例涉及光伏领域,提供一种光伏组件,包括:多个电池片,电池片的形状为类矩形,类矩形的短边尺寸与长边尺寸的比值为1/M:1;相互并联的N列电池串,单个电池串包括沿类矩形的短边方向依次串联的多个电池片,N为大于或等于2的正整数,且M小于...
  • 本申请实施例提供了一种日盲紫外检测器及其制备方法。该日盲紫外检测器包括:基底,基底的材料为铌酸锂;第一电极,设置在基底的一个表面,包括相互连接的第一外接区域和指状区域,第一外接区域用于连接公共地端,指状区域包括多个相邻的第一指状结构;一个以...
  • 本发明公开了一种硅纳米线/硫化铅/石墨烯复合结构光电探测器,包括由下到上依次设置的铟镓电极、硅衬底、氧化硅层、硅纳米线、硫化铅亚微米晶体及石墨烯/PMMA层;还包括设于氧化硅层表面的金电极,金电极的另一面与石墨烯/PMMA层接触连接。本发明...
  • 本发明提供一种多模式光电探测器及其制备方法,属于光电技术领域。该多模式光电探测器包括衬底、功能层和电极。其中,功能层设置在所述衬底上,所述功能层包括二硫化钼材料;电极设置在所述功能层上;在所述功能层中,所述二硫化钼材料具有1T相和2H相。本...
  • 本发明提供一种PN结超表面增强PIN光电探测器,包括:增透膜、光敏面、上电极、保护环、本征吸收层、接触层及下电极;沿光入射方向依次为增透膜、光敏面、本征吸收层、接触层及下电极;增透膜和光敏面外圈设置上电极和保护环,上电极位于保护环上层;PN...
  • 本发明属于半导体紫外光探测技术领域,涉及一种SiC/CdS NW核壳纳米线紫外光电探测器。本发明通过构筑SiC/CdSⅡ型异质结,利用CdS与SiC之间的带隙差实现了Ⅱ型能带偏移,并在界面处形成强内建电场。本发明提供的SiC/CdS NW核...
  • 本发明涉及一种紫外光电探测器、制备方法及在可编程逻辑门中的应用。其包括:支撑基底;紫外波段光学响应单元,包括光学衬底以及无机量子点光敏层,其中,无机量子点光敏层与光学衬底间至少形成PN结;电荷传输层,位于无机量子点光敏层上,并与所述无机量子...
  • 金属纳米颗粒埋层调控的AlScN/Ga2O3日盲探测器,其特征在于,该日盲探测器结构从下往上依次为:Si衬底、AlScN薄膜、Au纳米颗粒或Al金属纳米颗粒、Ga2O3薄膜、电极;所述AlScN薄膜和Ga2O3薄膜形成异质结界面;异质结界面...
  • 本发明提供一种基于横向异质结的光电逻辑门器件和逻辑电路,属于光电技术领域。该光电逻辑门器件包括衬底、功能层、第一电极和第二电极。其中,功能层设置在衬底上,功能层包括第一物质区和第二物质区,第一物质区包括SnS,第二物质区包括SnS2,第一物...
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