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最新专利技术
  • 图像传感器、摄像装置及电子设备
    图像传感器、摄像装置及电子设备_华为技术有限公司_202410522601.2
    本申请涉及光学技术领域，公开了一种图像传感器，包括至少两个图像处理单元，图像处理单元包括沿第一方向依次设置的分光结构和光处理单元，分光结构设于光处理单元的入射端，分光结构与光处理单元之间具有间隔区域，分光结构用于将入射到其上的光按不同颜色分...
    2025-11-30
  • 影像感测器
    影像感测器_采钰科技股份有限公司_202411842536.8
    本公开的一些实施例提供一种影像感测器，包括基板、多个第一光电二极管、第一滤色器单元、及第一光强度分配器。第一光电二极管在基板中。第一滤色器单元在基板上方。第一滤色器单元分别包括第一光电二极管上方的左上区、顶部区、右上区、左侧区、中心区、右侧...
    2025-11-30
  • 利用后道工艺的集成波导式探测器的隔离
    利用后道工艺的集成波导式探测器的隔离_普赛昆腾公司_202511033335.8
    一种光学器件，包括：衬底、在衬底上的电介质层、在电介质层内的波导、在电介质层中并且耦合至波导的光敏部件(例如，光电探测器)、以及在衬底或电介质层的至少一者中的并且被配置成防止杂散光到达光敏部件的多个光隔离结构。在一些实施例中，多个光隔离结构...
    2025-11-30
  • 电子装置
    电子装置_睿生光电股份有限公司_202410457678.6
    本发明提供一种电子装置，包括传感器、闪烁体层以及波长转换层。闪烁体层设置在传感器上。波长转换层设置在闪烁体层与传感器之间。
    2025-11-30
  • 用于制造改色光伏组件的方法、改色光伏组件
    用于制造改色光伏组件的方法、改色光伏组件_横店集团东磁股份有限公司_202410460760.4
    本公开提供用于制造改色光伏组件的方法、改色光伏组件。该方法包括对硅片进行制绒、扩散及镀膜，形成光伏结构，其中，光伏结构的镀膜侧的反射率范围为3％至10％；通过光伏结构形成电池片；在正面玻璃上涂布厚度范围为50nm至220nm的增透膜；以及利...
    2025-11-30
  • 一种太阳能电池及其制备方法
    一种太阳能电池及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202410521396.8
    本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池领域，太阳能电池的制备方法包括：获取硅料，并对所述硅料进行第一沉积处理，以形成钝化接触层，获取磷源，并在所述钝化接触层上进行磷扩散后，在所述钝化接触层上依次形成第一掩膜层、第二掩膜层及第...
    2025-11-30
  • TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池
    TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202410852607.6
    本发明提供了一种TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池，涉及太阳能电池的技术领域，所述TOPCon电池隧穿氧化层制备方法包括以下步骤：在电池片表面的第一自然氧化层上形成第一杂质氧化层，去除所述第一杂质氧化层和所述第...
    2025-11-30
  • 太阳能电池的金属化方法、太阳能电池
    太阳能电池的金属化方法、太阳能电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202410881918.5
    本发明提供了一种太阳能电池的金属化方法、太阳能电池，涉及太阳能电池金属化的技术领域，该金属化方法包括以下步骤：双面镀镍铜的电池片置于保护性气氛下先通过激光辅助烧结进行修复，再通过光注入处理进行修复，之后镀锡，得到太阳能电池；其中，激光辅助烧...
    2025-11-30
  • TOPCon电池硼掺杂的方法、TOPCon电池
    TOPCon电池硼掺杂的方法、TOPCon电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202410996688.7
    本发明提供了一种TOPCon电池硼掺杂的方法、TOPCon电池，涉及太阳能电池的技术领域，包括以下步骤：将TEOS、O2、B2H6和H2通向硅基体进行PECVD工艺，在硅基体表面沉积形成BSG层，之后将BSG层中的硼源推进到硅基体中形成掺杂...
    2025-11-30
  • TBC电池及其制备方法和包含其的光伏组件
    TBC电池及其制备方法和包含其的光伏组件_环晟光伏(江苏)有限公司_202411157321.2
    本发明提供了一种TBC电池及其制备方法和包含其的光伏组件，涉及光伏组件生产制造技术领域。所述TBC电池的制备方法采用激光掺杂的方式有效提高了钝化接触结构中硼源的掺杂浓度，进而降低了接触电阻，提升了TBC电池的效率；同时本申请采用PECVD制...
    2025-11-30
  • 一种降低光伏硅片电阻率的方法和TOPCon电池
    一种降低光伏硅片电阻率的方法和TOPCon电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202411165715.2
    本发明公开了一种降低光伏硅片电阻率的方法和TOPCon电池。本发明提供的降低光伏硅片电阻率的方法，包括：在碱抛后的硅片背面沉积掺磷非晶硅层；对带有掺磷非晶硅层的硅片进行退火处理，使掺磷非晶硅层内的扩散元素扩散进入硅片背面形成扩散层；以及采用...
    2025-11-30
  • 一种II-VI族多元化合物半导体薄膜及其制备方法和应用
    一种II-VI族多元化合物半导体薄膜及其制备方法和应用_暨南大学_202411625979.1
    本发明公开了一种II‑VI族多元化合物半导体薄膜及其制备方法和应用，属于光电材料技术领域，其制备方法为：CdxM1‑xSe1‑yTey源材料的瞬时气化；沉积薄膜；薄膜热处理。本发明中CdxM1‑xSe1‑yTey化合物半导体元素固溶度高，可...
    2025-11-30
  • 一种CdSe/ZnS量子点薄膜及其制备方法与应用
    一种CdSe/ZnS量子点薄膜及其制备方法与应用_苏州大学_202510766265.0
    本发明公开了一种CdSe/ZnS量子点薄膜及其制备方法与应用，制备方法包括如下步骤：将CdSe/ZnS量子点与甲苯混合，超声处理，得到CdSe/ZnS量子点甲苯溶液；取所述CdSe/ZnS量子点甲苯溶液滴在晶硅异质结太阳能电池片上，旋涂后烘...
    2025-11-30
  • 太阳能电池的制备方法及太阳能电池
    太阳能电池的制备方法及太阳能电池_曲靖晶澳太阳能科技有限公司_202510770769.X
    本发明涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，制备方法，包括以下步骤：通过对n型硅片进行预清洗处理，以去除所述n型硅片的表面的杂质；对经S1步骤处理后的n型硅片的一表面进行硼扩散吸杂处理，在所述n型硅片的表面形成p++扩散层和硼硅玻璃层；...
    2025-11-30
  • 用于红外探测器芯片的精确金属层剥离方法
    用于红外探测器芯片的精确金属层剥离方法_无锡兴华衡辉科技有限公司_202510783462.3
    本发明属于红外探测器制造技术领域，公布了用于红外探测器芯片的精确金属层剥离方法，包括以下步骤：S1，光刻胶涂覆与预处理；S2，光刻与显影；S3，金属沉积；S4，金属层打磨；S5，光刻胶表面金属层的去除；S6，丙酮清洗；S7，酒精清洗；S8，...
    2025-11-30
  • 光电合封结构的封装方法及光电合封结构
    光电合封结构的封装方法及光电合封结构_江苏长电科技股份有限公司_202510815525.9
    本申请提供一种光电合封结构的封装方法和光电合封结构，方法包括在载板表面形成重构晶圆结构，重构晶圆结构具有多个间隔设置的扇出模组，扇出模组包括多个间隔设置的电芯片；提供光芯片单体，光芯片单体的尺寸小于各扇出模组的尺寸，光芯片单体的第一表面具有...
    2025-11-30
  • 一种用于光伏电池片的缺陷检测方法及系统
    一种用于光伏电池片的缺陷检测方法及系统_深圳市华汉伟业科技有限公司_202510862651.X
    一种用于光伏电池片的缺陷检测方法及系统，获取每个线激光轮廓仪对应的初始的点对集合，计算该线激光轮廓仪对应的第一校正斜率，进而对该线激光轮廓仪对应的初始的点对集合进行轮廓校正，得到该线激光轮廓仪对应的实时点对集合；根据每个线激光轮廓仪对应的实...
    2025-11-30
  • 一种复合晶圆及其制备方法
    一种复合晶圆及其制备方法_中山大学_202510923500.0
    本发明公开了一种复合晶圆及其制备方法，该制备方法包括：S1.将非硅光电子材料切割成晶粒，并用临时键合胶将晶粒贴装到载片上，得到载片晶圆；S2.将载片晶圆与目标晶圆A进行晶圆键合，再进行热处理得到键合晶圆A；S3.对键合晶圆A进行解键合，得到...
    2025-11-30
  • 一种半片光伏电池片及其制备方法
    一种半片光伏电池片及其制备方法_博海新能源(合肥)有限公司_202510930029.8
    本发明公开了一种半片光伏电池片及其制备方法，包括以下步骤：S1、对原硅片进行制绒，形成半成品电池片；S2、对半成品电池片的一面进行硼扩处理，形成PN结，即正面；S3、采用激光在硼扩处理后的半成品电池片正面，按设定图形完成指定线条数量的开槽；...
    2025-11-30
  • 一种BC电池制备工艺
    一种BC电池制备工艺_无锡琨圣智能装备股份有限公司_202510981395.6
    本发明涉及光伏电池制造技术领域，具体公开了一种BC电池制备工艺。在制备工艺中引入了通过喷墨打印热熔材料而形成掩膜区，同时结合化学腐蚀方式制备得到P/N型交叉指状结构的加工步骤。本发明中可通过不同步骤各自的加工窗口的调整可以实现多项加工步骤间...
    2025-11-30
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