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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480019678.6
    抑制RC‑IGBT中的骤回现象。在同一芯片内具有IGBT区域(21)和二极管区域(22)的半导体装置(100)中，IGBT区域(21)的IGBT具有第一导电型的漂移层(1)、沟槽(3)、设置在沟槽(3)内的栅极电极(5)、第二导电型的主体层...
    2025-11-19
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_美蓓亚功率半导体株式会社_202480019852.7
    IGBT芯片(1)具备：n‑型的半导体基板(6)；p型扩散层(8)，其部分地形成于n‑型的半导体基板(6)的表面部；层间绝缘膜(9)，其与n‑型的半导体基板(6)和p型扩散层(8)相接；以及场板电极(12)，其与p型扩散层(8)和层间绝缘膜...
    2025-11-19
  • 半导体装置
    半导体装置_新唐科技日本株式会社_202480021889.3
    半导体装置(1)具备：半导体层(40)，在背面侧具有半导体衬底(32)，在半导体装置(1)的平面观察中被分为不相互重叠的三个区域即第一区域(A1)、第二区域(A2)及第三区域(A3)；第一纵型MOS晶体管(10)，形成于半导体层(40)的第...
    2025-11-19
  • 半导体器件
    半导体器件_罗姆股份有限公司_202480023043.3
    本发明提供一种半导体器件，其包括：在第一方向X上隔开间隔地配置的一方和另一方的配线组，且该一方和另一方的上述配线组分别包含排列成在上述第一方向X上延伸的条纹状的多个第一下配线和多个第二下配线；配置在一方和另一方的上述配线组之上，且与各上述配...
    2025-11-19
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202380095758.5
    本发明抑制较高的浪涌电压的产生。本发明的半导体装置包括：沟槽，其设置为从基极层的上表面到达第一杂质层，并进一步到达第一柱层内部；第一栅极电极，其设置在沟槽内并被第一绝缘膜包围；以及第二栅极电极，其设置为经由第二绝缘膜与夹在缓冲层和第二杂质层...
    2025-11-19
  • 半导体装置、电力转换装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置、电力转换装置以及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202480017876.9
    半导体装置具备：第一导电型的半导体层(3)；作为第二导电型的扩散层的背栅区域(4)，其设置于半导体层(3)的表层部；沟槽(6)，其设置于半导体层(3)，并贯通背栅区域(4)；栅极绝缘膜(10)，其设置于沟槽(6)的内表面；栅极电极(11)，...
    2025-11-19
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480018439.9
    提供一种包括饱和性高的晶体管的半导体装置。半导体装置中设置有包括背栅电极的垂直晶体管。半导体装置中依次设置有下部电极、间隔物及上部电极。间隔物包括到达下部电极的第一开口部，上部电极包括具有与第一开口部重叠的区域的第二开口部。背栅电极设置在第...
    2025-11-19
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_新唐科技日本株式会社_202480021888.9
    半导体装置(1)具有：电子行进层(103)；电子供给层(104)，设置在电子行进层(103)上；栅极电极(303)，设置在电子供给层(104)上；接触层(212)，在隔着栅极电极(303)的位置被埋入于将电子供给层(104)贯通的贯通凹陷部...
    2025-11-19
  • 具有玻璃中介层的芯片封装件
    具有玻璃中介层的芯片封装件_超威半导体公司_202480019502.0
    一种芯片封装件具有包括顶表面的封装衬底。第一芯片模块和第二芯片模块安装在封装衬底的顶表面上方。第一中介层设置在封装衬底与第一芯片模块和第二芯片模块之间，并且包括玻璃中介层。第一中介层将第一芯片模块和第二芯片模块联接到封装衬底。互连桥设置在玻...
    2025-11-19
  • 互补场效应晶体管(CFET)器件中的替换源极/漏极触点方法
    互补场效应晶体管(CFET)器件中的替换源极/漏极触点方法_应用材料公司_202480020557.3
    一种形成互补场效应晶体管(CFET)的半导体结构包括：金属栅极；底部场效应晶体管(FET)模块，所述底部FET模块包括在第一方向上延伸穿过金属栅极的多个沟道层、和经由底部外延(epi) S/D和底部界面电气连接到多个沟道层的底部源极/漏极(...
    2025-11-19
  • 具有三维交叉场效应晶体管的存储器位单元
    具有三维交叉场效应晶体管的存储器位单元_超威半导体公司_202480017898.5
    描述了一种用于有效地创建存储器位单元的布局的装置和方法。在各种具体实施中，存储器位单元使用晶体管对，该晶体管对是垂直堆叠的全环绕栅极(GAA)晶体管，该垂直堆叠的GAA晶体管具有相对于彼此形成T形的栅极端子和与该对的两个有源层中的仅一个有源...
    2025-11-19
  • 用于ESD保护的装置和系统
    用于ESD保护的装置和系统_微芯片技术股份有限公司_202480023064.5
    用于静电放电(ESD)保护的电路可在存在正ESD事件和负ESD事件两者的情况下保护敏感电路。保护晶体管可耦合到焊盘，并且保护钳位器可耦合到保护晶体管。保护晶体管可位于隔离n阱中，并且限流电阻器可从焊盘耦合到隔离n阱。在操作中，限流电阻器可在...
    2025-11-19
  • 成像装置和制造成像装置的方法
    成像装置和制造成像装置的方法_索尼半导体解决方案公司_202480018244.4
    该成像装置设置有：固态成像元件，在基座上具有光接收表面，在光接收表面上以二维阵列图案布置有包括用于将入射光转换成电信号的光电转换区的多个像素；和基座，具有弯曲存储部并且存储固态成像元件，该弯曲存储部分设置有在入射光的入射方向上凹入的弯曲表面...
    2025-11-19
  • 光检测元件
    光检测元件_索尼半导体解决方案公司_202480019079.4
    本发明涉及一种光检测元件，其能够抑制具有相位检测自动对焦(PDAF)结构的图像传感器中的像素之间的灵敏度差异。本发明的光检测元件包括：通过像素的排列形成的像素阵列单元，所述像素中的每n×n个像素构成包括同色彩色滤光片的像素组，n为2以上的自...
    2025-11-19
  • 光检测装置和电子设备
    光检测装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480019469.1
    本发明进一步提高光检测装置和电子设备的可靠性。该光检测装置包括：半导体层，其具有在厚度方向上彼此相对的第一表面和第二表面；多层布线层，其设置在所述半导体层的所述第一表面侧；翘曲抑制膜，其设置在所述多层布线层的与所述半导体层侧相对的一侧；以及...
    2025-11-19
  • 光检测装置和测距装置
    光检测装置和测距装置_索尼半导体解决方案公司_202480020026.4
    本发明提供了一种具有高光检测性能的光检测装置。该光检测装置包括：第一光检测单元，其能够检测第一波长范围的光；第二光检测单元，其与所述第一光检测单元堆叠，并且能够检测与所述第一波长范围的光不同的第二波长范围的光；以及一个或多个光学元件，其设置...
    2025-11-19
  • 发光元件和包括发光元件的显示装置
    发光元件和包括发光元件的显示装置_三星显示有限公司_202380095821.5
    根据实施方式的发光元件包括：在一个方向上依次布置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一绝缘膜，围绕第一半导体层、有源层和第二半导体层的外周表面并且含有M1xOy型氧化物；第二绝缘膜，围绕第一绝缘膜并且含有M22xO(2y‑1)型氧化物；...
    2025-11-19
  • LED制造期间残留液态金属处理
    LED制造期间残留液态金属处理_应用材料公司_202480018047.2
    本公开案总体上包括一种用于形成发光二极管(LED)元件的方法，所述方法包括：使用激光照射从所述LED元件移除载体基板；通过将所述LED元件浸泡在经加热的去离子水中来氧化通过所述激光照射形成的残留液态金属层；冲洗掉所述LED元件上的所述去离子...
    2025-11-19
  • 微型发光二极管(LED)结构
    微型发光二极管(LED)结构_上海显耀显示科技有限公司_202380095191.1
    一种示例性的微型发光二极管(LED)结构包括：第一导电类型的底部外延层(4‑3)；发光层(4‑2)，其在所述底部外延层上形成；以及第二导电类型的顶部外延层(4‑1)，其在所述发光层上形成。所述顶部外延层包括把微型LED结构分为微型LED阵列...
    2025-11-19
  • 用于处理光电子装置的方法和光电子装置
    用于处理光电子装置的方法和光电子装置_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202380095888.9
    本发明涉及一种用于处理装置的方法，包括：提供布置在载体上的多个光电子部件、特别是μLED的步骤，其中，多个光电子部件中的每个光电子部件包括电耦接至载体上的接触引线的接触区域。将介电材料设置到载体和多个光电子部件上，使得介电材料形成具有多个连...
    2025-11-19
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