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最新专利技术
  • 一种芯片校准方法
    一种芯片校准方法_北京电子量检测装备有限责任公司_202511123610.5
    本发明涉及半导体晶圆量检测技术领域，公开了一种芯片校准方法，将从晶圆上切割的待测片子放置于托盘上，首先对待测片子进行预对位，然后对待测芯片进行精对位得到待测片子相对于模板芯片的旋转角度，再基于旋转角度得到待测片子的偏移量，最后根据偏移量对待...
    2026-01-20
  • 一种用于COF预压工位的视觉对位系统及方法
    一种用于COF预压工位的视觉对位系统及方法_合肥商巨精密技术有限公司_202511262321.3
    本发明提供一种用于 COF 预压工位的视觉对位系统及方法，通过两侧相机获取 Mark1、Mark2的坐标，计算Y向偏差ΔY 和旋转偏差ΔD；通过中部相机获取COF中间Bump凸块的边缘特征，计算 X 向局部偏差 ΔX1；基于Mark1、Ma...
    2026-01-20
  • 用于晶片传输的定位学习组件及方法
    用于晶片传输的定位学习组件及方法_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511326331.9
    本发明提供了一种用于晶片传输的定位学习组件及方法。所述组件包括升降旋转支架、转接块、机器人搬运手臂定位工装、晶圆定位顶针；所述升降旋转支架用于升降和旋转晶圆，所述升降旋转支架设置在晶片传输平台的中间缓存处，机器人搬运手臂搬运晶圆至所述中间缓...
    2026-01-20
  • 一种晶圆传片位置调整系统及方法
    一种晶圆传片位置调整系统及方法_盛吉盛半导体科技(北京)有限公司_202511678557.5
    本发明公开了一种晶圆传片位置调整系统及方法，其属于半导体制造技术领域，所述晶圆传片位置调整系统包括边缘环、晶圆位移结构和主控模块，边缘环用于放置待调整的晶圆，边缘环上方沿晶圆的圆周均匀设有若干激光传感器；晶圆位移结构用于调整晶圆在边缘环上的...
    2026-01-20
  • 一种多头吸嘴结构
    一种多头吸嘴结构_晶尖半导体(常州)有限公司_202410784616.6
    本发明公开了一种多头吸嘴结构，包括：固定背板、吸嘴组件、X轴位移轨道、X轴位移控制电机以及拨抓结构，所述固定背板上固定安装两个所述X轴位移轨道以及所述X轴位移控制电机，所述X轴位移轨道上安装一个滑动件，所述滑动件上固定安装所述拨抓结构，若干...
    2026-01-20
  • 临时基板、临时基板的制造方法及发光器件的检测方法
    临时基板、临时基板的制造方法及发光器件的检测方法_成都辰显光电有限公司_202410793435.X
    本申请实施例提供一种临时基板、临时基板的制造方法及发光器件的检测方法，临时基板包括：导电衬底，包括导电支撑部；电极组件，设置于所述导电支撑部，所述电极组件包括第一电极和第二电极；压电层，设置于所述电极组件，所述压电层可形变设置，以使得所述第...
    2026-01-20
  • 半导体元件保护片
    半导体元件保护片_三芳化学工业股份有限公司_202411075238.0
    本发明公开一种半导体元件保护片，以及使用该半导体元件保护片的半导体元件加工方法。该半导体元件保护片包含一凹凸吸收层，包含一软质层及至少一包覆层，其中该软质层包含乙烯共聚物，且该包覆层包含热塑性聚胺酯；及一粘着层，设于该凹凸吸收层上。
    2026-01-20
  • 片材粘贴方法和片材粘贴装置
    片材粘贴方法和片材粘贴装置_日东电工株式会社_202510632147.0
    本发明提供能在防止空气混入工件与片材之间的同时实现处理效率提高和装置小型化的片材粘贴方法和片材粘贴装置。利用上腔室(29B)和下腔室(29A)夹持粘合带(DT)，将腔室(29)的内部空间划分为下空间(H1)和上空间(H2)。在下空间配置有晶...
    2026-01-20
  • 静电吸盘
    静电吸盘_TOTO株式会社_202510669907.5
    提供一种静电吸盘，其通过加热器能够精确调整基板的面内温度分布，同时还能够抑制电介体基板的厚度。静电吸盘(10)具备电介体基板(100)及对电介体基板(100)进行加热的加热器。加热器包含：内置加热器(300)，被设置在电介体基板(100)的...
    2026-01-20
  • 静电吸盘
    静电吸盘_TOTO株式会社_202510669911.1
    提供一种能够防止在供电构件与基座板之间发生放电的静电吸盘。静电吸盘具备：电介体基板；内部电极，被设置在电介体基板的内部；基座板，形成有贯通孔；供电构件，是用于向内部电极供电的构件且被插通于贯通孔；及绝缘构件，被配置在贯通孔的内面与供电构件之...
    2026-01-20
  • 改善硅片经过SP1后产生背面手臂印记的工装及方法
    改善硅片经过SP1后产生背面手臂印记的工装及方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511143738.8
    本发明公开了改善硅片经过SP1后产生背面手臂印记的工装及方法，本发明涉及硅片生产技术领域，包括机械手臂和硅片；所述机械手臂上设置有气泵一，所述气泵一上连通有送气管，所述送气管与固定座连通，所述固定座与机械手臂连接，所述固定座的顶部均匀环向设...
    2026-01-20
  • 一种Chuck pin的更换方法、装置、设备及介质
    一种Chuck pin的更换方法、装置、设备及介质_青岛贝斯兰半导体科技有限公司_202511253536.9
    本申请涉及零件检测领域，具体公开了一种Chuck pin的更换方法、装置、设备及介质，其中方法包括：获取安装于晶圆吸附盘上预设安装位的待测Chuck pin的技术规格信息，所述技术规格信息包括所述待测Chuck pin的类型、工艺流程参数；...
    2026-01-20
  • 一种适用于微翘曲晶圆的真空冷盘
    一种适用于微翘曲晶圆的真空冷盘_苏州大族芯科技有限公司_202511433647.8
    本发明公开了一种适用于微翘曲晶圆的真空冷盘，包括真空冷盘组件，所述真空冷盘组件包括真空冷盘主体，所述真空冷盘主体上表面从内到外依次开设有第一真空槽、第二真空槽和第三真空槽，所述真空冷盘主体分别开设有与第一真空槽、第二真空槽和第三真空槽连通的...
    2026-01-20
  • 基板支承单元以及包括其的基板处理装置
    基板支承单元以及包括其的基板处理装置_细美事有限公司_202510484016.2
    本发明涉及一种基板支承单元以及包括其的基板处理装置，根据本发明的一实施例的基板支承单元，其特征在于，包括：垫盘，被安放基板；基底板，支承所述垫盘；以及制冷剂流路，形成于所述基底板的内部，在所述制冷剂流路的内部形成能够注入气体的管。
    2026-01-20
  • 一种晶圆移载装置和晶圆量检测设备
    一种晶圆移载装置和晶圆量检测设备_苏州矽行半导体技术有限公司_202511185020.5
    本发明提供了一种晶圆移载装置和晶圆量检测设备，属于半导体设备领域，晶圆移载装置包括设置于减震机架、纵梁机台、Y轴驱动模组、X轴驱动模组和晶圆载台模组，一体式的纵梁机台被实时或定期调平的设置在减震机架上；减震机架包括机架体、隔震器和电涡流传感...
    2026-01-20
  • 一种晶圆翻转装置
    一种晶圆翻转装置_华海清科(北京)科技有限公司_202511268737.6
    本发明公开了一种晶圆翻转装置，其包括：支撑组件，以支撑待翻转的晶圆；夹紧组件，其设置于所述支撑组件上方，以侧向夹紧待翻转的晶圆；翻转驱动组件，其连接于所述夹紧组件，以带动夹紧组件及其上的晶圆翻转；所述支撑组件包括多个支撑件，以处理多片待翻转...
    2026-01-20
  • 一种用于化学处理半导体用石英环的通用型治具
    一种用于化学处理半导体用石英环的通用型治具_连云港太平洋润辉光电科技有限公司_202511608172.1
    本发明公开了一种用于化学处理半导体用石英环的通用型治具，涉及半导体加工领域，包括治具本体，治具本体包括架体和两个转杆，转杆上安装有呈阵列分布的支撑轮，支撑轮周侧具有三个直径依次递增的支撑部，同一个转杆上相邻的两个支撑轮角度不同，支撑同一个空...
    2026-01-20
  • 一种双层SOI衬底及其制备方法
    一种双层SOI衬底及其制备方法_上海新微技术研发中心有限公司_202410781417.X
    本发明提供一种双层SOI衬底及其制备方法，制备方法包括如下步骤：提供第一硅片，在第一硅片表面形成第一氧化层；提供第二硅片，将第一氧化层与第二硅片进行一次键合；对键合后的第二硅片表面进行一次减薄、抛光处理，形成第一器件层；提供第三硅片，在第二...
    2026-01-20
  • 浅沟槽隔离结构及其形成方法
    浅沟槽隔离结构及其形成方法_合肥皖芯集成电路有限公司_202511337167.1
    本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，先在浅沟槽内形成第三介质层，第一介质层和第二介质层的侧壁形成隔离层，继续形成第三介质层，然后在第三介质层的顶层部分掺入氮离子形成第四介质层，第四介质层的底表面与衬底的顶表面齐平且第四介质层的顶表面不...
    2026-01-20
  • 嵌入式锗硅器件及其制备方法、电子设备
    嵌入式锗硅器件及其制备方法、电子设备_安徽大学_202511704709.4
    本申请涉及一种嵌入式锗硅器件及其制备方法、电子设备，包括：提供衬底；衬底上包括经由衬底的第一表面向衬底内延伸的西格玛沟槽；于西格玛沟槽内表面形成缓冲层后，形成覆盖缓冲层的锗烯过渡层；锗烯过渡层包括因初始缓冲层晶格失配及局部应力形成的凸出部；...
    2026-01-20
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