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最新专利技术
  • 一种双面压印成形方法及双面微纳结构元件
    一种双面压印成形方法及双面微纳结构元件_深圳大学_202511883730.5
    本发明属于微纳成形技术领域，尤其涉及一种双面压印成形方法及双面微纳结构元件。双面压印成形方法包括如下步骤：制模，准备图案化基底，图案化基底具有图案面，于图案面加工对准结构，并根据对准结构于图案面加工微纳结构；切边，根据对准结构，沿第一方向切...
    2026-01-21
  • 一种钛基-二烯二醇干式光刻胶及其制备方法
    一种钛基-二烯二醇干式光刻胶及其制备方法_南开大学_202511418494.X
    本发明公开了一种钛基‑二烯二醇干式光刻胶及其制备方法，钛基‑二烯二醇干式光刻胶的制备方法为：以钛源和二烯二醇作为前驱体，进行分子层沉积，沉积后得到钛基‑二烯二醇干式光刻胶。本发明将化学合成步骤与涂覆步骤相结合，不需要提前合成光刻胶，再使用旋...
    2026-01-21
  • 一种高精度耐酸光刻胶及其制备与使用方法
    一种高精度耐酸光刻胶及其制备与使用方法_广东紫芯环保科技有限公司_202511521456.7
    本发明涉及半导体技术领域，具体为一种高精度耐酸光刻胶及其制备与使用方法，包括第一树脂基体、第二树脂基体、溶剂体系、感光剂、功能助剂、第一助剂、第二助剂与第三助剂。该高精度耐酸光刻胶及其制备与使用方法，通过引入三氟甲基苯乙烯，利用C‑F键的化...
    2026-01-21
  • 基于金属纳米颗粒的光刻胶组合物及其应用
    基于金属纳米颗粒的光刻胶组合物及其应用_中国科学院理化技术研究所_202511552091.4
    本发明公开了一类基于金属纳米颗粒的光刻胶组合物及其应用。该光刻胶组合物包括金属纳米颗粒、光敏剂、防扩散剂以及光刻胶溶剂，其中金属纳米颗粒为银纳米颗粒、铜纳米颗粒、金纳米颗粒。该光刻胶组合物具有良好的成膜性和优异的图案化成像能力，通过紫外、电...
    2026-01-21
  • 一种用于有机绝缘膜的三嗪基正性光刻胶组合物
    一种用于有机绝缘膜的三嗪基正性光刻胶组合物_烟台希尔德材料科技有限公司_202511807996.1
    本发明属于光刻胶技术领域，具体涉及一种用于有机绝缘膜的三嗪基正性光刻胶组合物，以质量份计，包括以下组分：含三嗪结构的丙烯酸系聚合物30～100份；光致产酸剂0.05～20份；酸生成剂或碱生成剂0.05～10份；表面活性剂0.005～5份；助...
    2026-01-21
  • 光固化树脂组合物及其应用、抗蚀剂膜和感光干膜
    光固化树脂组合物及其应用、抗蚀剂膜和感光干膜_杭州福斯特电子材料有限公司_202511611795.4
    本发明提供了一种光固化树脂组合物及其应用、抗蚀剂膜和感光干膜。该光固化树脂组合物包括碱溶性树脂(A)、光聚合单体(B)、光引发剂(C)和光敏剂(D)，光敏剂(D)包括式(I)所示化合物。本申请提供的含式(I)所示甲脒类化合物的光固化树脂组合...
    2026-01-21
  • 层叠体、层叠体的制造方法及图案形成方法
    层叠体、层叠体的制造方法及图案形成方法_信越化学工业株式会社_202510950333.9
    本发明涉及层叠体、层叠体的制造方法及图案形成方法。本发明的课题提供一种层叠体，具备：由可应用于使用高能射线的光学光刻，尤其可应用于电子束(EB)光刻及EUV光刻，且感度及极限分辨性优异的非化学增幅抗蚀剂组成物而得的抗蚀剂膜、以及在其下的密合...
    2026-01-21
  • 一种利用单层负性光刻胶制备热稳定底切的方法及其应用
    一种利用单层负性光刻胶制备热稳定底切的方法及其应用_福建中科光芯光电科技有限公司_202511575977.0
    本发明涉及一种利用单层负性光刻胶制备热稳定底切的方法及其应用，该方法包括以下步骤：(1)在基底上旋涂单层负性光刻胶，形成厚度大于3μm的光刻胶层；(2)对光刻胶层进行前烘处理；(3)对前烘后的光刻胶层进行低剂量曝光；(4)对曝光后的光刻胶层...
    2026-01-21
  • 用于晶圆匀胶显影设备的旋转平台、安装方法及工作方法
    用于晶圆匀胶显影设备的旋转平台、安装方法及工作方法_横川机器人(深圳)有限公司_202511726817.1
    本申请涉及一种用于晶圆匀胶显影设备的旋转平台、安装方法及工作方法，属于晶圆加工机械设备的技术领域。它通过分模块叠压线圈与硅钢片定子配合，产生强力且平稳的电磁驱动力，结合编码器组件的闭环控制、角接触轴承支承以及水冷套结构与润滑油协同作用的散热...
    2026-01-21
  • 涂胶显影装置的控制方法、设备、介质和程序
    涂胶显影装置的控制方法、设备、介质和程序_沈阳芯源微电子设备股份有限公司_202511772460.0
    本发明涉及涂胶显影设备领域，提供一种控制方法、设备、介质及程序。该方法基于包括第一工艺模块、层间模块和第二工艺模块的装置架构，其中各工艺模块包含N层，每层设有机械手和M个对称分布的工艺单元。通过监测各单元状态，调度第一、第二工艺机械手在各自...
    2026-01-21
  • 一种多路DMD的拼接色差优化方法
    一种多路DMD的拼接色差优化方法_源能智创(江苏)半导体有限公司_202410928619.2
    本发明涉及一种多路DMD的拼接色差优化方法，依据DMD的参数、DMD的倾斜角度、投影物镜的放大倍率，计算每个DMD的拼接浮动宽度，依据DMD的倾斜角度和每个DMD的拼接浮动宽度对应的像素值生成对应的第一布尔矩阵和第二布尔矩阵，将第一布尔矩阵...
    2026-01-21
  • 半导体处理设备
    半导体处理设备_三星电子株式会社_202510433174.5
    一种半导体处理设备，包括控制器，该控制器被配置为接收表示第一位置的确定信号，在该第一位置处激光束被预期照射第一液滴；计算第二位置，在该第二位置处激光束照射第一液滴；并且产生表示第二位置的测量信号；根据确定信号和测量信号产生第一误差信号和第二...
    2026-01-21
  • 套刻精度量测机台的焦距管控方法
    套刻精度量测机台的焦距管控方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511432246.0
    本发明提供了一种套刻精度量测机台的焦距管控方法，包括：步骤S1，检测并收集当前晶圆的平整度数据；步骤S2，根据平整度数据计算出每个量测点处的最佳焦距；步骤S3，量测机台对当前晶圆的每个量测点在最佳焦距下进行套刻精度量测，收集波形图、套刻精度...
    2026-01-21
  • 毛细管放电三束等离子体环带耦合增强型EUV光源
    毛细管放电三束等离子体环带耦合增强型EUV光源_苏州极紫外半导体有限公司_202511441381.1
    本发明涉及极紫外(EUV)光刻技术领域，且公开了毛细管放电三束等离子体环带耦合增强型EUV光源；本发明通过梯度构型电极设计、光阑调控与精确同步触发，实现毛细管内三束放电等离子体在激光等离子体的辅助下有效耦合，形成发光端面积显著增大的环带状光...
    2026-01-21
  • 用于控制光刻设备的方法和相关设备
    用于控制光刻设备的方法和相关设备_ASML荷兰有限公司_202511569862.0
    公开了一种用于控制光刻设备的方法以及相关设备。该方法被配置为在光刻过程中向衬底提供产品结构，并且包括确定优化数据。优化数据包括至少一个性能参数的被测量的数据和/或被模拟的数据，该至少一个性能参数与将要在光刻过程中施加到衬底上的产品结构和/或...
    2026-01-21
  • 一种高通量多点阵双光子激光直写系统和方法
    一种高通量多点阵双光子激光直写系统和方法_浙江大学_202511626181.3
    本发明公开了一种高通量多点阵双光子激光直写系统和方法，该系统利用扩束匀光模块将飞秒激光扩束的同时，还将飞秒激光的激光光强由高斯分布整形为平顶光，通过上述两点保证了多产生模块产生足够数量的、强度均匀的子点阵，本发明还通过合束模块将多个子点阵按...
    2026-01-21
  • 一种基于图像识别与动态拟合的套刻误差实时矫正系统
    一种基于图像识别与动态拟合的套刻误差实时矫正系统_南通二十三度精密装备有限公司_202511640139.7
    本发明公开一种基于图像识别与动态拟合的套刻误差实时矫正系统，属于半导体先进封装制造领域。系统包含图像采集、误差解耦和动态补偿三大模块，形成闭环控制。图像采集模块采用高分辨率线阵CCD及AI算法，实现高速高精度标记识别与误差量化；误差解耦模块...
    2026-01-21
  • 粗微架构的磁悬浮式运动台
    粗微架构的磁悬浮式运动台_北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)_202511699115.9
    本申请涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种粗微架构的磁悬浮式运动台，包括平衡质量组件、粗动组件以及微动组件；其中，粗动组件安装于平衡质量组件上，微动组件安装于粗动组件上；平衡质量组件包括第一支撑构件、第一竖直浮动轴承、两个平衡支撑构件以及...
    2026-01-21
  • 一种应用于光刻机车间的节能型热交换装置及其控制方法
    一种应用于光刻机车间的节能型热交换装置及其控制方法_济南市市政工程设计研究院(集团)有限责任公司_202511726624.6
    本发明属于节能型热交换装置技术领域，公开了一种应用于光刻机车间的节能型热交换装置及其控制方法，包括管式换热器单元、板式换热器单元、动力调节单元、阀组单元、管道单元，以及控制单元，所述管式换热器单元包括管程A接口、管程B接口、壳程A接口，以及...
    2026-01-21
  • 基于YOLOv8的光刻热点检测方法
    基于YOLOv8的光刻热点检测方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511767524.8
    本申请提供一种基于YOLOv8的光刻热点检测方法，包括：将包含光刻热点和非热点图像的ICCAD 2012数据集作为总数据集，并将其按照设定比例划分为训练集和测试集；通过数据增强方式对ICCAD 2012数据集进行扩充，以解决数据量较小的问题...
    2026-01-21
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