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最新专利技术
  • SRAM共享接触孔的测试结构和方法
    SRAM共享接触孔的测试结构和方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511818202.1
    本发明公开了一种SRAM共享接触孔的测试结构和方法，属于半导体技术领域，该SRAM共享接触孔的测试结构，包括至少一基本单元，所述基本单元包括：有源区，通过隔离结构定义在衬底中；至少一多晶硅，位于所述衬底上并横跨隔离结构和所述有源区的交界，多...
    2026-03-20
  • 终点检测方法、装置、系统、半导体制造设备及介质
    终点检测方法、装置、系统、半导体制造设备及介质_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511927745.7
    本申请公开了终点检测方法、装置、系统、半导体制造设备及介质，涉及半导体制造技术领域，应用于终点检测系统，终点检测系统包括光谱仪、光开关，光开关的输入端与待检测晶圆对应的多种采样通道连接，光开关的输出端与光谱仪连接，包括：获取来自于光谱仪的信...
    2026-03-20
  • 监控金属硅化物阻挡层工艺的测试结构及测试方法
    监控金属硅化物阻挡层工艺的测试结构及测试方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511936516.1
    本发明公开了一种监控金属硅化物阻挡层工艺的测试结构及测试方法，所述测试结构包括PN结，所述PN结包括相互连接的P型掺杂区和N型掺杂区，所述P型掺杂区和N型掺杂区的交界处形成PN结的交界区域，所述PN结的交界区域上方设置有金属硅化物阻挡层；所...
    2026-03-20
  • 监控接触孔金属沉积剥落缺陷的方法
    监控接触孔金属沉积剥落缺陷的方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202411201983.5
    本发明提供一种监控接触孔金属沉积剥落缺陷的方法，包括：提供试验片；在第一制程环境下，在所述试验片表面沉积金属层，包括在所述试验片表面沉积阈值厚度的钛膜层，并在所述钛膜层上沉积氮化钛膜层；以及，检测沉积有所述金属层的所述试验片是否存在剥落缺陷...
    2026-03-20
  • 半导体制造装置、膏状粘接剂的检查方法及半导体器件的制造方法
    半导体制造装置、膏状粘接剂的检查方法及半导体器件的制造方法_捷进科技有限公司_202511214475.5
    本发明提供一种能够在批量生产涂布后进行与任意的经过时间对应的外观检查的技术。半导体制造装置包括：摄像装置，其对在涂布面所涂布的第一膏状粘接剂进行拍摄；以及控制装置，其对由所述摄像装置拍摄到的所述第一膏状粘接剂的图像数据进行图像处理，所述控制...
    2026-03-20
  • 太阳能电池片的接触电阻率测试方法、装置及电子设备
    太阳能电池片的接触电阻率测试方法、装置及电子设备_三一硅能(株洲)有限公司_202511486979.2
    本发明提供了一种太阳能电池片的接触电阻率测试方法、装置及电子设备，方法包括：将待测太阳能电池片从主栅中间进行切割，得到不包含主栅的矩形电池片；获取所述重掺杂区域的第一方块电阻，并应用自动化测试设备获取所述矩形电池片的接触电阻；根据所述接触电...
    2026-03-20
  • 一种离子注入机均匀性异常的工艺分析方法、介质及系统
    一种离子注入机均匀性异常的工艺分析方法、介质及系统_北京烁科中科信电子装备有限公司_202511561692.1
    本发明公开了一种离子注入机均匀性异常的工艺分析方法、介质及系统，方法包括步骤：S1.获取问题晶圆的离子参数并进行分析；S2.使用与问题晶圆相同的离子注入参数，重新注入一片新的晶圆，并对此晶圆进行热波测试，获取多个测量点的热波值及其坐标，生成...
    2026-03-20
  • 一种晶圆检测控制方法、晶圆检测系统和存储介质
    一种晶圆检测控制方法、晶圆检测系统和存储介质_上海中科飞测半导体科技有限公司_202511716868.6
    本申请提供一种晶圆检测控制方法、晶圆检测系统和存储介质，在控制第一检测模块对置于四轴位移台上的待测晶圆进行二维表面检测之后，先通过第一检测模块的二维检测结果确定需三维检测的待测区域，再依据将每个待测区域由当前位置切换到第二检测位所需的位移与...
    2026-03-20
  • 一种失效分析方法、系统及缺陷标记结构
    一种失效分析方法、系统及缺陷标记结构_擎方科技(济南)有限公司_202511844728.7
    本申请公开了一种失效分析方法、系统及缺陷标记结构，属于半导体技术领域。本申请实现了跨尺度、跨设备的无缝精准定位：通过“微米级缺陷标记”与“宏观指向标记”相结合的多级标记系统，并辅以“数字距离标记”，完美解决了从宏观定位到微观分析的过渡难题；...
    2026-03-20
  • 一种晶圆传送过程中心偏移检测及纠正的方法
    一种晶圆传送过程中心偏移检测及纠正的方法_苏州鸿安机械股份有限公司_202511928295.3
    本发明属于晶圆传送技术领域，本发明提供了一种晶圆传送过程中心偏移检测及纠正的方法，包括：获取晶圆的三维坐标数据，结合晶圆拟合的理想平面，初步识别静态工况下的晶圆翘曲形态，识别轻微异常晶圆，使用滑动窗口局部统计异常检测法确定轻微异常晶圆中的轻...
    2026-03-20
  • 一种芯片全自动AOI检测设备
    一种芯片全自动AOI检测设备_广东博测达科技股份有限公司_202511929778.5
    本发明涉及芯片检测技术领域，具体为一种芯片全自动AOI检测设备，包括机架，所述机架表面的一侧安装有供料机构；所述机架的表面安装有用于上料的四轴扩摸平台；所述机架表面且位于四轴扩摸平台的一侧设置有检测机构；所述机架的表面安装有双转盘机构，所述...
    2026-03-20
  • 一种晶圆边缘完整性检测装置
    一种晶圆边缘完整性检测装置_西湖仪器(杭州)技术有限公司_202610164382.4
    本发明涉及一种晶圆边缘完整性检测装置，其包括光电传感器、晶圆载台、设置于所述晶圆载台上的多个悬浮柱和可滑移的多个夹持柱，所述光电传感器的检测端相对晶圆边缘布置，且所述光电传感器和晶圆载台之间的相对位置可调，所述多个悬浮柱的顶端相对晶圆表面布...
    2026-03-20
  • 晶圆表面检测控制方法、装置、系统及其存储介质
    晶圆表面检测控制方法、装置、系统及其存储介质_苏州赛腾精密电子股份有限公司_202610179893.3
    本发明公开了一种晶圆表面检测控制方法、装置、系统及其存储介质，方法包括在夹持机构于指定位置对待检晶圆进行夹持时，控制光学扫描装置分别按照第一预设扫描路径和第二预设扫描路径对所述待检晶圆进行两次扫描，并在两次扫描过程中，控制夹持机构执行避让动...
    2026-03-20
  • 电路结构的布局及电路结构的制造方法
    电路结构的布局及电路结构的制造方法_联华电子股份有限公司_202411283698.2
    电路结构的制造方法，包括将原始布局分解成第一布局和第二布局，识别第一布局的第一待切图案，然后从第一待切图案的区块中决定第一选取区块，并且于第一选取区块插入第一切割图案。接着将第一待切图案扣除第一切割图案后输出第一布局至第一掩模，以及输出第二...
    2026-03-20
  • 基板处理方法、存储介质、基板处理装置以及计算机程序产品
    基板处理方法、存储介质、基板处理装置以及计算机程序产品_东京毅力科创株式会社_202511206316.0
    本发明提供一种基板处理方法、存储介质、基板处理装置以及计算机程序产品，简便地执行用于消除使用了处理液的液处理中的气泡所引起的故障的应对。本公开的一个方面所涉及的基板处理方法包括以下处理：通过液供给部来对基板的表面供给处理液，所述液供给部具有...
    2026-03-20
  • 一种超导量子芯片、衬底及其加工方法
    一种超导量子芯片、衬底及其加工方法_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411199843.9
    本申请公开了一种超导量子芯片、衬底及其加工方法，属于深硅刻蚀技术领域。加工衬底的方法包括：提供表面设置有第一光刻胶层的衬底；第一光刻胶层形成有露出部分衬底的第一沟槽；在第一沟槽的内壁形成保护层；保护层围绕形成第二沟槽；在衬底的厚度方向上，通...
    2026-03-20
  • 一种带手持区与预定断裂结构的FMM及其后段处理方法
    一种带手持区与预定断裂结构的FMM及其后段处理方法_拓维光电材料(滁州)有限公司_202511918613.8
    本发明公开一种带手持区与预定断裂结构的FMM及其后段处理方法，属于OLED显示面板制造领域；结构包括产品区，以及位于产品区两侧的手持区；手持区与产品区的交界位置设置有预定断裂结构，预定断裂结构包括位于A面的矩形线槽，以及位于B面且与矩形线槽...
    2026-03-20
  • 一种翘曲晶圆矫正方法
    一种翘曲晶圆矫正方法_宁波芯丰精密科技有限公司_202512042851.3
    本申请公开了一种翘曲晶圆矫正方法，属于半导体技术领域。该翘曲晶圆矫正装置，第一抵压机构包括第一吸盘组件，若干个第一吸盘组件呈阵列排布，第一吸盘组件包括第一吸盘，第一吸盘沿第一方向滑动连接于机架且正对第一板面，若干个第一吸盘沿第一方向的移动范...
    2026-03-20
  • 碳化硅衬底离子注入的硬掩膜层结构及离子注入方法
    碳化硅衬底离子注入的硬掩膜层结构及离子注入方法_杰平方半导体(上海)有限公司_202411207226.9
    本发明公开了一种碳化硅衬底离子注入的硬掩膜层结构及离子注入方法，属于半导体镀膜技术领域，该碳化硅衬底离子注入的硬掩膜层结构，包括碳化硅衬底；无定形碳膜层，设置在所述碳化硅衬底的顶部，所述碳化硅衬底和所述无定形碳膜层之间还设置有第一氧化硅层，...
    2026-03-20
  • 一种可转移衬底的半导体器件及其制备方法
    一种可转移衬底的半导体器件及其制备方法_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202511909123.1
    本发明公开了一种可转移衬底的半导体器件及其制备方法，包括：基础衬底；半导体器件结构层，位于所述基础衬底一侧；可剥离中间层，位于所述基础衬底和所述半导体器件结构层之间；其中，所述可剥离中间层具有电穿透性，并且能够使所述基础衬底和所述半导体器件...
    2026-03-20
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