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最新专利技术
  • 存储器装置
    存储器装置_三星电子株式会社_202511301838.9
    一种存储器装置，包括：模块基底，具有第一侧表面和与第一侧表面垂直的第二侧表面；半导体封装件，设置在模块基底的上表面和下表面中的至少一个上；无源器件，设置在模块基底的上表面和下表面中的至少一个上，其中，无源器件电连接到半导体封装件；以及保护层...
    2026-03-23
  • 一种超薄高散热系统级存储芯片封装结构及封装工艺
    一种超薄高散热系统级存储芯片封装结构及封装工艺_沛顿科技(深圳)有限公司_202511828792.6
    本发明公开了一种超薄高散热系统级存储芯片封装结构及工艺，结构包括PCB板、锡球、基板、控制芯片、堆叠式存储芯片、模封层、底胶层、凸点、焊线、黏合层及高导热界面材料层；控制芯片倒装焊于基板底部，通过凸点连基板，底部设高导热界面材料层贴PCB板...
    2026-03-23
  • 薄膜电阻制备方法、电阻器件及设备
    薄膜电阻制备方法、电阻器件及设备_粤芯半导体技术股份有限公司_202610175372.0
    本申请提供一种薄膜电阻制备方法、电阻器件及设备，涉及半导体制备技术领域，解决了相关技术中所制备的薄膜电阻性能差的问题，本方案能够通过对目标位置刻蚀形成第一通孔时无需保留该目标位置处的第一CrSi膜层，而是直接刻蚀并停留在介质阻挡层，并通过再...
    2026-03-23
  • 可配置电容
    可配置电容_予力半导体公司_202511911846.5
    本公开涉及可配置电容。一种电容设备包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底上的电容，包括第一正端子和第二正端子以及第一负端子和第二负端子；在所述电容上形成的钝化层、所述第一和第二正端子以及所述第一和第二负端子，所述钝化层分别在所述第一和第二正...
    2026-03-23
  • 可调的金氧半电容元件及其半导体装置
    可调的金氧半电容元件及其半导体装置_鲸链科技股份有限公司_202411282528.2
    本申请公开一种可调的金氧半电容元件及其半导体装置。金氧半电容元件包括栅极端、源极端、漏极端及基底端。所述栅极端接收栅极电压。所述源极端接收接地电压。所述漏极端与所述源极端电性连接，接收所述接地电压。所述基底端接收控制电压，所述控制电压与所述...
    2026-03-23
  • 一种多层电容结构及其制造方法
    一种多层电容结构及其制造方法_电波微讯(宁波)通信技术有限公司_202511885077.6
    本申请涉及电容技术领域，尤其涉及一种多层电容结构及其制造方法。本申请提出的多层电容结构，通过在衬底通孔中排布金属电极层与电介质层，提供了一种占用面积更小的高容值电容。多层电容结构的电容值与通孔的半径、介质材料及厚度、衬底厚度等参数有关，特别...
    2026-03-23
  • 一种恒流二极管芯片元胞结构、恒流器件及其制作方法
    一种恒流二极管芯片元胞结构、恒流器件及其制作方法_黄山芯微电子股份有限公司_202511548217.0
    本发明公开了一种恒流二极管芯片元胞结构、恒流器件及其制作方法，其结构为在重掺N+硅衬底上设置有硅外延层N‑漂移区，在N‑漂移区的上部有源区内设置有一组相互分离的P区，每个P区内设置有一个P+区和两个N+区，P+区在两个N+区之间，两个N+区...
    2026-03-23
  • 一种低电容TSS及制备方法
    一种低电容TSS及制备方法_扬州杰利半导体有限公司_202511846257.3
    一种低电容TSS及制备方法。涉及半导体技术领域。本发明阳极埋层的设置在1×1014个/cm3‑1×1016个/cm3较低掺杂浓度的情况有效的降低了击穿电压，通过阳极层与靠近阴极层一端的隔离层相接，隔离层掺杂浓度1×1019个/cm3‑1×1...
    2026-03-23
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510014305.6
    本发明涉及一种半导体装置。实施方式的半导体装置具备碳化硅层、第一电极、第二电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第一导电部、及第二导电部。碳化硅层具备主体部以及突出设置于主体部的突出设置部...
    2026-03-23
  • 一种采用绝缘材料填充沟槽的沟槽型氧化镓结势垒肖特基二极管及其制作方法
    一种采用绝缘材料填充沟槽的沟槽型氧化镓结势垒肖特基二极管及其制作方法_泉镓科技(福州)有限公司_202511779621.9
    本发明提出了一种采用绝缘材料填充沟槽的沟槽型氧化镓结势垒肖特基二极管及其制作方法，包括自下而上依次层叠设置的阴极金属层、高掺杂n型氧化镓衬底、低掺杂n型氧化镓外延层、沟槽、p型半导体层、阳极金属层、介质层、钝化层。其中阴极金属层沉积在高掺杂...
    2026-03-23
  • 一种低结电容SiGe HBT版图排布结构
    一种低结电容SiGe HBT版图排布结构_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511954538.0
    本发明公开了一种低结电容SiGe HBT版图排布结构，包括硅衬底、第一有源区、第二有源区和外基区，发射极、集电极和基极，发射极通过发射极接触条引出，所述基极通过基极接触孔引出；集电极通过集电极接触条或集电极接触孔引出；每一个所述基极接触孔均...
    2026-03-23
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510107640.0
    提供能够减少导通损耗及截止损耗这两者的半导体装置。实施方式的半导体装置具有在第1方向上隔开间隔而配置的第1电极及第2电极。具有在第2方向上隔开间隔而配置的多个控制电极。具有与第1电极电连接的连接电极。具有与第1电极电连接的第1导电型的第1半...
    2026-03-23
  • 一种电流增强型IGBT器件及其制造方法
    一种电流增强型IGBT器件及其制造方法_南京晟芯半导体有限公司_202511878238.9
    本发明公开了一种电流增强型IGBT器件及其制造方法，涉及半导体功率器件技术领域。所述电流增强型IGBT器件包括栅信号区域和有源区，所述有源区内的不同位置包含有两种及以上元胞设计，不同元胞设计设置有不同的阈值电压，所述设置了不同阈值电压的不同...
    2026-03-23
  • IGBT器件及其制备方法
    IGBT器件及其制备方法_江苏宏微科技股份有限公司_202511904173.0
    本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种IGBT器件及其制备方法。本发明的IGBT器件的栅极沟槽的下部的外周设置有浮置N型区；所述浮置N型区的两侧的上端分别连接P型体区和浮置P区；以及所述浮置N型区的外周设置有浮置P型区。本发明的IGBT...
    2026-03-23
  • 一种集成门极换流晶闸管及其制备方法
    一种集成门极换流晶闸管及其制备方法_深圳吉华微特电子有限公司_202511723090.1
    本公开涉及半导体领域，提供一种集成门极换流晶闸管及其制备方法，至少可以解决关断软化、过冲控制、工艺窗口与高温稳定性方面的问题。制备方法包括：提供基底；形成初始缓冲层，初始缓冲层位于基底上；对初始缓冲层进行氢注入工艺以得到缓冲层前躯体，氢注入...
    2026-03-23
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北京知识产权运营管理有限公司_202411223612.7
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相互垂直的x方向和y方向，所述半导体衬底包括沿y方向排列的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域的半导体衬底上分别形成有若干沿x方向延伸的鳍片；VFET...
    2026-03-23
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411231025.2
    本发明涉及一种半导体器件及其形成方法。该形成方法中，在包括多晶硅栅极、第一侧墙及源/漏区的半导体结构上依次形成第二侧墙材料层和牺牲材料层，先进行平坦化工艺再刻蚀，使多晶硅栅极顶部形成倒U形暴露面，第一侧墙高度降低形成第一矮侧墙，之后刻蚀第二...
    2026-03-23
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411233850.6
    本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。该制作方法中，在包括多晶硅栅极、第一侧墙及源/漏区的半导体结构上依次形成第二侧墙材料层和牺牲材料层，先进行平坦化工艺再刻蚀，在栅极顶部形成倒U形暴露面，之后去除牺牲材料层并同时去除部分第一侧墙而形成空气...
    2026-03-23
  • 晶体管的制作方法以及晶体管
    晶体管的制作方法以及晶体管_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511506163.1
    本公开实施例提供了一种晶体管的制作方法以及晶体管，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供HEMT场板的前端结构，所述前端结构包括SiN层以及形成于所述SiN层之上且已图形化的光刻胶掩模层；通过腐蚀液对所述前端结构进行腐蚀，其中，所述腐蚀...
    2026-03-23
  • 基于准单晶钝化的低表面陷阱态GaN HEMT器件及其制备方法
    基于准单晶钝化的低表面陷阱态GaN HEMT器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511733426.2
    本发明公开了一种基于准单晶钝化的低表面陷阱态GaN HEMT器件及其制备方法。该制备方法，包括：在衬底层上依次形成成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；在间隙区，形成准单晶钝化层，准单晶钝化层与势垒层的上界面直接接触；间隙区包括源极区与栅极区之间...
    2026-03-23
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