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最新专利技术
  • 基于准单晶钝化的低表面陷阱态GaN HEMT器件及其制备方法
    基于准单晶钝化的低表面陷阱态GaN HEMT器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511733426.2
    本发明公开了一种基于准单晶钝化的低表面陷阱态GaN HEMT器件及其制备方法。该制备方法，包括：在衬底层上依次形成成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；在间隙区，形成准单晶钝化层，准单晶钝化层与势垒层的上界面直接接触；间隙区包括源极区与栅极区之间...
    2026-03-24
  • 一种LDMOS的制备方法及LDMOS器件
    一种LDMOS的制备方法及LDMOS器件_杭州富芯半导体有限公司_202511794480.8
    本申请公开了一种LDMOS的制备方法及LDMOS器件，所述LDMOS的制备方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成一LDMOS器件区域；在形成有所述LDMOS器件区域上形成氧化层；在所述对应于源极区、漏极区之间区域的氧化层上形成栅极...
    2026-03-24
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202511947226.7
    提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。以与包含呈现半导体特性的金属氧化物的半导体层的底面接触的方式设置包含氧化物的岛状绝缘层。包含氧化物的绝缘层以与成为半导体层的沟道形成区域的部分接触的方式设置，且不设置在成为低电...
    2026-03-24
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_苏州晶湛半导体有限公司_202411237855.6
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括层叠设置的衬底、沟道层以及势垒层；钝化层，位于势垒层远离衬底一侧的非栅极区域；P型层，位于势垒层远离衬底一侧的栅极区域，且延伸至势垒层中；间隔层，至少位于P型层和钝化层之间。本公开延伸至...
    2026-03-24
  • 一种可控的晶圆级二维电子气结构及制备方法
    一种可控的晶圆级二维电子气结构及制备方法_北京大学_202411287212.2
    本发明公开了一种可控的晶圆级二维电子气结构及制备方法，所述结构采用键合结构，包括：上层结构和下层结构；所述上层结构，包括上层蓝宝石晶圆、氮化铝外延层；所述下层结构，包括氮化铝外延层、下层蓝宝石晶圆。该键合工艺利用表面重结晶实现了原子尺度上的...
    2026-03-24
  • 一种外延结构及其制备方法和半导体器件
    一种外延结构及其制备方法和半导体器件_华为技术有限公司_202411295972.8
    本申请提供了一种外延结构及其制备方法和半导体器件。该外延结构包括衬底和依次层叠设置在其一侧的成核层、高阻缓冲层和沟道层，该高阻缓冲层包括交替层叠于成核层上的第一Ⅲ族氮化物层和第二Ⅲ族氮化物层，且第二Ⅲ族氮化物层的总层数n≥2；其中，第一Ⅲ族...
    2026-03-24
  • 极化超结场效应晶体管和电气设备
    极化超结场效应晶体管和电气设备_三垦电气株式会社_202511226612.7
    提供极化超结场效应晶体管和电气设备。极化超结场效应晶体管具有第一未掺杂GaN层(11)、AlxGa1‑xN层(12)(0.17≤x≤0.35)、第二未掺杂GaN层(13)、p型GaN层(15)、AlxGa1‑xN层与第二未掺杂GaN层之间的...
    2026-03-24
  • 一种具有渐变背势垒和δ掺杂工程的GaAs pHEMT半导体器件
    一种具有渐变背势垒和δ掺杂工程的GaAs pHEMT半导体器件_四川大学锦江学院_202511853358.3
    本发明公开了一种具有渐变背势垒和δ掺杂工程的GaAs pHEMT半导体器件，包括GaAs衬底，设置于所述GaAs衬底上的缓冲层；缓冲层上的背势垒层；背势垒层上的沟道层；沟道层上方的上势垒层；势垒层上方的GaAs盖层；以及在器件表面形成的源极...
    2026-03-24
  • AlGaN器件的外延结构及其制备方法
    AlGaN器件的外延结构及其制备方法_广东省科学院半导体研究所_202511979584.6
    本发明公开一种AlGaN器件的外延结构及其制备方法，其中，AlGaN器件的外延结构包括在表面具有近平行的条状周期性形貌的势垒层上外延生长的p型AlGaN帽层；p型AlGaN帽层具有近锯齿形宏台阶形貌，且p型AlGaN帽层的宏台阶的台面上的A...
    2026-03-24
  • 晶体管结构及其形成方法
    晶体管结构及其形成方法_上海复旦微电子集团股份有限公司_202411245395.1
    一种晶体管结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成栅极结构；在栅极结构侧壁形成侧墙；在栅极结构两侧的衬底内形成源漏掺杂层；在源漏掺杂层顶部表面以及侧墙部分侧壁形成半导体层；对半导体层进行金属化处理，形成第一金属接触层。通过...
    2026-03-24
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202511075908.3
    提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体器件包括沟道、在第一方向上彼此分开且沟道位于其间的第一源极/漏极和第二源极/漏极、围绕沟道的栅极电极、被配置为向沟道提供交流电流的交流电流布线线路、以及将交流电流布线线路和第一源极/漏极彼此连接...
    2026-03-24
  • 半导体晶体管器件及其制造方法
    半导体晶体管器件及其制造方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511206498.1
    本公开涉及半导体晶体管器件及其制造方法。本发明涉及一种半导体晶体管器件(10)，其包括：半导体主体(30)中的场电极沟槽(20)；场电极沟槽(20)中的场电极(40)；与场电极(40)电接触的场电极触点(50)；场电极沟槽(20)和场电极(...
    2026-03-24
  • 一种基于外延取向调控的锂基突触晶体管及其制备方法
    一种基于外延取向调控的锂基突触晶体管及其制备方法_福建师范大学_202511620856.3
    本发明公开了一种基于外延取向调控的锂基突触晶体管及其制备方法。所述的突触晶体管由下至上包括单晶衬底、锂基材料沟道层、栅介质层以及栅电极，单晶衬底的表面还设有与锂基材料沟道层两端欧姆接触的源电极和漏电极。本发明通过选择特定晶格匹配的单晶衬底，...
    2026-03-24
  • 一种SiC MOS器件结构及其制备方法
    一种SiC MOS器件结构及其制备方法_浙江摩珂达半导体有限公司_202511837280.6
    本发明公开了一种SiC MOS器件结构及其制备方法，包括：N+衬底层、N‑外延层、层间介质层，漏极、源极、对称的P‑Well区及其中的N+掺杂区，P+掺杂区；在外延层上方形成栅氧化层和平面分裂的多晶硅栅极，并在两侧P‑Well区之间的JFE...
    2026-03-24
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511838092.5
    本申请公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体还包括基区、第一区域、第二区域和第三区域，第一区域位于第一表面，基区位于第一区域远离第一表面的一侧；第二...
    2026-03-24
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511838703.6
    本申请公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体还包括基区、第一区域、第二区域和第三区域，第一表面设置有至少一个栅极沟槽和至少一个源极沟槽；第二区域位于...
    2026-03-24
  • 一种非对称结构MOSFET器件及制备方法
    一种非对称结构MOSFET器件及制备方法_希力微电子(深圳)股份有限公司_202511846002.7
    本发明提供一种非对称结构MOSFET器件，用于改善增强屏蔽栅MOSFET器件的SOA性能问题。该MOSFET器件包括：多个元胞结构，多个元胞结构沿第一方向依次排列；所述元胞结构包括：第一导电类型外延层；所述第一导电类型外延层上表面形成有多个...
    2026-03-24
  • 金属氧化物半导体场效应管
    金属氧化物半导体场效应管_深圳天狼芯半导体有限公司_202511858258.X
    本申请涉及一种金属氧化物半导体场效应管，包括：衬底；阱区，具有第二导电类型，位于衬底内；沟槽源极，覆盖阱区在第一方向上的至少部分上表面；第一掺杂区，具有第一导电类型，位于沟槽源极在第二方向上的一侧；第二方向与第一方向相交；半导体层，位于第一...
    2026-03-24
  • 铁电可重构晶体管及存内计算电路
    铁电可重构晶体管及存内计算电路_复旦大学_202511882699.3
    本发明公开了铁电可重构晶体管及存内计算电路，铁电可重构晶体管包括衬底、第一介电层；第一栅极、第二栅极与第一铁电层覆盖于第一介电层上；半导体沟道层覆盖于第一铁电层上；第一电极、第二电极于第二铁电层覆盖于半导体沟道层上；第三栅极覆盖于第二铁电层...
    2026-03-24
  • 集成结势垒肖特基二极管的平面SiC MOSFET器件及制造方法
    集成结势垒肖特基二极管的平面SiC MOSFET器件及制造方法_重庆平伟实业股份有限公司_202511890176.3
    本发明提供的一种集成结势垒肖特基二极管的平面SiC MOSFET器件及制造方法，包括：衬底；第一导电类型外延层；第二导电类型体区；第一导电类型源区‑，形成于第二导电类型体区内；至少两个第二导电类型源区，形成于第二导电类型体区内；JFET区，...
    2026-03-24
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