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最新专利技术
  • 集成结势垒肖特基二极管的平面SiC MOSFET器件及制造方法
    集成结势垒肖特基二极管的平面SiC MOSFET器件及制造方法_重庆平伟实业股份有限公司_202511890176.3
    本发明提供的一种集成结势垒肖特基二极管的平面SiC MOSFET器件及制造方法，包括：衬底；第一导电类型外延层；第二导电类型体区；第一导电类型源区‑，形成于第二导电类型体区内；至少两个第二导电类型源区，形成于第二导电类型体区内；JFET区，...
    2026-03-24
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511891234.4
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括基底，基底包括衬底和外延层，外延层具有沿第一表面延伸至内部的凹槽，第一表面为外延层背离衬底的一侧表面；源区结构，位于凹槽在第一方向上两侧的外延层中，第一方向与半导体器件的厚度方向垂直；栅...
    2026-03-24
  • 晶体管结构
    晶体管结构_友达光电股份有限公司_202511895765.0
    本发明公开了一种晶体管结构，包括基板、半导体层、栅极、源极、漏极、辅助金属层以及绝缘层。半导体层沿着一层叠方向配置于基板上。栅极重叠半导体层的通道部。辅助金属层配置于基板与半导体层之间且重叠通道部。绝缘层直接接触辅助金属层的至少一侧边，且绝...
    2026-03-24
  • 一种氮化镓晶体管及其制备方法、双向开关
    一种氮化镓晶体管及其制备方法、双向开关_西交利物浦大学_202511897058.5
    本发明公开了一种氮化镓晶体管及其制备方法、双向开关，涉及半导体器件技术领域。氮化镓晶体管包括衬底；叠层设置于衬底一侧的缓冲层、沟道层、势垒层，位于势垒层一侧的栅控结构，覆盖栅控结构和势垒层的介质层，栅极沟槽、位于栅极沟槽相对两侧的漏极沟槽和...
    2026-03-24
  • 半导体结构及其制备方法和电子器件
    半导体结构及其制备方法和电子器件_浙江创芯集成电路有限公司_202511932333.2
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体结构及其制备方法和电子器件，该半导体结构包括：衬底；位于衬底上的沟道层；位于沟道层上第一区域的极性栅极；其中，极性栅极的第一栅极介质层为第一介质材料；位于沟道层上第二区域的控制栅极；其中，控制栅极的...
    2026-03-24
  • 一种栅极内嵌通孔实现电位自适应P-shield的SiC MOSFET器件
    一种栅极内嵌通孔实现电位自适应P-shield的SiC MOSFET器件_重庆市集成电路协同创新中心_202511981744.0
    本发明涉及一种栅极内嵌通孔实现电位自适应P‑shield的SiC MOSFET器件，属于半导体技术领域。本发明通过在栅极内部嵌入包含P+区和P‑ch区的多功能通孔，取代传统通过栅极一侧周期性通孔进行接地的方式，实现了P‑shield电位的自...
    2026-03-24
  • 晶体管及其制备方法、制备装置与电子设备
    晶体管及其制备方法、制备装置与电子设备_中国科学院微电子研究所_202511481843.2
    本申请属于晶体管技术领域，具体涉及一种晶体管及其制备方法、制备装置与电子设备。晶体管包括：半导体衬底；纳米片堆栈部：包括第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部；所述第一纳米片堆栈部和所述第二纳米片堆栈部沿所述半导体衬底的垂直方向堆叠设置；栅极：...
    2026-03-24
  • 晶体管及其制备方法与电子设备
    晶体管及其制备方法与电子设备_中国科学院微电子研究所_202511481856.X
    本申请属于晶体管技术领域，具体涉及一种晶体管及其制备方法与电子设备。晶体管包括半导体衬底；纳米片堆栈部包括沿半导体衬底垂直方向依次堆叠的第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部，分别包括由多个纳米片形成的叠层；在第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部...
    2026-03-24
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_世界先进积体电路股份有限公司_202411189875.0
    本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一基底，具有第一导电类型，包括第一区和第二区，其中第一区为一汲极区，第二区为一阴极；一磊晶层，具有第一导电类型，设置于基底上；一第一沟槽、一第二沟槽和一第三沟槽，设置于磊晶层内；一闸...
    2026-03-24
  • 晶体管及其制备方法、存储阵列、存储器和电子设备
    晶体管及其制备方法、存储阵列、存储器和电子设备_华为技术有限公司_202411218595.8
    本申请实施例提供一种晶体管及其制备方法、存储阵列、存储器和电子设备，涉及半导体技术领域，用于在降低晶体管的寄生电阻的同时，保证晶体管的栅极控制能力。该晶体管包括衬底、第一电极、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、栅介质层、辅助电极、沟道结构和第二...
    2026-03-24
  • 沟槽栅场效应管的制备方法、电子设备及可读存储介质
    沟槽栅场效应管的制备方法、电子设备及可读存储介质_深圳方正微电子有限公司_202511697039.8
    一种沟槽栅场效应管的制备方法、电子设备及可读存储介质，制备方法包括：依次构造层叠设置的衬底、漂移层、第一离子掺杂层和第二离子掺杂层；对第二离子掺杂层、第一离子掺杂层和漂移层进行刻蚀，形成贯穿第二离子掺杂层和第一离子掺杂层的沟槽；通过自对准工...
    2026-03-24
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511839615.8
    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构由于设置了第二掺杂类型的介电层以及第一柱状区，实现了超结结构，大幅降低了特定击穿电压下的比导通电阻，并且因为第二掺杂类型的介电层是填充在栅极沟槽内的，在形成时不需要离子注...
    2026-03-24
  • 场效应晶体管及场效应晶体管的制作方法
    场效应晶体管及场效应晶体管的制作方法_深圳平创半导体有限公司_202610192162.2
    本申请属于半导体器件领域，具体涉及一种场效应晶体管及场效应晶体管的制作方法，场效应晶体管包括N+型衬底、N‑型漂移区、P型基区、栅极氧化层、分裂栅模块、层间介质层、源极和漏极，N‑型漂移区形成在N+型衬底一侧，P型基区形成在N‑型漂移区远离...
    2026-03-24
  • 半导体结构、形成方法、器件及电子装置
    半导体结构、形成方法、器件及电子装置_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202411206061.3
    本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构、形成方法、器件及电子装置。半导体结构包括：基底结构，包括第一区域和第二区域，第一区域环绕第二区域设置；基底结构中形成有高压埋层；器件结构，器件结构形成在第二区域上；隔离环，隔离环形成在第一区...
    2026-03-24
  • 横向扩散金属氧化物半导体及其制作方法
    横向扩散金属氧化物半导体及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411397367.1
    本发明公开一种横向扩散金属氧化物半导体及其制作方法，其中横向扩散金属氧化物半导体包含一基底，一栅极电极设置于基底上，一第一栅极介电层设置于栅极电极和基底之间，一第二栅极介电层包含一第一部分和一第二部分，一源极埋入于栅极电极一侧的基底，一漏极...
    2026-03-24
  • 绝缘体上硅LDMOS及其制造方法
    绝缘体上硅LDMOS及其制造方法_东南大学_202511913141.7
    本发明涉及一种绝缘体上硅LDMOS及其制造方法，所述绝缘体上硅LDMOS包括依次叠设的衬底、绝缘埋层及顶部半导体层，所述顶部半导体层包括：源极区；漏极第一接触区；漂移区，至少部分所述漂移区位于所述源极区和漏极第一接触区之间；所述绝缘体上硅L...
    2026-03-24
  • 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法
    横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法_东南大学_202511913256.6
    本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底，衬底内设有阱区、漂移区、第一源漏区和第二源漏区；漂移区连接于阱区靠近衬底的正面一侧，第一源漏区和第二源漏区在漂移区内沿第一方向间隔排布；第一方向...
    2026-03-24
  • 沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法
    沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法_无锡新洁能股份有限公司_202511825860.3
    本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法，包括漏极金属及其上方的N型衬底、N型外延层、N型JFET区、P型体区、重掺杂N型源区和源极金属，在N型外延层的一端设有纵向沟槽，在纵向沟槽内部设有沟槽栅多晶...
    2026-03-24
  • 具有电子积累与电场调制的双效碳化硅沟槽栅VDMOSFET
    具有电子积累与电场调制的双效碳化硅沟槽栅VDMOSFET_桂林电子科技大学_202511948800.0
    本发明公开了一种高性能碳化硅沟槽栅VDMOSFET(垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)器件结构及其工作原理，属于功率半导体技术领域。该器件针对传统VDMOSFET在中高压应用场景下导通电阻与耐压性能难以兼顾的核心问题，提出多项结构创新...
    2026-03-24
  • 一种混合异质结三值逻辑氧化物薄膜晶体管及其制备方法
    一种混合异质结三值逻辑氧化物薄膜晶体管及其制备方法_西安电子科技大学_202511904067.2
    本发明公开一种混合异质结三值逻辑氧化物薄膜晶体管及其制备方法，主要解决现有三值逻辑晶体管的三种状态区别特征不明显以及器件可靠性低的问题。其包括衬底、沟道层、源电极和漏电极。该沟道层包括高空穴迁移率的准二维p型Zn掺杂氧化物Bi2O2Se和高...
    2026-03-24
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